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时间:2023年08月17日 来源:

光电效应分为:外光电效应和内光电效应。内光电效应是被光激发所产生的载流子(自由电子或空穴)仍在物质内部运动,使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。外光电效应是被光激发产生的电子逸出物质表面,形成真空中的电子的现象。外光电效应在光的作用下,物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象叫做外光电效应。外光电效应的一些实验规律a.只当照射物体的光频率不小于某个确定值时,物体才能发出光电子,这个频率叫做极限频率(或叫做截止频率),相应的波长λ0叫做极限波长。不同物质的极限频率和相应的极限波长 是不同的。测试齿条齿轮传动系统中,行星齿轮机械参数的长期稳定性。安徽激光干涉仪表面粗糙度

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在光电效应中,要释放光电子显然需要有足够的能量。根据经典电磁理论,光是电磁波,电磁波的能量决定于它的强度,即只与电磁波的振幅有关,而与电磁波的频率无关。而实验规律中的较早、第二两点显然用经典理论无法解释。第三条也不能解释,因为根据经典理论,对很弱的光要想使电子获得足够的能量逸出,必须有一个能量积累的过程而不可能瞬时产生光电子。光电效应里,电子的射出方向不是完全定向的,只是大部分都垂直于金属表面射出,与光照方向无关,光是电磁波,但是光是高频震荡的正交电磁场,振幅很小,不会对电子射出方向产生影响。所有这些实际上已经曝露出了经典理论的缺陷,要想解释光电效应必须突破经典理论福建皮米精度激光干涉仪工业位移传感器(IDS)。

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被光束照射到的电子会吸收光子的能量,但是其中机制遵照的是一种非全有即全无的判据,光子所有能量都必须被吸收,用来克服逸出功,否则这能量会被释出。假若电子所吸收的能量能够克服逸出功,并且还有剩余能量,则这剩余能量会成为电子在被发射后的动能。逸出功W是从金属表面发射出一个光电子所需要的较小能量。如果转换到频率的角度来看,光子的频率必须大于金属特征的极限频率,才能给予电子足够的能量克服逸出功。逸出功与极限频率之间的关系为其中,h是普朗克常数,W是光频率为的光子的能量。克服逸出功之后,光电子的比较大动能为其中,hv是光频率为v的光子所带有并且被电子吸收的能量。实际物理要求动能必须是正值,因此,光频率必须大于或等于极限频率,光电效应才能发生。

半导体应变片:用于车辆等机械量测量的元件.半导体应变片是将单晶硅锭切片、研磨、腐蚀压焊引线,结尾粘贴在锌酚醛树脂或聚酰亚胺的衬底上制成的。是一种利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件。利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件,又称半导体应变片。压阻效应是半导体晶体材料在某一方向受力产生变形时材料的电阻率发生变化的现象(见压阻式传感器)。半导体应变片需要粘贴在试件上测量试件应变或粘贴在弹性敏感元件上间接地感受被测外力。在环境条件下悬臂的共振频率,不施加压电致动器的任何振荡。

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体型半导体应变片这种半导体应变片是将单晶硅锭切片、研磨、腐蚀压焊引线,结尾粘贴在锌酚醛树脂或聚酰亚胺的衬底上制成的。体型半导体应变片可分为6种。①普通型:它适合于一般应力测量;②温度自动补偿型:它能使温度引起的导致应变电阻变化的各种因素自动抵消,只适用于特定的试件材料;③灵敏度补偿型:通过选择适当的衬底材料(例如不锈钢),并采用稳流电路,使温度引起的灵敏度变化极小;④高输出(高电阻)型:它的阻值很高(2~10千欧),可接成电桥以高电压供电而获得高输出电压,因而可不经放大而直接接入指示仪表。⑤超线性型:它在比较宽的应力范围内,呈现较宽的应变线性区域,适用于大应变范围的场合;⑥P-N组合温度补偿型:它选用配对的P型和N型两种转换元件作为电桥的相邻两臂,从而使温度特性和非线性特性有较大改善。             包括与机器的数据交互接口,可实现自动测量线和误差补偿。平台校准激光干涉仪共焦技术

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