北京可控硅IGBT模块

过流与短路保护是两个概念，它们既有联系也有区别。过流大多数是指某种原因引起的负载过载；短路是指桥臂直通，或主电压经过开关IGBT的无负载回路，它们的保护方法也有一定区别。如过流保护常用电流检也传感器，短路保护常通过检测IGBT饱和压降，配合驱动电路来实现。不同的功率有不同的方法来实现过流或短路保护。由于IGBT等功率器件都存在一定的结电容，所以会造成器件导通关断的延迟现象。虽然我们尽量考虑去降低该影响（提高控制极驱动电压电流，设置结电容释放 回路等）。IGBT将直流电压逆变成频率可调的交流电，是电子电力装置的“CPU”。北京可控硅IGBT模块

指的是“绝缘栅双极型晶体管”。采用IGBT进行功率变换能够提高用电效率和质量，具有高效节能和绿色环保的特点，是解决能源短缺和降低碳排放的关键技术，在大家熟悉的电动汽车上就有运用。IGBT 是一种大功率电子电力器件，主要用于变频器逆变和其他逆变电路，将直流电压逆变成频率可调的交流电，是电子电力装置的“CPU”。在电动车身上，IGBT 主要控制驱动系统直/交流电转换，它可以直接决定整车的性能表现。电力电子技术在当今急需节能降耗的工业领域里起到了不可替代的作用;而igbt在诸如变频器、大功率开关电源等电力电子技术的能量变换与管理应用中，越来越成为各种主回路的优先功率开关器件，因此如何安全可靠地驱动igbt工作，也成为越来越多的设计工程师面临需要解决的课题。南京进口IGBT模块IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为新型电力半导体场控自关断器件。

IGBT绝缘栅双极型功率管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为1500V的高压变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。由于IGBT等功率器件都存在一定的结电容，所以会造成器件导通关断的延迟现象。虽然我们尽量考虑去降低该影响（提高控制极驱动电压电流，设置结电容释放 回路等）。但是为了防止关断延迟效应造成上下桥臂直通，因为一个桥臂未完全关断，而另一桥臂又处于导通状态，直通炸模块后后果非常严重（比较好的结果是过 热）。

IGBT是什么。全名叫 -- 绝缘栅双极性晶体管，是当今社会比较新型也是利用比较***的功率电子元器件。它的作用是将整流后的直流电再变成中频交流电，应用***，电磁炉，变频空调，逆变电焊机等等很多的电源中。绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，因此，可。绝缘栅双极性晶体管，大功率模块。IGBT所能承受的最大电压是器件的物理极限，同一个标准双极器件相比。绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱动功率小和饱和压降低等。

IGBT工作时，必须有正向栅电压，常用的栅驱动电压值为15～187，比较高用到20V， 而棚电压与栅极电阻Rg有很大关系，在设计IGBT驱动电路时， 参考IGBT Datasheet中的额定Rg值，设计合适驱动参数，保证合理正向栅电压。因为IGBT的工作状态与正向棚电压有很大关系，正向栅电压越高，开通损耗越小，正向压降也越小。三相380V输入电压经过整流和滤波后，直流母线电压的最大值：在开关工作的条件下，IGBT的额定电压一般要求高于直流母线电压的两倍，根据IGBT规格的电压等级，选择1200V电压等级的IGBT。IGBT工作时，必须有正向栅电压，常用的栅驱动电压值为15～187。西门康IGBT

通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品。北京可控硅IGBT模块

IGBT模块应用范围十分，不仅是电动汽车及充电桩等设备的技术部件，广泛应用于智能电网的发电端、输电端、变电端及用电端，也已成为轨道交通车辆牵引变流器和各种辅助变流器的主流电力电子器件。就新能源车来说，IGBT约占电机驱动系统成本的一半，占整车成本的7-10%，是除电池之外成本第二高的元件，也决定了整车的能源效率。由于IGBT器件处在电力产品的位置，产品在恶劣运行环境与极端工况下，客户除了对器件的开关性能关注外，还对器件的安全工作区和长期可靠性要求极高。除了可靠性测试满足1000小时外，功率循环试验也是考核IGBT器件封装长期可靠性重要的测试项目，通过加速老化过程可提前暴露可能的薄弱点，也是能模拟器件在实际工作中的试验项目。北京可控硅IGBT模块

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