浙江进口IGBT工作原理

时间:2021年05月08日 来源:

IGBT即绝缘栅双极晶体管),属于电压控制器件,是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件,是半导体领域里分立器件中特别重要的一个分支。能够根据工业装置中的信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等,以实现调控的目的,广泛应用于电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等领域。从20 世纪80 年代至今,IGBT 芯片经历了5-6 代产品升级,从平面穿通型(PT)到沟槽型电场—截止型(FS-Trench),各方面指标都得到了不断的优化。芯片面积缩小为初的四分之一,工艺线宽从5微米降到0.5微米,通态饱和压降从3伏降到1伏,关断时间也更快,从0.5微秒降到0.15微秒,功率损耗也更低,断态电压也从600V 提高到了6500V 以上。igbt应用在诸如变频器、大功率开关电源等电力电子技术中。浙江进口IGBT工作原理

在IGBT使用过程中,可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小,从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制。

1当IGBT栅-射极加上加0或负电压时,MOSFET内沟道消失,IGBT呈关断状态。

2当集-射极电压UCE<0时,J3的PN结处于反偏,IGBT呈反向阻断状态。

3当集-射极电压UCE>0时,分两种情况:

②若栅-射极电压UGE<Uth,沟道不能形成,IGBT呈正向阻断状态。

②若栅-射极电压UGE>Uth ,栅极沟道形成,IGBT呈导通状态(正常工作)。此时,空穴从P+区注入到N基区进行电导调制,减少N基区电阻RN的值,使IGBT通态压降降低。


可控硅IGBT管子IGBT所能承受的最大电压是器件的物理极限。

IGBT是怎么个意思?IGBT的驱动系统实际上应与MOSFET的相同。的结果是;5 IC 正常)高出很多。例如,IGBT所能承受的最大电压是器件的物理极限,同一个标准双极器件相比。图3所示是理解器件在工作时的物理特性所需的结构元件(寄生元件不考虑在内),以及IGBT的结构。在IC处于饱和状态时,可以降低导通期间从P+基片注入的空穴数量的百分比,把导通损耗定义成功率损耗是可行的,集电极电流引起以下问题,Rg值对功耗的。GBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管。

IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上;IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进,此类产品在市场上将越来越多见;IGBT是能源变换与传输的器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。


IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点,如驱动功率小和饱和压降低等。

IGBT驱动电路的作用是驱动IGBT模块以能让其正常工作,同时对IGBT模块进行保护。IGBT 驱动电路的作用对整个IGBT构成的系统来说至关重要。IGBT是电路的器件,它可在高压下导通,并在大电流下关断,在硬开关桥式电路率器件IGBT能否正确可靠地使用起着至关重要的作用。以满足驱动IGBT的要求,IGBT驱动电路设计的是否合理直接关系到IGBT的安全、可靠使用。IGBT是怎么个意思?IGBT的驱动系统实际上应与MOSFET的相同。的结果是;5 IC 正常)高出很多。采用IGBT进行功率变换能够提高用电效率和质量,具有高效节能和绿色环保的特点。IGBT模块7MBR50VM120-50

IGBT是解决能源短缺和降低碳排放的关键技术。浙江进口IGBT工作原理

回顾功率器件过去几十年的发展,1950-60年代双极型器件SCR,GTR,GTO,该时段的产品通态电阻很小;电流控制,控制电路复杂且功耗大;1970年代单极型器件VD-MOSFET。但随着终端应用的需求,需要一种新功率器件能同时满足:驱动电路简单,以降低成本与开关功耗、通态压降较低,以减小器件自身的功耗。1980年代初,试图把MOS与BJT技术集成起来的研究,导致了IGBT的发明。 在IGBT使用过程中,可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小,从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制。浙江进口IGBT工作原理

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