可控硅IGBT报价

时间:2021年05月17日 来源:

目前,全球 IGBT 市场主要由英飞凌、三菱电机、富士电机、安森美和 ABB 等海外厂商占据,大厂商的市场份额合计达 70%。在国内 IGBT 市场,英飞凌、三菱电机、富士电机等海外厂商同样占据 50%以上的市场份额,国产替代空间十分广阔。与集成电路不同,功率半导体的前端制造对于工艺要求较低,对后端封装和针对化应用则有更高的要求。中国半导体封装产业链目前已经较为接近国际前列水平,同时中国拥有全球比较大下游应用市场,可以认为国内企业具备充分的追赶条件。


IGBT有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。可控硅IGBT报价

IGBT产品更新换代慢:目前英飞凌定义的IGBT4代是市场主流,已应用了十年以上,英飞凌于18年底推出IGBT7,较4代面积减少25%,成本降低,功耗降低,预计大面积推广仍需要2-3年。IGBT更新换代相对比较慢,芯片对于产品性能起决定性作用,模块只能保证芯片性能发挥。IGBT芯片新一代和老一代各有优势,老一代损耗和面积等指标不一定好,但是稳定性是经过长时间验证的,相当一部分客户在新一代出来时候还选择使用老一代芯片。国内和国际其他公司都有布局IGBT7代技术,但是产品的验证周期较长,一般客户需要5~10年验证可靠性和应用端的问题,因此迭代速度较慢。目前代的IGBT斯达在和华虹共同研发,预计年底试生产。IGBT模块7MBR10SA120-50MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点。

IGBT 既可控制信号的导通、也可控制信号的关断,是典型的全控型功率半导体器件,目前,以 IGBT 为的全控型功率半导体器件在工作频率、工作电压和信号控制性等方面的性能出众,正逐步发展为率半导体器件的主流应用形态。新能源汽车中的功率半导体价值量提升十分,根据英飞凌的数据,新能源中汽车功率半导体器件的价值量约为传统燃油车的5倍以上。其中,IGBT约占新能源汽车电控系统成本的37%,是电控系统中的电子器件之一,因此,未来新能源汽车市场的快速增长,有望带动以IGBT为的功率半导体器件的价值量提升,从而有力推动IGBT市场的发展。

IGBT功率模块采用IC驱动,各种驱动保护电路,高性能IGBT芯片,新型封装技术,从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展,其产品水平为1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于变频调速外,600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB,用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB,降低电路接线电感,进步系统效率,现已开发成功第二代IPEM,其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热门。igbt在诸如变频器、大功率开关电源等电力电子技术的能量变换与管理应用中各种主回路的优先功率开关器件。

所谓IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲,是一个非通即断的开关,IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点,如驱动功率小和饱和压降低等。而平时我们在实际中使用的IGBT模块是由IGBT与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品,具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。在开关工作的条件下,IGBT的额定电压一般要求高于直流母线电压的两倍。可控硅IGBT报价

IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。可控硅IGBT报价

从20 世纪80 年代至今,IGBT 芯片经历了5-6 代产品升级,从平面穿通型(PT)到沟槽型电场—截止型(FS-Trench),各方面指标都得到了不断的优化。芯片面积缩小为初的四分之一,工艺线宽从5微米降到0.5微米,通态饱和压降从3伏降到1伏,关断时间也更快,从0.5微秒降到0.15微秒,功率损耗也更低,断态电压也从600V 提高到了6500V 以上。IGBT的开关频率越高,开关次数就越多,损耗功率就也高,那乘以散热器的热阻后,IGBT的温升也越高,如果温度高到超出了IGBT的上限,那IGBT就失效了。可控硅IGBT报价

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