小电流霍尔传感器排名

时间:2022年04月22日 来源:

霍尔传感器的分类: 霍尔传感器分为线性型霍尔传感器和开关型霍尔传感器两种。 (1)线性型霍尔传感器由霍尔元件、线性放大器和射极跟随器组成,它输出模拟量。 (2)开关型霍尔传感器由稳压器、霍尔元件、差分放大器,斯密特触发器和输出级组成,它输出数字量。 线性型霍尔传感器的特性: 输出电压与外加磁场强度呈线性关系,在B1~B2的磁感应强度范围内有较好的线性度,磁感应强度超出此范围时则呈现饱和状态。 集成霍尔传感器分为线性型、开关型和锁键型等多种,其主要元件均是利用霍尔效应原理制成的.所谓霍尔效应,指的是这样一种物理现象:如果把通有电流I的导体放在垂直于它的磁场中,则在导体的两侧P1、P2会产生一电势差UH,它与电流I及磁感应强度B成正比,与导体厚度d成反比,即:UH=K(IB/d),式中K为霍尔系数.霍尔系数越大,表明霍尔效应越明显。具有对磁场敏感,结构简单,体积小,频率响应宽,输出电压变化大和使用寿命长等优点。小电流霍尔传感器排名

霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔(1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,普遍地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。霍尔传感器是依据霍尔效应制作的。是霍尔1879年在研究金属导电机构时发明的,之后有在导电流体和半导体中均发现此效应。霍尔器件拥有着众多特点,它体积小,重量轻,安装方便,功耗小,频率高还生命长,耐振动不怕油污,水汽,盐雾灰尘等污染。储能逆变器霍尔传感器厂家线性霍尔传感器还可用于测量位置和位移,如液位探测、水流探测等。

霍尔传感器是一种磁传感器。用它可以检测磁场及其变化,可在各种与磁场有关的场合中使用。霍尔传感器以霍尔效应为其工作基础,是由霍尔元件和它的附属电路组成的集成传感器。霍尔传感器在工业生产、交通运输和日常生活中有着普遍的应用。 开关型霍尔传感器尺寸小、工作电压范围宽,工作可靠,价格便宜,因此获得极为普遍的应用。因为霍尔传感器IC内置一个霍尔效应感应单元,叫做霍尔单元Hall Plate,该单元在周围磁感应强度变化时,其左右两端将产生微弱的电压变化,再经过霍尔IC内部的比较器、斩波器、运放器以及输出电路的处理,霍尔传感器的输出端子便产生了可以被后端电路方便利用的明显的电压变化。

霍尔效应传感器是由外部磁场的设备。我们知道磁场有两个重要特性:磁通密度,(B)和极性(北极和南极)。霍尔效应传感器的输出信号是器件周围磁场密度的函数。当传感器周围的磁通密度超过某个预设阈值时,传感器检测到它并产生称为霍尔电压V H的输出电压。霍尔传感器基本上由一块薄的矩形p型半导体材料组成,例如砷化镓(GaAs),锑化铟(InSb)或砷化铟(InAs),它们通过自身连续的电流。当器件放置在磁场中时,磁通线在半导体材料上施加力,该力使电荷载流子,电子和空穴偏转到半导体板的任一侧。电荷载流子的这种运动是它们经过半导体材料所经受的磁力的结果。开关型霍尔传感器由稳压器、霍尔元件、差分放大器,斯密特触发器和输出级组成,它输出数字量。

作为一种流行的磁传感器技术,霍尔传感器的原理是在向导体施加垂直磁场时,在载流导体(通常称为霍尔元件)中会产生差分电压。电压是由施加的磁场引起的洛伦兹力的结果,其导致电流电子集中在导体的一端,并在两端之间产生电势差。具体来说,霍尔效应传感器由一块薄的矩形p型半导体材料组成,例如砷化镓,锑化铟或砷化铟,它们通过自身连续的电流。当器件放置在磁场中时,磁通线在半导体材料上施加力,该力使电荷载流子,电子和空穴偏转到半导体板的任一侧。电荷载流子的这种运动是它们经过半导体材料所经受的磁力的结果。当这些电子和空穴移动侧边时,通过这些电荷载流子的积累在半导体材料的两侧之间产生差分电压即电位差。开关型霍尔传感器还有一种特殊的形式,称为锁键型霍尔传感器。LEM莱姆霍尔传感器代理商

磁场中有一个霍尔半导体片,恒定电流I从A到B通过该片。小电流霍尔传感器排名

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