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从而降低模块的接触热阻，保证模块的出力。

  2、DBC基板：它是在高温下将氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)基片与铜箔直接双面键合而成，它具有优良的导热性、绝缘性和易焊性，并有与硅材料较接近的热线性膨胀系数(硅为4．2×10-6／℃，DBC为5．6×10-6／℃)，因而可以与硅芯片直接焊接，从而简化模块焊接工艺和降低热阻。同时，DBC基板可按功率电路单元要求刻蚀出各式各样的图形，以用作主电路端子和控制端子的焊接支架，并将铜底板和电力半导体芯片相互电气绝缘，

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实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、***科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。

整流桥模块,

可控硅有多种分类方法。

（一）按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、 上海多功能西门康整流桥模块信誉保证萱鸿科技，提供最专业、最真诚的服务，力求客户满意。

整流桥就是将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起，用两个半桥可组成一个桥式整流电路，一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路， 选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。整流桥堆一般用在全波整流电路中，它又分为全桥与半桥。

全桥是由4只整流二极管按桥式全波整流电路的形式连接并封装为一体构成的。

全桥的正向电流有0.5A、1A、1.5A、2A、2.5A、3A、5A、10A、20A、35A、50A等多种规格，耐压值（比较高反向电压）有25V、50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、800V、1000V等多种规格  。

在uab负半周期（即ua

正半周时：电流由a点流出—＞经d1二极管—＞c点—＞经r—＞d点—＞经d4二极管—＞流回b点。

负半周时：电流由b点流出—＞经d3二极管—＞c点—＞经r—＞d点—＞经d2二极管—＞流回a点

可见在交流电的正负半波里，交流电源的电流是正负二个方向交变的，而负载电阻r的电流，由于整流桥的作用，使流经r的电流方向是不变的：总是由c点流向d点，即r的电流变为直流电。但r的电压是不稳定的，其波形是脉动，形状与交流电正半周波形相似，见上右侧图中的未加电容的ucd波形图。

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整流桥的作用与原理

电源的整流桥部分采用了一体式的整流桥，整流桥的作用就是能够通过二极管的单向导通的特性将电平在零点上下浮动的交流电转换为单向的直流电，通常电源中采用的整流桥.还有单颗集成式的还有采用四颗二极管实现的，

整流桥的作用是将极性变化的交流电转化成极性不变的电流，但不能除去交流电中的脉动成份，至于带上负载后电压下降可能是电路中存在电阻，当电流增大时分压增多造成的整流就是把交流整成直流,整流的电路有单相半波整流、单相全波整流、三相半波整流、三相全波整流等等。

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中功率可控硅和小功率可控硅三种。通常，大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。

（五）按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。

（六）过零触发-一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。

（七）非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），

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