上海市原装IGBT电话

时间:2021年05月19日 来源:

大功率igbt驱动保护电路一直伴随igbt技术的发展而发展,现在市场上流行着很多种类非常成熟的大功率igbt驱动保护电路产品,成为大多数设计工程师的优先;也有许多的工程师根据其电路的特殊要求,自行研制出各种的大功率igbt驱动保护电路。本文对这些大功率igbt驱动保护电路进行分类,并对该电路需要达到的一些功能进行阐述,展望此电路的发展。此外本文所述大功率igbt驱动保护电路是指应用于直流母线电压在650v~1000v范围、输出电流的交流有效值在100a~600a范围的场合。IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。上海市原装IGBT电话

功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的,主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。功率半导体细分为功率器件(分立器件的一支)和功率IC(集成电路的一支)。理想情况下,完美的转化器在打开的时候没有任何电压损失,在开闭转换的时候没有任何的功率损耗,因此功率半导体这个领域的产品和技术创新,其目标都是为了提高能量转化效率。在使用igbt构成的各种主回路之中,大功率igbt驱动保护电路起到弱电控制强电的终端界面(接口)作用。安徽英飞凌IGBT模块IGBT是怎么个意思?IGBT的驱动系统实际上应与MOSFET的相同。

在IGBT使用过程中,可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小,从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制。

1当IGBT栅-射极加上加0或负电压时,MOSFET内沟道消失,IGBT呈关断状态。

2当集-射极电压UCE<0时,J3的PN结处于反偏,IGBT呈反向阻断状态。

3当集-射极电压UCE>0时,分两种情况:

②若栅-射极电压UGE<Uth,沟道不能形成,IGBT呈正向阻断状态。

②若栅-射极电压UGE>Uth ,栅极沟道形成,IGBT呈导通状态(正常工作)。此时,空穴从P+区注入到N基区进行电导调制,减少N基区电阻RN的值,使IGBT通态压降降低。


在IGBT单管应用领域,客户为实现产品的功率比较大化与设计成本比较好化,往往使用多管并联的设计方案,此时对IGBT单管的均流特性是个严苛考验。尚阳通IGBT开发团队在设计阶段从多方面考虑满足客户应用需求:其一,针对Vcesat采用正温度系数,保证在多管并联时IGBT在导通情况下,实现自动均流;其二,针对开关时的电流突变情况,在流片大厂的制造过程中对工艺条件流程的严苛把控,以实现阈值Vge(th)的分布集中化;其三,为增强产品的鲁棒性,通过调节浓度减少基区电阻的设计,可实现产品在4~5倍额定电流下正常开关,避免Latch-up现象的发生。IGBT的导通开关速度实质上只能与所用续流二极管反向恢复特性相 兼容的水平。

在IGBT单管应用领域,客户为实现产品的功率化与设计成本化,往往使用多管并联的设计方案,此时对IGBT单管的均流特性是个严苛考验。尚阳通IGBT开发团队在设计阶段从多方面考虑满足客户应用需求:其一,针对Vcesat采用正温度系数,保证在多管并联时IGBT在导通情况下,实现自动均流;其二,针对开关时的电流突变情况,在流片大厂的制造过程中对工艺条件流程的严苛把控,以实现阈值Vge(th)的分布集中化;其三,为增强产品的鲁棒性,通过调节浓度减少基区电阻的设计,可实现产品在4~5倍额定电流下正常开关,避免Latch-up现象的发生。器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。江苏可控硅IGBT管子

功率器件IGBT能否正确可靠地使用起着至关重要的作用。上海市原装IGBT电话

IGBT产品更新换代慢:目前英飞凌定义的IGBT4代是市场主流,已应用了十年以上,英飞凌于18年底推出IGBT7,较4代面积减少25%,成本降低,功耗降低,预计大面积推广仍需要2-3年。IGBT更新换代相对比较慢,芯片对于产品性能起决定性作用,模块只能保证芯片性能发挥。IGBT芯片新一代和老一代各有优势,老一代损耗和面积等指标不一定好,但是稳定性是经过长时间验证的,相当一部分客户在新一代出来时候还选择使用老一代芯片。国内和国际其他公司都有布局IGBT7代技术,但是产品的验证周期较长,一般客户需要5~10年验证可靠性和应用端的问题,因此迭代速度较慢。目前代的IGBT斯达在和华虹共同研发,预计年底试生产。上海市原装IGBT电话

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