黑龙江多层磁控溅射

磁控溅射镀膜是现代工业中不可缺少的技术之一，磁控溅射镀膜技术正普遍应用于透明导电膜、光学膜、超硬膜、抗腐蚀膜、磁性膜、增透膜、减反膜以及各种装饰膜，在**和国民经济生产中的作用和地位日益强大。镀膜工艺中的薄膜厚度均匀性，沉积速率，靶材利用率等方面的问题是实际生产中十分关注的。解决这些实际问题的方法是对涉及溅射沉积过程的全部因素进行整体的优化设计，建立一个溅射镀膜的综合设计系统。薄膜厚度均匀性是检验溅射沉积过程的较重要参数之一，因此对膜厚均匀性综合设计的研究具有重要的理论和应用价值。反应磁控溅射普遍应用于化合物薄膜的大批量生产。黑龙江多层磁控溅射

脉冲磁控溅射是采用矩形波电压的脉冲电源代替传统直流电源进行磁控溅射沉积。脉冲溅射可以有效地抑制电弧产生进而消除由此产生的薄膜缺陷，同时可以提高溅射沉积速率，降低沉积温度等一系列明显的优点，是溅射绝缘材料沉积的首先选择的工艺过程。高功率脉冲磁控溅射技术作为一种高离化率物理中气相沉积技术，可以明显提高薄膜结构可控性，进而获得优异的薄膜性能，对薄膜工业的发展有重要意义。近几年来，高功率脉冲磁控溅射技术在国内外研究领域和工业界受到了普遍关注和重视。黑龙江金属磁控溅射优点高速率磁控溅射的一个固有的性质是产生大量的溅射粒子而获得高的薄膜沉积速率。

直流磁控溅射所用的电源是直流高压电源，通常在300～1000V，特点是溅射速率快，造价低，后期维修保养廉价。可是只能溅射金属靶材，假如靶材是绝缘体，随着溅射的深化，靶材会聚集很多的电荷，导致溅射无法持续。因而关于金属靶材通常用直流磁控溅射，因为造价廉价，结构简略，目前在工业上使用普遍。脉冲磁控溅射是采用脉冲电源或者直流电源与脉冲生成装置配合，输出脉冲电流驱动磁控溅射沉积。一般使用矩形波电压，既容易获得又有利于研究溅射放电等离子体的变化过程。工作模式与中频溅射。

真空磁控溅射镀膜工艺具备以下特点：1、沉积速率大。由于采用高速磁控电极，可获得的离子流很大，有效提高了此工艺镀膜过程的沉积速率和溅射速率。与其它溅射镀膜工艺相比，磁控溅射的产能高、产量大、于各类工业生产中得到普遍应用。2、功率效率高。磁控溅射靶一般选择200V-1000V范围之内的电压，通常为600V，因为600V的电压刚好处在功率效率的较高有效范围之内。3、溅射能量低。磁控靶电压施加较低，磁场将等离子体约束在阴极附近，可防止较高能量的带电粒子入射到基材上。反应磁控溅射适于制备大面积均匀薄膜，并能实现单机年产上百万平方米镀膜的工业化生产。

磁控溅射包括很多种类，各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点：利用磁场与电场交互作用，使电子在靶表面附近成螺旋状运行，从而增大电子撞击氩气产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。磁控反应溅射绝缘体看似容易，而实际操作困难。主要问题是反应不光发生在零件表面，也发生在阳极，真空腔体表面以及靶源表面，从而引起灭火，靶源和工件表面起弧等。国外发明的孪生靶源技术，很好的解决了这个问题。其原理是一对靶源互相为阴阳极，从而消除阳极表面氧化或氮化。磁控溅射技术在光学薄膜(如增透膜)、低辐射玻璃和透明导电玻璃等方面也得到应用。上海平衡磁控溅射镀膜

磁控溅射属于辉光放电范畴，利用阴极溅射原理进行镀膜。黑龙江多层磁控溅射

在各种溅射镀膜技术中，磁控溅射技术是较重要的技术之一，为了制备大面积均匀且批量一致好的薄膜，釆用优化靶基距、改变基片运动方式、实行膜厚监控等措施。多工位磁控溅射镀膜仪器由于其速度比可调以及同时制作多个基片，效率大幅度提高，被越来越多的重视和使用。在实际镀膜中，有时靶材料是不宜中间开孔的，而且对于磁控溅射系统，所以在实际生产中通过改变靶形状来改善膜厚均匀性的方法是行不通的。因此找到一种能改善膜厚均匀性并且可行的方法是非常有必要且具有重要意义的。黑龙江多层磁控溅射