PH132加热板价格

时间:2022年12月25日 来源:

    ***温度检测模块用于检测***分区的温度值,并将检测到的***分区温度值发送给控制模块,***加热模块用于加热***分区;第二分区包括第二加热模块和第二温度检测模块,第二温度检测模块用于检测第二分区的温度值,并将检测到的第二分区温度值发送给控制模块,第二加热模块用于加热第二分区;控制模块接收到***分区温度值和第二分区温度值后,控制模块计算***分区温度值和第二分区温度值的差值,若差值大于预设的精度值,则控制模块调整***加热模块或者第二加热模块的输出功率,直到差值小于精度值。其中,***温度检测模块和第二温度检测模块为热敏电阻。其中,***温度检测模块和第二温度检测模块为铂热电阻。其中,***加热模块包括***功率继电器和***加热丝,控制模块通过调整***功率继电器的输出功率,调整***加热丝的功率。其中,第二加热模块包括第二功率继电器和第二加热丝,控制模块通过调整第二功率继电器的输出功率,调整第二加热丝的功率。其中,***温度检测模块和第二温度检测模块采用型号为pt1000的铂热电阻。其中,控制模块在加热升温阶段和冷却降温阶段的精度值大于温度稳定阶段的精度值。其中,控制模块在加热升温阶段精度值为℃。其中。辅助加热水套与中心加热筒2连通的一端用于辅助加热,封闭端用于线圈7的安装检修。PH132加热板价格

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    MR)等在高温中气相化学反应(热分解,氢还原、氧化、替换反应等)在基板上形成氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔点金属、金属、半导体等薄膜方法。因只在高温下反应故用途被限制,但由于其可用领域中,则可得致密高纯度物质膜,且附着强度很强,若用心控制,则可得安定薄膜即可轻易制得触须(短纤维)等,故其应用范围极广。热CVD法也可分成常压和低压。低压CVD适用于同时进行多片基片的处理,压力一般控制在。作为栅电极的多晶硅通常利用HCVD法将SiH4或Si2H。气体热分解(约650oC)淀积而成。采用选择氧化进行器件隔离时所使用的氮化硅薄膜也是用低压CVD法,利用氨和SiH4或Si2H6反应面生成的,作为层间绝缘的SiO2薄膜是用SiH4和O2在400--4500oC的温度下形成SiH4+O2-SiO2+2H2或是用Si(OC2H5)4(TEOS:tetraethoxysilanc)和O2在750oC左右的高温下反应生成的,后者即采用TEOS形成的SiO2膜具有台阶侧面部被覆性能好的优点。前者,在淀积的同时导入PH3气体,就形成磷硅玻璃(PSG:phosphorsilicateglass)再导入B2H6气体就形成BPSG(borro?phosphorsilicateglass)膜。这两种薄膜材料,高温下的流动性好,***用来作为表面平坦性好的层间绝缘膜。上海 PA6015-WP-PCC20A加热板价格薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同,厚度通常小于1um。

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    4为限位柱;5为温度传感器;6为过温保护器;7为隔热环;11为***加热区域;12为第二加热区域;13为第三加热区域;14为第四加热区域;15为第五加热区域;16为第六加热区域;17为第七加热区域。具体实施方式下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不能用来限制本发明的范围。实施例一、本实施例的晶圆加热器的结构如图1至4所示包括:加热盘1、底板2和垫柱3加热盘1第二面上设有七个加热区域,分别为***加热区域11、第二加热区域12、第三加热区域13、第四加热区域14、第五加热区域15、第六加热区域16和第七加热区域17;***加热区域11设置于中心区域,第二加热区域12和第三加热区域13设置于***加热区域11外圆周,第四加热区域14、第五加热区域15、第六加热区域16和第七加热区域17设置于第二加热区域12和第三加热区域13外圆周;每个加热区域上均设置有若干弧形凹槽,且每个加热区域内的弧形凹槽均与相邻的弧形凹槽连接,使每个加热区域内的弧形凹槽形成串联;每个加热区域内均设置有一根加热丝,加热丝嵌于弧形凹槽内;底板2与加热盘1,使加热丝固定于加热盘1上。垫柱3为peek材料,高度为,设置在加热盘1上。

    使得同心圆圆弧上的位置温场分布较差。但是传统构造的加热片在采用时候会存在很多疑问:1.中间ω形状的热弧板1在持续加热工作后会有变形,这种变形又会更进一步引致加热片的总体变形,这种总体变形又会让两组加热片之间彼此相近(易于放电打火甚至短路)或上翘,这种远离或相近也会导致左电极3和右电极4,如附图2中相片的黑色箭头指示位置处。2.为了确保加热安定,其加热片的构造相同,这使得直线对称构造的加热片,其左电极3和右电极4在同一侧,会存在短路隐患,更是是总体变形后还会存在挤碎底部陶瓷的高风险。3.为了防范每组加热片之间短路,在每个包抄的加热片之间都会留有空隙22,而传统两组加热片之间存在的空隙22(主要在直线对称轴附近)空间分布不合理,迂回拐点相对处较近,其他地方较宽,会导致提供给芯片发育的热源不安定;同时,这种间隔较大,由于存在较大的温差,故此也致使拱形热片2的迂回拐点特别容易发生变形,附图3中的相片所示;相反,如果在直线对称轴附近留有的空隙较小,又会因为疑问1的缘故特别易于引致短路。目前的解决办法是:对传统加热片频繁的检查,做到早发现,早更换。但是这会增加加热片的使用成本。防止工质进入过渡沸腾区,从而导致传热恶化,壁温过热。

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在晶圆制造完成之后,晶圆测试是一步非常重要的测试。PH132加热板价格

    晶圆加热装置的制作方法文档序号:30596935发布日期:2022-07-0120:52阅读:35来源:国知局导航:X技术>*****>电气元件制品的制造及其应用技术1.本技术属于晶圆加工技术领域,尤其涉及一种晶圆加热装置。背景技术:2.目前,常用的晶圆加热设备的加热丝呈螺旋状从中心向**旋转,加热丝在热盘中的分布不够均匀,无法达到均匀加热的目的,无法满足晶圆的高精度加热要求,而高精度加热对半导体工艺至关重要。3.另外,在晶圆加热前需要先行对晶圆进行定位,在先技术中通常通过真空吸盘定位,但现有的真空吸盘对晶圆的吸附力通常不够均匀,晶圆和真空吸盘间的间隙存在差异,这也会导致晶圆加热不均匀,导致无法满足晶圆加热的精度要求。技术实现要素:4.针对上述问题,本技术提供了一种晶圆加热装置,至少解决了在先技术中真空吸盘吸附力不均匀、晶圆加热不均匀的问题。5.本技术实施例提供一种晶圆加热装置,包括:6.基座;7.真空吸盘,设于所述基座上且用于吸附工件,所述真空吸盘上设有进气孔与气路,所述气路包括若干同心设置的环形气路以及沿若干沿所述真空吸盘的径向延伸的径向气路,每个所述径向气路与各所述环形气路均连通。


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