南京富士IGBT现货

时间:2021年04月22日 来源:

IGBT模块应用范围十分,不仅是电动汽车及充电桩等设备的技术部件,广泛应用于智能电网的发电端、输电端、变电端及用电端,也已成为轨道交通车辆牵引变流器和各种辅助变流器的主流电力电子器件。就新能源车来说,IGBT约占电机驱动系统成本的一半,占整车成本的7-10%,是除电池之外成本第二高的元件,也决定了整车的能源效率。由于IGBT器件处在电力产品的位置,产品在恶劣运行环境与极端工况下,客户除了对器件的开关性能关注外,还对器件的安全工作区和长期可靠性要求极高。IGBT的导通开关速度实质上只能与所用续流二极管反向恢复特性相 兼容的水平。南京富士IGBT现货

IGBT绝缘栅双极型功率管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为1500V的高压变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。由于IGBT等功率器件都存在一定的结电容,所以会造成器件导通关断的延迟现象。虽然我们尽量考虑去降低该影响(提高控制极驱动电压电流,设置结电容释放 回路等)。但是为了防止关断延迟效应造成上下桥臂直通,因为一个桥臂未完全关断,而另一桥臂又处于导通状态,直通炸模块后后果非常严重(比较好的结果是过 热)。IGBT模块2MBI200N-120器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。

回顾功率器件过去几十年的发展,1950-60年代双极型器件SCR,GTR,GTO,该时段的产品通态电阻很小;电流控制,控制电路复杂且功耗大;1970年代单极型器件VD-MOSFET。但随着终端应用的需求,需要一种新功率器件能同时满足:驱动电路简单,以降低成本与开关功耗、通态压降较低,以减小器件自身的功耗。1980年代初,试图把MOS与BJT技术集成起来的研究,导致了IGBT的发明。开关频率是指IGBT在一秒钟内开关次数。而在确定的母线电压和导通电流下,IGBT每次开关都会产生一定的损耗,开通损耗是Eon,关断损耗是Eoff,还有二极管反向恢复也有损耗Erec。IGBT的开关频率越高,开关次数就越多,损耗功率就也高,那乘以散热器的热阻后,IGBT的温升也越高,如果温度高到超出了IGBT的上限,那IGBT就失效了。



IGBT发生短路时,电流上升至4倍额定电流以上,终IGBT是要将这个电流关断掉的,这时的电流的数值比平常变流器额定工作时的电流高了很多,所以此时产生的电压尖峰也是非常高的。为了防止电压尖峰损坏IGBT,还需要引入我们昨天聊过的电路——有源钳位电路,但并不是所有的驱动电路都需要配备有源钳位功能,容量比较大的IGBT,就比较有必要配置此电路。对于小功率IGBT模块,通常采用直接串电阻的方法来检测器件输出电流,从而判断过电流故障,通过电阻检测时,无延迟;输出电路简单;成本低;但检测电路与主电路不隔离,检测电阻上有功耗,因此,只适合小功率IGBT模块。比如:5.5KW以下的变频器。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点,如驱动功率小和饱和压降低等。

所谓IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲,是一个非通即断的开关,IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点,如驱动功率小和饱和压降低等。而平时我们在实际中使用的IGBT模块是由IGBT与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品,具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品。南京西门康IGBT价格

在开关工作的条件下,IGBT的额定电压一般要求高于直流母线电压的两倍。南京富士IGBT现货

对于小功率IGBT模块,通常采用直接串电阻的方法来检测器件输出电流,从而判断过电流故障,通过电阻检测时,无延迟;输出电路简单;成本低;但检测电路与主电路不隔离,检测电阻上有功耗,因此,只适合小功率IGBT模块。比如:5.5KW以下的变频器。对于率IGBT模块的电流检测与过流、短路保护,一种方法是仍然采用电阻检测法,为了降低电阻产生功耗及发热生产的影响,可把带散热器件的取样电阻固定在散热器上,以测量更大的电流。对于大、率IGBT模块的电流检测与过流保护常采用电流传感器。但需注意要选择满足响应速度要求的电流传感器。由于需要配置检测电源,成本较高,但检测电路与主电路隔离,适用于大功率的IGBT模块。保护电路动作的时间须在10us之内完成。


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