福州微纳加工平台

    微纳加工技术指尺度为亚毫米、微米和纳米量级元件以及由这些元件构成的部件或系统的优化设计、加工、组装、系统集成与应用技术，涉及领域广、多学科交叉融合，其主要的发展方向是微纳器件与系统（MEMS和NEMS）。微纳器件与系统是在集成电路制作上发展的系列技术，研制微型传感器、微型执行器等器件和系统，具有微型化、批量化、成本低的鲜明特点，对现活、生产产生了巨大的促进作用，并催生了一批新兴产业。广东省科学院半导体研究所微纳加工平台，面向半导体光电子器件、功率电子器件、MEMS、生物芯片等前沿领域，致力于打造的公益性、开放性、支撑性枢纽中心。平台拥有半导体制备工艺所需的整套仪器设备，建立了一条实验室研发线和一条中试线，加工尺寸覆盖2-6英寸（部分8英寸），同时形成了一支与硬件有机结合的专业人才队伍。平台当前紧抓技术创新和公共服务，面向国内外高校、科研院所以及企业提供开放共享，为技术咨询、创新研发、技术验证以及产品中试提供技术支持。 微纳加工技术指尺度为亚毫米、微米和纳米量级元件系统集成与应用技术。福州微纳加工平台

    光刻是半导体制造中常用的技术之一，是现代光电子器件制造的基础。实际应用中存在两个主要挑战：一是与FIB和EBL相比，分辨率还不够高；二是由于直接的激光写入器逐点生成图案，因此吞吐量是一个很大的挑战。对于上述两个挑战：分辨率方面，一是可以通过原子力显微镜（AFM）或扫描近场显微镜（SNOM）等近场技术来提高，二是可以通过使用短波长光源来提高，三是可以通过非线性吸收实现超分辨率成像或制造；制造速度方面，除了工程学方法外，随着激光技术的发展，主要是提出了包括自组装微球激光加工、激光干涉光刻、多焦阵列激光直写等并行激光加工方法来提高制造速度。并行激光加工技术可以将二维加工技术扩展到三维加工，为未来微纳加工技术的发展提供新的方向；同时可以地广泛应用于传感、太阳能电池和超材料领域的表面处理和功能器件制造，对生物医学器件制造、光通信、传感、以及光谱学等领域得发展研究具有重要意义。 福州微纳加工平台微纳制造技术属国际前沿技术，作为未来制造业赖以生存的基础和可持续发展的关键。

光刻是半导体制造中常用的技术之一，是现代光电子器件制造的基础。然而，深紫外和极紫外光刻系统及其相应的光学掩模都是基于低速高成本的电子束光刻（EBL）或者聚焦离子束刻蚀(FIB)技术，导致其价格都相对昂贵。因此，无掩模的高速制备法是微纳结构制备的优先方法。在这些无掩模方法中，直接激光写入(direct laser writing, DLW)是一种重要的、被广采用的微处理技术，能够提供比较低的价格和相对较高的吞吐量。但是，实际应用中存在两个主要挑战：一是与FIB和EBL相比，分辨率还不够高。

      刻蚀工艺：是在半导体工艺，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。刻蚀技术不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺，而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。刻蚀还可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。广东省科学院半导体研究所微纳加工平台，面向半导体光电子器件、功率电子器件、MEMS、生物芯片等前沿领域，致力于打造高质量档次的公益性、开放性、支撑性枢纽中心。平台拥有半导体制备工艺所需的整套仪器设备，建立了一条实验室研发线和一条中试线，加工尺寸覆盖2-6英寸（部分8英寸），同时形成了一支与硬件有机结合的专业人才队伍。平台当前紧抓技术创新和公共服务，面向国内外高校、科研院所以及企业提供开放共享，为技术咨询、创新研发、技术验证以及产品中试提供技术支持。微纳加工包括光刻、磁控溅射、电子束蒸镀、湿法腐蚀、干法腐蚀、表面形貌测量等。

   广东省科学院半导体研究所致力于推动微纳加工技术的研发与产业化，为欧洲的微纳产品制造商及设备供应商提供技术支撑，帮助他们在关键技术领域建立、维持全球地位。 广东省科学院半导体研究所发布的微纳加工技术前景展望总结了其战略研究议程(SRA)的要点，确定出微纳加工发展的新趋势，为维持和进一步增强欧洲工业在微纳加工技术领域中的地位，提供了未来投资和研发战略指导。从短期来看，微纳加工技术不会对环境和能源成本产生重大的影响。受到当前加工技术的限制，这些技术在早期的发晨阶段往往会有较高的能源成本。与此同时，微纳加工一旦成熟，将会消耗更少的能源与资源，就此而言，微纳加工无凝是一项令人振奋的技术。例如，与去除边角料获得终产品不同的是，微纳加工采用的积层法将会使得废料更少。机械微加工是微纳制造中较方便，也较接近传统材料加工方式的微成型技术！营口微纳加工器件封装

微纳制造技术研发和应用标志着人类可以在微、纳米尺度认识和改造世界！福州微纳加工平台

      光刻是微纳加工技术中关键的工艺步骤，光刻的工艺水平决定产品的制程水平和性能水平。光刻的原理是在基底表面覆盖一层具有高度光敏感性光刻胶，再用光线（一般是紫外光、深紫外光、极紫外光）透过光刻板照射在基底表面，被光线照射到的光刻胶会发生反应。此后用显影液洗去被照射/未被照射的光刻胶， 就实现了图形从光刻板到基底的转移。光刻胶分为正性光刻和负性光刻两种基本工艺，区别在于两者使用的光刻胶的类型不同。负性光刻使用的光刻胶在曝光后会因为交联而变得不可溶解，并会固化，不会被溶剂洗掉，从而该部分硅片不会在后续流程中被腐蚀掉，负性光刻光刻胶上的图形与掩模版上图形相反。福州微纳加工平台

广东省科学院半导体研究所坐落在长兴路363号，是一家专业的面向半导体光电子器件、功率电子器件、MEMS、生物芯片等前沿领域，致力于打造***的公益性、开放性、支撑性枢纽中心。平台拥有半导体制备工艺所需的整套仪器设备，建立了一条实验室研发线和一条中试线，加工尺寸覆盖2-6英寸（部分8英寸），同时形成了一支与硬件有机结合的专业人才队伍。平台当前紧抓技术创新和公共服务，面向国内外高校、科研院所以及企业提供开放共享，为技术咨询、创新研发、技术验证以及产品中试提供支持。公司。一批专业的技术团队，是实现企业战略目标的基础，是企业持续发展的动力。诚实、守信是对企业的经营要求，也是我们做人的基本准则。公司致力于打造***的微纳加工技术服务，真空镀膜技术服务，紫外光刻技术服务，材料刻蚀技术服务。一直以来公司坚持以客户为中心、微纳加工技术服务，真空镀膜技术服务，紫外光刻技术服务，材料刻蚀技术服务市场为导向，重信誉，保质量，想客户之所想，急用户之所急，全力以赴满足客户的一切需要。