IGBT模块2MBI200UC-120

时间:2021年06月01日 来源:

大功率igbt驱动保护电路一直伴随igbt技术的发展而发展,现在市场上流行着很多种类非常成熟的大功率igbt驱动保护电路产品,成为大多数设计工程师的优先;也有许多的工程师根据其电路的特殊要求,自行研制出各种的大功率igbt驱动保护电路。本文对这些大功率igbt驱动保护电路进行分类,并对该电路需要达到的一些功能进行阐述,展望此电路的发展。现在市场上流行着很多种类非常成熟的大功率igbt驱动保护电路产品,成为大多数设计工程师的优先;也有许多的工程师根据其电路的特殊要求,自行研制出各种的大功率igbt驱动保护电路。电力电子技术在当今急需节能降耗的工业领域里起到了不可替代的作用。IGBT模块2MBI200UC-120

电力电子技术在当今急需节能降耗的工业领域里起到了不可替代的作用;而igbt在诸如变频器、大功率开关电源等电力电子技术的能量变换与管理应用中,越来越成为各种主回路的优先功率开关器件,因此如何安全可靠地驱动igbt工作,也成为越来越多的设计工程师面临需要解决的课题。在使用igbt构成的各种主回路之中,大功率igbt驱动保护电路起到弱电控制强电的终端界面(接口)作用。因其重要性,所以可以将该电路看成是一个相对的“子系统”来研究、开发及设计。杭州可控硅IGBT电话组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。

IGBT模块的关断原理:绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体电力电子技术在当今急需节能降耗的工业领域里起到了不可替代的作用;而igbt在诸如变频器、大功率开关电源等电力电子技术的能量变换与管理应用中,越来越成为各种主回路的功率开关器件,因此如何安全可靠地驱动igbt工作,也成为越来越多的设计工程师面临需要解决的课题。器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

IGBT模块应用范围十分,不仅是电动汽车及充电桩等设备的技术部件,广泛应用于智能电网的发电端、输电端、变电端及用电端,也已成为轨道交通车辆牵引变流器和各种辅助变流器的主流电力电子器件。就新能源车来说,IGBT约占电机驱动系统成本的一半,占整车成本的7-10%,是除电池之外成本第二高的元件,也决定了整车的能源效率。由于IGBT器件处在电力产品的位置,产品在恶劣运行环境与极端工况下,客户除了对器件的开关性能关注外,还对器件的安全工作区和长期可靠性要求极高。除了可靠性测试满足1000小时外,功率循环试验也是考核IGBT器件封装长期可靠性重要的测试项目,通过加速老化过程可提前暴露可能的薄弱点,也是能模拟器件在实际工作中的试验项目。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点,如驱动功率小和饱和压降低等。

众所周知,IGBT是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电子器件,具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点,被广泛应用在变频器的逆变电路中。但由于IGBT的耐过流能力与耐过压能力较差,一旦出现意外就会使它损坏。为此,必须对IGBT进行相关保护。一般我们从过流、过压、过热三方面进行IGBT保护电路设计。IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时,所产生的额定损耗亦变大。同时,开关损耗增大,使原件发热加剧,因此,选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时,由于开关损耗增大,发热加剧,选用时应该降等使用。GBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件。IGBT模块7MBP150RA120

使用中当IGBT模块集电极电流增大时,所产生的额定损耗亦变大。IGBT模块2MBI200UC-120

IGBT模块是下游产品中的关键部件,其性能表现、稳定性和可靠性对下游客户来说至关重要,因此认证周期较长,替换成本高。对于新增的IGBT供应商,客户往往会保持谨慎态度,不仅会综合评定供应商的实力,而且通常要经过产品单体测试、整机测试、多次小批量试用等多个环节之后,才会做出大批量采购决策,采购决策周期较长。因此,新进入本行业者即使研发生产出IGBT产品,也需要耗费较长时间才能赢得客户的认可。目前国内具有相关实践、经验丰富的研发技术人才仍然比较缺乏,新进入的企业要想熟练掌握IGBT芯片或模块的设计、制造工艺,实现大规模生产,需要花费较长的时间培养人才、学习探索及技术积累。IGBT模块2MBI200UC-120

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