3D激光干涉仪位移

电测量指示仪表的分类可分为：

（1）按相别分：单相、三相三线、三相四线等。

（2）按功能及用途分：有功电表、无功电表、比较大需量表、复费率电表、多功能电表、铜损表、铁损表等。（3）按工作原理分：感应式、电子式、机电式等。电力系统各类电表的技术要求

（1）接入中注点绝缘系统的电能计量装置，应采用三相三线有功、无功电表。接入非中性点绝缘系统的电能计量装置，应采用三相四线有功、无功电表或3只感应式无止逆单相电表。

（2）接入中性点绝缘系统的3台电压互感器，35kV及以上的宜采用Y/y方式接线；35kV以下的宜采用V/V方式接线。接入非中性点绝缘系统的3台电压互感器，宜采用Y0/y0方式接线。其一次侧接地方式和系统接地方式相一致。

（3）低压供电，负荷电流为50A及以下时，宜采用直接接入式电表；负荷电流为50A以上时，宜采用经电流互感器接入式的接线方式。

（4）对三相三线制接线的电能计量装置，其2台电流互感器二次绕组与电表之间宜采用四线连接。对三相四线制连接的电能计量装置，其3台电流互感器二次绕组与电表之间宜采用六线连接。 在测量软件WAVE的FFT图中，实时显示位移数据，可快速简便地进行频谱分析，以识别共振频率。3D激光干涉仪位移

被光束照射到的电子会吸收光子的能量，但是其中机制遵照的是一种非全有即全无的判据，光子所有能量都必须被吸收，用来克服逸出功，否则这能量会被释出。假若电子所吸收的能量能够克服逸出功，并且还有剩余能量，则这剩余能量会成为电子在被发射后的动能。逸出功 W 是从金属表面发射出一个光电子所需要的较小能量。如果转换到频率的角度来看，光子的频率必须大于金属特征的极限频率，才能给予电子足够的能量克服逸出功。逸出功与极限频率之间的关系为其中，h是普朗克常数,W是光频率为的光子的能量。克服逸出功之后，光电子的比较大动能为其中，hv 是光频率为 v的光子所带有并且被电子吸收的能量。实际物理要求动能必须是正值，因此，光频率必须大于或等于极限频率，光电效应才能发生。平台校准激光干涉仪共焦技术紧凑，适用于设备集成。

外观检查规定1表盘上或外壳上至少应有下述标志符号：A.仪表名称或被测之量的标志符号；B.型号；C.系别符号；D.准确度等级；E.厂名或厂标；F.制造标准号；G.制造年月或出厂编号；H.电流种类或相数，三相仪表中测量机构的元件数量；I.正常工作位置；J.互感器的变比(指与互感器联用的仪表)；K.定值导线值(或符号)和分流器额定电压降值(对低量限电压表的要求)。2仪表的端钮和转换开关上应有用途标志；3从外表看，零部件完整，无松动，无裂缝，无明显残缺或污损。当倾斜或轻摇仪表时，内部无撞击声；4向左右两方向旋动机械调零器，指示器应转动灵活，左右对称；

扩散型半导体应变片这种应变片是将P型杂质扩散到一个高电阻N型硅基底上，形成一层极薄的P型导电层，然后用超声波或热压焊法焊接引线而制成（图2）。它的优点是稳定性好，机械滞后和蠕变小，电阻温度系数也比一般体型半导体应变片小一个数量级。缺点是由于存在P-N结，当温度升高时，绝缘电阻大为下降。半导体应变片是将单晶硅锭切片、研磨、腐蚀压焊引线，结尾粘贴在锌酚醛树脂或聚酰亚胺的衬底上制成的。是一种利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件。新型固态压阻式传感器中的敏感元件硅梁和硅杯等就是用扩散法制成的。定位器的触发运动控制。

干涉仪技术参数：5D/6D标准型：

1.线性：0.5ppm.

2.测量范围：40米（1D可选80米）

3.线性分辨力：0.001um.

4.偏摆角和俯仰角的精度：（1.0+0.1/m）角秒或1%显示较大值

5.比较大范围：800角秒

6.滚动角精度：1.0角秒

7.直线度精度：（1.0+0.2/m）um或1%显示较大值

8.直线度比较大范围：500um

9.垂直度精度：1角秒

10.温度精度：0.2摄氏度

11.湿度精度：5%

12.压力精度：1mmHg从激光器发出的光束，经扩束准直后由分光镜分为两路，并分别从固定反射镜和可动反射镜反射回来会合在分光镜上而产生干涉条纹。 角度和迴转测量，检测轴承间隙。天津激光干涉仪胶路检测

除基频外，还确定了其第二次和第四次谐波。3D激光干涉仪位移

半导体应变片:用于车辆等机械量测量的元件.半导体应变片是将单晶硅锭切片、研磨、腐蚀压焊引线，结尾粘贴在锌酚醛树脂或聚酰亚胺的衬底上制成的。是一种利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件。利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件，又称半导体应变片。压阻效应是半导体晶体材料在某一方向受力产生变形时材料的电阻率发生变化的现象（见压阻式传感器）。半导体应变片需要粘贴在试件上测量试件应变或粘贴在弹性敏感元件上间接地感受被测外力。3D激光干涉仪位移