多定位闸阀L型转移阀

微泰半导体闸阀的特点：已向中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备，设备厂批量供货，已得到品质认可，已完成对半导体Utility设备和批量生产设备的验证。1，采用陶瓷球机构，抗冲击和震动，保证使用25万次，检修方便，较低维护成本。2，无Particle（颗粒）产生，采用陶瓷球无腐蚀和颗粒产。3，屏蔽保护：屏蔽式保护功能，闸阀阀体与挡板之间的距离小于1mm，可防止粉末侵入阀内，寿命为半永久性。4，保护环：Protecrion Ring通过流速上升设计防止粉末凝固，并通过打磨（研磨）工艺防止粉末堆积。微泰半导体闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代HVA闸阀、VAT闸阀。上海安宇泰环保科技有限公司。闸阀按闸板结构形式分为单闸板和双闸板两种。多定位闸阀L型转移阀

微泰，铝闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。期特点是*不论什么工艺的设备都可以使用*由半永久性陶瓷球和弹簧组成*应用:隔离泵。铝闸阀规格如下：驱动方式：手动、法兰尺寸：1.5英寸~ 10英寸、阀体：AL6061 (Anodizing)、机械装置：AL6061 (Anodizing)、阀门：O型圈(VITON)、真空密封：O型圈(VITON)、响应时间≤ 3 sec、驱动器：气缸、操作泄漏率< 1×10-10 mbar ℓ/sec、压力范围：< 1×10-10 mbar ℓ/sec、开始时的压差：≤ 30 mbar、初次维护前可用次数100,000次、阀体温度≤ 120 °执行机构温度≤ 60 °C、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。可替代VAT阀门。超高真空闸阀AKT为特定的真空系统和工艺选择适当尺寸和类型的真空闸阀对于确保高效运行和可靠的真空完整性至关重要。

微泰高压闸阀可以应用于多种设备，如蒸发、溅射、金刚石生长、PECV、PVD集群、卷对卷、涂层、蚀刻、扩散和CVD等。它具有陶瓷球机构产生的低颗粒和易于维护等特点，可替代VAT闸阀。该阀门的规格包括手动或气动驱动方式、1.5英寸至14英寸的法兰尺寸、CF法兰类型、焊接波纹管连接方式、氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM阀门密封、氟橡胶O型圈阀盖密封、≤2秒响应时间、1.5˝至6˝的操作压力范围为1×10-10 mbar至1400 mbar，8˝至14˝的操作压力范围为1×10-10 mbar至1200 mbar、≤30 mbar的开始时压差、≤1400 mbar的6˝以下闸门差动压力和≤1200 mbar的8˝至14˝闸门差动压力、<1×10 -10 Mbar/秒的泄漏率、250,000次维护前可用次数、阀体温度≤200°、机构温度≤80°C、烤炉温度≤150°C、阀体不锈钢304或316L和驱动器铝6061阳极氧化、任意安装位置和4至7 bar的N2操作压力。此外，微泰高压闸阀已在中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其他设备上得到应用。如果您需要了解更多关于微泰高压闸阀的信息，请联系上海安宇泰环保科技有限公司。

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，有气动多位置闸阀（气动多定位闸阀、多定位插板阀、Pneumatic Multi Position）、气动（锁定）闸阀和手动（锁定）闸阀，蝶阀，Butterfly Valve，步进电机插板阀Stepper Motor Gate Valve，加热插板阀（加热闸阀Heating gate valve），铝闸阀（AL Gate Valve），三重防护闸阀，应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。闸阀的结构长度(系壳体两连接端面之间的距离)较小。

微泰，三(多)位闸阀、三位闸阀、多位闸阀应用于• 蒸发•溅射• Diamond growth by MW-PACVD• PECV• PVD• 涂层• 蚀刻• 扩散•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。其特点是*3个位置功能-阀门打开,阀门关闭,第3位置*设备可通过连接到阀门的9 Pin D-Sub来读取阀门状态*手动和气动阀门组合*应用:需要压力控制的任何其他过程*应用:需要压力控制的地方。三位闸阀、多位闸阀规格如下：驱动方式：气动、法兰尺寸：2.5英寸~ 12英寸、法兰类型ISO, JIS, ASA, CF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：Viton O型圈、响应时间：≤ 2 sec、操作压力范围：2.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 12˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 14˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 60 °C、烤炉温度≤ 150 °C、材料：阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩控制系统和蝶阀使用步进电机操作，而多定位闸阀使用气动控制操作。超高真空闸阀AKT

微泰，高压闸阀能应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD。多定位闸阀L型转移阀

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，三重防护闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。有-屏蔽闸阀：防止气体和粉末进入阀内的隔离阀，-三重防护闸阀：屏蔽1和2+保护环的3重隔离系统，还有步进电机闸阀和铝闸阀，屏蔽门阀：产品范围：2.5~12英寸•高压/超高压都可用•维护前可用次数：25万次•响应时间：0.2秒~3秒；三级预防闸阀，三重防护闸阀：产品范围：4~10英寸•高压/超高压都可用•维护前可用次数：25万次•包括屏蔽功能；步进电机闸阀：产品范围：2.5~10英寸•高压/超高压都可用•维护前可用次数：25万次•包括屏蔽功能；步进电机闸阀；铝闸阀：产品范围：2.5~12英寸•高压气动•维护前可用次数：10万次•响应时间：0.2秒~3秒；有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，可替代HVA闸阀、VAT闸阀。上海安宇泰环保科技有限公司。多定位闸阀L型转移阀