真空闸阀三星半导体

微泰半导体闸阀具有诸多特点：其阀门驱动部分的所有滚子和轴承都经过精心防护处理，形成屏蔽和保护环（Shield Blocker 和 Protection Ring），通过三重预防方式有效切断粉末（Powder），从而延长阀门驱动及使用寿命。该闸阀采用的三重预防驱动方式中的 Shield 功能，能够出色地防止气体和粉末侵入阀体内部，同时具备三重保护驱动保护环，可延长 GV 寿命的 Shield 方法，并已供应给海外半导体 T 公司、M 公司和 I 公司的 Utility 设备。此外，挡板与阀体之间的距离小于 1mm，能够强力阻挡内部粉末和气体的流入，屏蔽挡板采用 1.5t AL 材料制成，充分考虑了其复原力，并通过 Viton 粉末热压工艺制成。而三重保护保护环的主要功能则包括：AL 材料的重量减轻和保护环内部照明的改善、保护环内部流速的增加以及三元环的应用确保了驱动性能的提升。闸阀不易产生水锤现象。原因是关闭时间长。真空闸阀三星半导体

微泰，专门用闸阀应用于• Evaporation• Sputtering• Diamond growth by MW-PACVD• PECV• PVD• Coating• Etch• Diffusion（扩散）•CVD等设备上。可替代VAT闸阀。期特点是*使用维修配件工具包易于维护*将电磁阀和位置传感器连接到15针D-Sub*锁定功能*限位开关*•速度控制器&电磁阀（2Port+N2Port）用不锈钢管连接（φ6）*应用:泵隔离,产品工艺水平要求高的地方。专门用闸阀规格如下：驱动方式：气动、法兰尺寸：4英寸~ 8英寸、法兰类型：ISO, JIS, ASA, CF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：Viton O型圈、响应时间：≤ 0.3 sec ~2 sec、操作压力范围：1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 12˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：4˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 14˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、初次维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、CTemperature for Actuator≤ 80 °C、烤炉温度≤ 150 °C、材料：阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、Micron,Global Foundries、英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体业绩。

PVD闸阀Global Foundries真空闸阀广泛应用于各种真空系统和工艺过程中，如半导体生产、电子设备制造、科研实验、航空航天等领域。

微泰，传输阀 (I-MOTION)、I型转换阀、输送阀、转移阀应用于晶圆加工，半导体加工，可替代VAT闸阀。其特点是• 主体材料：铝或不锈钢• 紧凑型设计• 使用维修配件工具包易于维护• 应用：半导体系统中小于 450mm 晶圆的传输和处理室隔离，传输阀 (I-MOTION)、输送阀、转移阀规格如下：闸门密封类型：传输阀 (I-MOTION)、右动转换阀、驱动方式：气动、法兰尺寸（内径） 32×222/46×236/50×336/56×500 、连接方式：焊接波纹管、闸门密封 Viton O 形圈/硫化密封件、阀盖密封：氟橡胶O型圈、响应时间：≤ 2 sec、工作压力范围：1×10-10 mbar to 1200 mbar、开始时的压差：≤ 30 mbar、开启时压差： ≤ 1200 mbar r、泄漏率不锈钢：< 1×10 -9Mbarℓ/秒/铝：< 1×10 -5  mbar ℓ/秒、维护前可用次数： ≥1,000,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 80 °C、烤炉温度≤ 200 °C、材料：阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，上海安宇泰环保科技有限公司。

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，气动多位置闸阀，气动多定位闸阀，多定位插板阀，Pneumatic Multi Position 其特点是1，全开和关闭位置使用带有位置发射器的气动电磁阀进行控制；2，所有位置控制都由控制器进行操作。1)控制类型-全开：高速闸门全开操作-全闭：高速闸门全闭操作-位置（POS.）控制：将闸门移动到设定的位置值；2)操作时间-完全打开↔完全关闭：<2秒（取决于速度控制器设置)-位置（POS。）控制： 0%↔100%工作，<MAX18秒（偏差： < ±0.5%）。微泰气动多位置闸阀，气动多定位闸阀，多定位插板阀，Pneumatic Multi Position，有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。闸阀高度大，启闭时间长。闸板的启闭行程较大，升降是通过螺杆进行的。

微泰，加热闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。其特点是*使用加热套或内部加热器加热*加热控制器*应用:去除粉末/气体设备。加热闸阀规格如下：驱动方式：手动或气动、法兰尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法兰类型：ISO、JIS、ASA、CF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：氟橡胶O型圈、响应时间：≤ 2 sec、操作压力范围：1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 12˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 12 ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 80 °C、烤炉温度≤ 200 °C、材料：阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。闸阀的结构紧凑，阀门刚性好，通道流畅，流阻数小，密封面采用不锈钢和硬质合金，使用寿命长。UHV闸阀法兰闸阀

用真空闸阀时，应考虑与工艺气体的兼容性、工作压力范围、循环速度和维护要求等因素。真空闸阀三星半导体

微泰半导体闸阀具有独特的三重保护保护环机能：采用铝质材料，减轻重量的同时提高保护环内部粗糙度，有效防止工程副产物的堆积黏附；通过提升保护环内部流速设计，且保护环逐步收窄，进一步提升流速，防止粉尘黏附；采用三元系 O 型圈，确保保护环驱动稳定，可保证 30 万次驱动。该闸阀被广泛应用于 Evaporation（蒸发）、Sputtering（溅射）、Diamond growth by MW-PACVD（通过 MW-PACVD 生长金刚石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）、Coating（涂层）、Etch（蚀刻）、Diffusion（扩散）、CVD（化学气相沉积）等设备上，能够替代 HVA 闸阀、VAT 闸阀。此闸阀由上海安宇泰环保科技有限公司提供。真空闸阀三星半导体