IGBT引脚图

IGBT产品更新换代慢：目前英飞凌定义的IGBT4代是市场主流，已应用了十年以上，英飞凌于18年底推出IGBT7，较4代面积减少25%，成本降低，功耗降低，预计大面积推广仍需要2-3年。IGBT更新换代相对比较慢，芯片对于产品性能起决定性作用，模块只能保证芯片性能发挥。IGBT芯片新一代和老一代各有优势，老一代损耗和面积等指标不一定好，但是稳定性是经过长时间验证的，相当一部分客户在新一代出来时候还选择使用老一代芯片。国内和国际其他公司都有布局IGBT7代技术，但是产品的验证周期较长，一般客户需要5~10年验证可靠性和应用端的问题，因此迭代速度较慢。目前代的IGBT斯达在和华虹共同研发，预计年底试生产。IGBT 是一种大功率电子电力元器件。IGBT引脚图

IGBT发生短路时，电流上升至4倍额定电流以上，终IGBT是要将这个电流关断掉的，这时的电流的数值比平常变流器额定工作时的电流高了很多，所以此时产生的电压尖峰也是非常高的。为了防止电压尖峰损坏IGBT，还需要引入我们昨天聊过的电路——有源钳位电路，但并不是所有的驱动电路都需要配备有源钳位功能，容量比较大的IGBT，就比较有必要配置此电路。对于小功率IGBT模块，通常采用直接串电阻的方法来检测器件输出电流，从而判断过电流故障，通过电阻检测时，无延迟；输出电路简单；成本低；但检测电路与主电路不隔离，检测电阻上有功耗，因此，只适合小功率IGBT模块。比如：5.5KW以下的变频器。安徽晶体管IGBT管子IGBT主要用于变频器逆变和其他逆变电路。

IGBT 既可控制信号的导通、也可控制信号的关断，是典型的全控型功率半导体器件，目前，以 IGBT 为的全控型功率半导体器件在工作频率、工作电压和信号控制性等方面的性能出众，正逐步发展为率半导体器件的主流应用形态。新能源汽车中的功率半导体价值量提升十分，根据英飞凌的数据，新能源中汽车功率半导体器件的价值量约为传统燃油车的5倍以上。其中，IGBT约占新能源汽车电控系统成本的37%，是电控系统中的电子器件之一，因此，未来新能源汽车市场的快速增长，有望带动以IGBT为的功率半导体器件的价值量提升，从而有力推动IGBT市场的发展。

1、IGBT额定电压的选择：

三相380V输入电压经过整流和滤波后，直流母线电压的最大值：在开关工作的条件下，IGBT的额定电压一般要求高于直流母线电压的两倍，根据IGBT规格的电压等级，选择1200V电压等级的IGBT。

2、IGBT额定电流的选择：

以30kW变频器为例，负载电流约为79A，由于负载电气启动或加速时，电流过载，一般要求1分钟的时间内，承受1.5倍的过流，择最大负载电流约为119A ，建议选择150A电流等级的IGBT。

3、IGBT开关参数的选择：

变频器的开关频率一般小于10kHZ，而在实际工作的过程中，IGBT的通态损耗所占比重比较大，建议选择低通态型IGBT。

虽然我们尽量考虑去降低该影响（提高控制极驱动电压电流，设置结电容释放 回路等）。

IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，降低电路接线电感，进步系统效率，现已开发成功第二代IPEM，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热门。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。上海市可控硅IGBT货源

电子技术在当今急需节能降耗的工业领域里起到了不可替代的作用。IGBT引脚图

IGBT模块的关断原理：绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体电力电子技术在当今急需节能降耗的工业领域里起到了不可替代的作用;而igbt在诸如变频器、大功率开关电源等电力电子技术的能量变换与管理应用中，越来越成为各种主回路的功率开关器件，因此如何安全可靠地驱动igbt工作，也成为越来越多的设计工程师面临需要解决的课题。器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT引脚图

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