安徽进口IGBT管子

时间:2021年05月06日 来源:

IGBT模块应用范围十分,不仅是电动汽车及充电桩等设备的技术部件,广泛应用于智能电网的发电端、输电端、变电端及用电端,也已成为轨道交通车辆牵引变流器和各种辅助变流器的主流电力电子器件。就新能源车来说,IGBT约占电机驱动系统成本的一半,占整车成本的7-10%,是除电池之外成本第二高的元件,也决定了整车的能源效率。由于IGBT器件处在电力产品的位置,产品在恶劣运行环境与极端工况下,客户除了对器件的开关性能关注外,还对器件的安全工作区和长期可靠性要求极高。电子技术在当今急需节能降耗的工业领域里起到了不可替代的作用。安徽进口IGBT管子

电力电子技术在当今急需节能降耗的工业领域里起到了不可替代的作用;而igbt在诸如变频器、大功率开关电源等电力电子技术的能量变换与管理应用中,越来越成为各种主回路的优先功率开关器件,因此如何安全可靠地驱动igbt工作,也成为越来越多的设计工程师面临需要解决的课题。在使用igbt构成的各种主回路之中,大功率igbt驱动保护电路起到弱电控制强电的终端界面(接口)作用。因其重要性,所以可以将该电路看成是一个相对的“子系统”来研究、开发及设计。


IGBT模块6MBI180VB120-50使用igbt构成的各种主回路之中,大功率igbt驱动保护电路起到弱电控制强电的终端界面(接口)作用。

IGBT模块应用范围十分,不仅是电动汽车及充电桩等设备的技术部件,广泛应用于智能电网的发电端、输电端、变电端及用电端,也已成为轨道交通车辆牵引变流器和各种辅助变流器的主流电力电子器件。就新能源车来说,IGBT约占电机驱动系统成本的一半,占整车成本的7-10%,是除电池之外成本第二高的元件,也决定了整车的能源效率。开关频率是指IGBT在一秒钟内开关次数。而在确定的母线电压和导通电流下,IGBT每次开关都会产生一定的损耗,开通损耗是Eon,关断损耗是Eoff,还有二极管反向恢复也有损耗Erec。IGBT的开关频率越高,开关次数就越多,损耗功率就也高,那乘以散热器的热阻后,IGBT的温升也越高,如果温度高到超出了IGBT的上限,那IGBT就失效了。



IGBT即绝缘栅双极晶体管),属于电压控制器件,是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件,是半导体领域里分立器件中特别重要的一个分支。能够根据工业装置中的信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等,以实现调控的目的,广泛应用于电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等领域。从20 世纪80 年代至今,IGBT 芯片经历了5-6 代产品升级,从平面穿通型(PT)到沟槽型电场—截止型(FS-Trench),各方面指标都得到了不断的优化。芯片面积缩小为初的四分之一,工艺线宽从5微米降到0.5微米,通态饱和压降从3伏降到1伏,关断时间也更快,从0.5微秒降到0.15微秒,功率损耗也更低,断态电压也从600V 提高到了6500V 以上。通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品。

目前,全球 IGBT 市场主要由英飞凌、三菱电机、富士电机、安森美和 ABB 等海外厂商占据,大厂商的市场份额合计达 70%。在国内 IGBT 市场,英飞凌、三菱电机、富士电机等海外厂商同样占据 50%以上的市场份额,国产替代空间十分广阔。与集成电路不同,功率半导体的前端制造对于工艺要求较低,对后端封装和针对化应用则有更高的要求。中国半导体封装产业链目前已经较为接近国际前列水平,同时中国拥有全球比较大下游应用市场,可以认为国内企业具备充分的追赶条件。


IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为新型电力半导体场控自关断器件。安徽西门康IGBT货源

IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。安徽进口IGBT管子

IGBT 内部的续流二极管的开关特性也受栅极电阻的影响,并也会限制我们选取栅极阻抗的最小值。IGBT的导通开关速度实质上只能与所用续流二极管反向恢复特性相 兼容的水平。栅极电阻的减小不仅增大了IGBT的过电压应力,而且由于IGBT模块中di/dt的增大,也增大了续流二极管的过压极限。由于IGBT等功率器件都存在一定的结电容,所以会造成器件导通关断的延迟现象。虽然我们尽量考虑去降低该影响(提高控制极驱动电压电流,设置结电容释放 回路等)。但是为了防止关断延迟效应造成上下桥臂直通,因为一个桥臂未完全关断,而另一桥臂又处于导通状态,直通炸模块后后果非常严重(的结果是过 热)。安徽进口IGBT管子

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