安徽磁控溅射真空镀膜加工

真空蒸发镀膜设备主要用于在经予处理的塑料、陶瓷等制品表面蒸镀金属薄膜(镀铝、铬、锡、不锈钢等金属)、七彩薄仿金膜等，从而获得光亮、美观、;价廉的塑料，陶瓷表面金属化制品。普遍应用于汽车、摩托车灯具、工艺美术、装潢装饰、灯具、家具、玩具、酒瓶盖、化妆品、手机、闹钟、女式鞋后跟等领域。真空镀膜技术是真空应用技术的一个重要分支，它已普遍地应用于光学、电子学、能源开发，理化仪器、建筑机械、包装、民用制品、表面科学以及科学研究等领域中。真空镀膜所采用的方法主要有蒸发镀、溅射镀、离子镀、束流沉积镀以及分子束外延等。此外还有化学气相沉积法。磁控溅射由于其内部电场的存在，还可在衬底端引入一个负偏压，使溅射速率和材料粒子的方向性增加。安徽磁控溅射真空镀膜加工

真空镀膜机EMI溅射镀膜具有以下特点：磁控溅射是一种高速率低基片温升的成膜技术。1.被溅射基材几无限制（PC、ABS、PC+ABS、陶瓷、、玻璃等）2.膜质致密均匀、膜厚容易控制。3.溅射粒子的初始动能大，溅射薄膜的结合力强（D3359-93方法测试）。4.溅射薄膜的致密度高、小孔少、品质因数高。5.在反应气氛中可以直接获得化合膜。6.溅射时基片的温升低。7.在相同的工艺条件、溅射功率下，溅射速率几乎不变，故可以用时间来估算沉积的膜厚。8.价格低。9.真空溅射加工的金属薄膜厚度只有0.5～2μm，一定不影响装配。10.真空溅射是彻底的环保制程，一定环保无污染。四川电子束蒸发真空镀膜平台电子束蒸发法是真空蒸发镀膜中常用的一种方法。

影响靶中毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例，反应气体过量就会导致靶中毒。反应溅射工艺进行过程中靶表面溅射区域内出现被反应生成物覆盖或反应生成物被剥离而重新暴露金属表面此消彼长的过程。如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率，化合物覆盖面积增加。在一定功率的情况下，参与化合物生成的反应气体量增加，化合物生成率增加。如果反应气体量增加过度，化合物覆盖面积增加，如果不能及时调整反应气体流量，化合物覆盖面积增加的速率得不到防止，溅射沟道将进一步被化合物覆盖，当溅射靶被化合物全部覆盖的时候，靶完全中毒，不能继续溅射

PECVD主要由工艺管及电阻加热炉、净化推舟系统、气路系统、电气控制系统、计算机控制系统、真空系统6大部分组成。PECVD的主要性能指标，PECVD设备的主要特点，该设备成膜种类为氮化硅，这种PECVD成膜均匀性好、稳定性高。每片硅片间不均匀性误差在5%之内，同一批硅片间的误差在6%之内，不同批次硅片间误差在7%之内。温度要求比较低，成膜温度为150℃～500℃，恒温区温度均匀，误差范围在2℃之内，并且在整个成膜过程中随时间变化小，误差范围为2℃/24h之内。升温时间较短，工作压力范围广，恢复真空时间短，设备封闭性强并且具有温度控制和计算机自动监控等安全措施功能。除此之外，PECVD与一般CVD相比有更多的优点。真空镀膜机的优点:其封口性能好，尤其包装粉末状产品时，不会污染封口部分，保证了包装的密封性能。

常用的薄膜制备方式主要有两种，其中一种是物理的气相沉积（PVD），PVD的方法有磁控溅射镀膜、电子束蒸发镀膜、热阻蒸发等。另一种是化学气相沉积法（CVD），主要有常压CVD、LPCVD（低压气相沉积法）、PECVD（等离子体增强气相沉积法）等方法。解决靶中毒主要有以下几种方法;1.使用射频电源进行溅射；2.采用闭环控制反应气体通入流量；3.使用孪生靶交替溅射；4.控制镀膜模式的变换：在镀膜前，采集靶中毒的迟滞效应曲线，使进气流量控制在产生靶中毒的前沿，确保工艺过程始终处于沉积速率陡降前的模式。磁控溅射可用于多种材料，适用性普遍。上海真空镀膜平台

利用PECVD生长的氮化硅薄膜可在低温下成膜。安徽磁控溅射真空镀膜加工

蒸发物质的分子被电子碰撞电离后以离子沉积在固体表面，称为离子镀。这种技术是D.麦托克斯于1963年提出的。离子镀是真空蒸发与阴极溅射技术的结合。一种离子镀系统[离子镀系统示意图],将基片台作为阴极，外壳作阳极，充入惰性气体(如氩)以产生辉光放电。从蒸发源蒸发的分子通过等离子区时发生电离。正离子被基片台负电压加速打到基片表面。未电离的中性原子(约占蒸发料的95%)也沉积在基片或真空室壁表面。电场对离化的蒸气分子的加速作用(离子能量约几百~几千电子伏)和氩离子对基片的溅射清洗作用，使膜层附着强度较大提高。离子镀工艺综合了蒸发(高沉积速率)与溅射(良好的膜层附着力)工艺的特点，并有比较好的绕射性，可为形状复杂的工件镀膜。安徽磁控溅射真空镀膜加工

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