小家电真空镀膜技术
在二极溅射中增加一个平行于靶表面的封闭磁场,借助于靶表面上形成的正交电磁场,把二次电子束缚在靶表面特定区域来增强电离效率,增加离子密度和能量,从而实现高速率溅射的过程。随着碰撞次数的增加,二次电子的能量消耗殆尽,逐渐远离靶表面,并在电场E的作用下沉积在基片上。由于该电子的能量很低,传递给基片的能量很小,致使基片温升较低。磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。入射粒子在靶中经历复杂的散射过程,和靶原子碰撞,把部分动量传给靶原子,此靶原子又和其他靶原子碰撞,形成级联过程。在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量,离开靶被溅射出来。真空镀膜的主要功能包括赋予被镀件表面高度金属光泽和镜面效果。小家电真空镀膜技术
真空镀膜:真空涂层技术发展到了现在还出现了PCVD(物理化学气相沉积)、MT-CVD(中温化学气相沉积)等新技术,各种涂层设备、各种涂层工艺层出不穷。目前较为成熟的PVD方法主要有多弧镀与磁控溅射镀两种方式。多弧镀设备结构简单,容易操作。多弧镀的不足之处是,在用传统的DC电源做低温涂层条件下,当涂层厚度达到0。3um时,沉积率与反射率接近,成膜变得非常困难。而且,薄膜表面开始变朦。多弧镀另一个不足之处是,由于金属是熔后蒸发,因此沉积颗粒较大,致密度低,耐磨性比磁控溅射法成膜差。可见,多弧镀膜与磁控溅射法镀膜各有优劣,为了尽可能地发挥它们各自的优越性,实现互补,将多弧技术与磁控技术合而为一的涂层机应运而生。在工艺上出现了多弧镀打底,然后利用磁控溅射法增厚涂层,较后再利用多弧镀达到较终稳定的表面涂层颜色的新方法。金华来料真空镀膜真空镀膜镀的薄膜与基体结合强度好,薄膜牢固。
电子束蒸发与热蒸发的区别在于:电子束蒸发是用一束电子轰击物体,产生高能量进行蒸发, 热蒸发通过加热完成这一过程。与热蒸发相比,电子束蒸发提供了高能量;但将薄膜的厚度控制在 5nm 量级将是困难的。在这种情况下,带有厚度监控器的良好热蒸发器将更合适。 与热蒸发相比,电子束蒸发具有许多优点 1、电子束蒸发可以将材料加热到比热蒸发更高的温度。这允许高温材料和难熔金属(例如钨、钽或石墨)的非常高的沉积速率和蒸发。 2、电子束蒸发可以沉积更薄、纯度更高的薄膜。坩埚的水冷将电子束加热严格限制在由源材料占据的区域,从而消除了相邻组件的任何不必要的污染。 3、电子束蒸发源有各种尺寸和配置,包括单腔或多腔。
常用的薄膜制备方式主要有两种,其中一种是物理法气相沉积(PVD),PVD的方法有磁控溅射镀膜、电子束蒸发镀膜、热阻蒸发等。另一种是化学法气相沉积(CVD),主要有常压CVD、LPCVD(低压沉积法)、PECVD(等离子体增强沉积法)等方法。真空镀膜的工艺流程:真空镀膜的工艺流程一般依次为:前处理及化学清洗(材料进行有机清洗和无机清洗)→衬底真空中烘烤加热→等离子体清洗→金属离子轰击→镀金属过渡层→镀膜(通入反应气体)。电子束蒸发是真空镀膜技术的一种。
PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子,就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激发的状态容易发生反应,以在衬底在300-350℃就可以得到良好的氧化硅或者氮化硅薄膜,可以在器件当中作为钝化绝缘层,来提高器件的可靠性。氧化硅薄膜主要用到的气体为硅烷和笑气,氮化硅薄膜主要用到的气体为氨气和硅烷。采用PECVD镀膜对器件有一定的要求,因为工艺温度比较高,所以器件需要耐高温,高温烘烤下不能变形。真空镀膜的功能是多方面的,这也决定了其应用场合非常丰富。小家电真空镀膜技术
真空镀膜技术四五十年代开始出现工业应用。小家电真空镀膜技术
真空镀膜:电子束蒸发可以蒸发高熔点材料,比起一般的电阻加热蒸发热效率高、束流密度大、蒸发速度快,制成的薄膜纯度高、质量好,厚度可以较准确地控制,可以普遍应用于制备高纯薄膜和导电玻璃等各种光学材料薄膜。电子束蒸发的特点是不会或很少覆盖在目标三维结构的两侧,通常只会沉积在目标表面。这是电子束蒸发和溅射的区别。常见于半导体科研工业领域。利用加速后的电子能量打击材料标靶,使材料标靶蒸发升腾。较终沉积到目标上。小家电真空镀膜技术
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