纳米精度激光干涉仪表面粗糙度

5指针不应弯曲，与标度盘表面间的距离要适当。对装有反射镜式读数装置的仪表应不大于(0.02L+1)MM；其余仪表应不大于(0.01L+1)MM。指针与标度尺在同一水平面上的仪表，其指针前列与标度尺边缘的间隙应不超过(0.01L+0.8)MM。其中L是标度尺长度，MM。刀形和丝形指针的前列至少应盖住标度尺上较短分度线的1/2，矛形指针可为1/2～3/4；

6检查有无封印，外壳密封是否良好。三相仪表应在对称电压和平衡负载的条件下检验。三相系统中每一个线电压或相电压以及电流与系统中相应量的平均值之差均不应大于1%。各个相电流与对应相电压的相位差之间的差值不大于2°。 中国物联网校企联盟认为，传感器的存在和发展。纳米精度激光干涉仪表面粗糙度

不同变比电流互感器。这种型号的电流互感器具有同一个铁心和一次绕组，而二次绕组则分为两个匝数不同、各自独自的绕组，以满足同一负荷电流情况下不同变比、不同准确度等级的需要，例如在同一负荷情况下，为了保证电能计量准确，要求变比较小一些（以满足负荷电流在一次额定值的2/3左右），准确度等级高一些（如1K1.1K2为200/5.0.2级）；而用电设备的继电保护，考虑到故障电流的保护系数较大，则要求变比较大一些，准确度等级可以稍低一点（如2K1.2K2为300/5.1级）。纳米精度激光干涉仪表面粗糙度传感器头适用于极端环境：  低温和高温（比较高450°C），UHV兼容性，  强辐射（高达10MGy）和高磁场。

干涉仪技术参数：5D/6D标准型：1.线性：0.5ppm.2.测量范围：40米（1D可选80米）3.线性分辨力：0.001um.4.偏摆角和俯仰角的精度：（1.0+0.1/m）角秒或1%显示较大值5.比较大范围：800角秒6.滚动角精度：1.0角秒7.直线度精度：（1.0+0.2/m）um或1%显示较大值8.直线度比较大范围：500um9.垂直度精度：1角秒10.温度精度：0.2摄氏度11.湿度精度：5%12.压力精度：1mmHg从激光器发出的光束，经扩束准直后由分光镜分为两路，并分别从固定反射镜和可动反射镜反射回来会合在分光镜上而产生干涉条纹。

按一次绕组对地运行状态分一次绕组接地的电压互感器：单相电压互感器一次绕组的末端或三相电压互感器一次绕组的中性点直接接地；一次绕组不接地的电压互感器：单相电压互感器一次绕组两端子对地都是绝缘的；三相电压互感器一次绕组的各部分， 包括接线端子对地都是绝缘的，而且绝缘水平与额定绝缘水平一致。按磁路结构分单级式电压互感器：一次绕组和二次绕组（根据需要可设多个二次绕组同绕在一个铁芯上，铁芯为地电位。我国在及以下电压等级均用单级式；串级式电压互感器：一次绕组分成几个匝数相同的单元串接在相与地之间，每一单元有各自独自的铁芯，具有多个铁芯，且铁芯带有高电压，二次绕组（根据需要可设多个二次绕组处在较为末一个与地连接的单元。我国在电压等级常用此种结构型式；组合式互感器：由电压互感器和电流互感器组合并形成一体的互感器称为组合式互感器，也有把与组合电器配套生产的互感器称为组合式互感器。 IDS与各种目标和目标材料兼容！

利用不同构形的弹性敏感元件可测量各种物体的应力、应变、压力、扭矩、加速度等机械量。半导体应变片与电阻应变片(见电阻应变片相比，具有灵敏系数高（约高 50～100倍）、机械滞后小、体积小、耗电少等优点。P型和N型硅的灵敏系数符号相反，适于接成电桥的相邻两臂测量同一应力。早期的半导体应变片采用机械加工、化学腐蚀等方法制成，称为体型半导体应变片。它的缺点是电阻和灵敏系数的温度系数大、非线性大和分散性大等。这曾限制了它的应用和发展。自70年代以来，随着半导体集成电路工艺的迅速发展，相继出现扩散型、外延型和薄膜型半导体应变片，上述缺点得到一定克服。半导体应变片主要应用于飞机、导弹、车辆、船舶、机床、桥梁等各种设备的机械量测量。工业位移传感器（IDS）。韶关激光干涉仪外形尺寸测量

膨胀计：热膨胀和磁致伸缩测量！纳米精度激光干涉仪表面粗糙度

激光干涉仪，以激光波长为已知长度，利用迈克耳逊干涉系统测量位移的通用长度测量。激光具有高的强度、高度方向性、空间同调性、窄带宽和高度单色性等优点。目前常用来测量长度的干涉仪，主要是以迈克尔逊干涉仪为主，并以稳频氦氖激光为光源，构成一个具有干涉作用的测量系统。激光干涉仪可配合各种折射镜、反射镜等来作线性位置、速度、角度、真平度、真直度、平行度和垂直度等测量工作，并可作为精密工具机或测量仪器的校正工作。    纳米精度激光干涉仪表面粗糙度