南京小型可控硅

时间:2021年12月08日 来源:

    应用同样方法改测其他电极,直到找出三个电极为止。也可以测任两脚之间的正、反向电阻,若正、反向电阻均接近无穷大,则两极即为阳极A和阴极K,而另一脚即为门极G。普通晶闸管也可以根据其封装形式来判断出各电极。例如:螺栓形普通晶闸管的螺栓一端为阳极A,较细的引线端为门极G,较粗的引线端为阴极K。平板形普通晶闸管的引出线端为门极G,平面端为阳极A,另一端为阴极K。金属壳封装(T0—3)的普通晶闸管,其外壳为阳极A。塑封(T0—220)的普通晶闸管的中间引脚为阳极A,且多与自带散热片相连。图1为几种普通晶闸管的引脚排列。(2)判断其好坏:用万用表R×1kΩ档测量普通晶闸管阳极A与阴极K之间的正、反向电阻,正常时均应为无穷大(∞);若测得A、K之间的正、反向电阻值为零或阻值均较小,则说明晶闸管内部击穿短路或漏电。测量门极G与阴极K之间的正、反向电阻值,正常时应有类似二极管的正、反向电阻值(实际测量结果要较普通二极管的正、反向电阻值小一些),即正向电阻值较小(小于2kΩ),反向电阻值较**于80kΩ)。若两次测量的电阻值均很大或均很小,则说明该晶闸管G、K极之间开路或短路。若正、反电阻值均相等或接近,则说明该晶闸管已失效。整流器是一个整流装置,简单的说就是将交流(AC)转化为直流(DC)的装置。南京小型可控硅

    从而通过该电路来达到深入解析可控硅和设计实际运用电路的目的。1双向可控硅工作原理与特点从理论上来讲,双向可控硅可以说是有两个反向并列的单向可控硅组成,理解单向可控硅的工作原理是理解双向可控硅工作原理的基础[2-5]。单向可控硅也叫晶闸管,其组成结构图如图1-a所示,可以分割成四个硅区P、N、P、N和A、K、G三个接线极。把图一按图1-b所示切成两半,就很容易理解成如图1-c所示由一个PNP三极管和一个NPN三极管为主组成一个单向可控硅管。在图1-c的基础上接通电源控制电路如图2所示,当阳极-阴极(A-K)接上正向电压V后,只要栅极G接通触发电源Vg,三极管Q2就会正向导通,开通瞬间Q1只是类似于接在Q1集电极的一个负载与电源正极接通,随后Q1也在Q2的拉电流下导通,此时由于C被充电,即便断开G极的触发电源Vg,Q1和Q2在相互作用下仍能维持导通状态,只有当电源电压V变得相当小之后Q1和Q2才会再次截止。相比于单向可控硅,双向可控硅在原理上比较大的区别就是能双向导通,不再有阳极阴极之分,取而代之以T1和T2,其结构示意图如图3-a所示,如果不考虑G级的不同,把它分割成图3-b所示,可以看出相当于两个单向可控硅反向并联而成[1-2],如图3-c所示连接。南京小型可控硅整流器是把交流电转换成直流电的装置,可用于供电装置及侦测无线电信号等。

KY3型电力调整器采用了新设计的KY3-T6S控制板。KY3-T6S控制板是运用数字电路触发可控硅实现调压和调功。调压采用移相控制方式,调功有定周期调功和变周期调功两种方式。该控制板带有控制信号自由输入、同步电路、自动判别相位、缺相保护、上电缓起动、缓关断、散热器超温检测、恒流恒压输出、电流限制、短路保护、过流保护、负载断线检测、LED数码管显示、MODBUS通讯(硬件接口是RS485)、PROFIBUS通讯、以太网CAN通讯等功能。

该电力调整器可与带0~5V、0~10V或4~20mA等的智能PID调节器或PLC配套使用,也可**使用手动功能。KY3-T6S电力调整器的负载类型可以是三相阻性负载、感性负载及变压器负载;负载方式可以是星形中心接地负载、星形中心不接地负载、三角形负载。KY3可广泛应用于工业电炉的加热控制、冶金、化工、纺织机械、电解电镀等领域。

    1.判定栅极G将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大,并且交换表笔后仍为无穷大,则证明此脚为G极,因为它和另外两个管脚是绝缘的。2.判定源极S、漏极D由图1可见,在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极。3.测量漏-源通态电阻RDS(on)将G-S极短路,选择万用表的R×1档,黑表笔接S极,红表笔接D极,阻值应为几欧至十几欧。由于测试条件不同,测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=,大于(典型值)。4.检查跨导将万用表置于R×1k(或R×100)档,红表笔接S极,黑表笔接D极,手持螺丝刀去碰触栅极,表针应有明显偏转,偏转愈大,管子的跨导愈高。注意事项:(1)VMOS管亦分N沟道管与P沟道管,但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管,测量时应交换表笔的位置。(2)有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管,本检测方法中的1、2项不再适用。(3)目前市场上还有一种VMOS管功率模块。可控硅一个关键用途在于做为无触点开关。

    说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。检测较大功率可控硅时,需要在万用表黑笔中串接一节干电池,以提高触发电压。晶闸管(可控硅)的管脚判别晶闸管管脚的判别可用下述方法:先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值,阻值小的两脚分别为控制极和阴极,所剩的一脚为阳极。再将万用表置于R*10K挡,用手指捏住阳极和另一脚,且不让两脚接触,黑表笔接阳极,红表笔接剩下的一脚,如表针向右摆动,说明红表笔所接为阴极,不摆动则为控制极。各种晶闸管(可控硅)的检测方法1.单向晶闸管的检测(1)判别各电极:根据普通晶闸管的结构可知,其门极G与阴极K极之间为一个PN结,具有单向导电特性,而阳极A与门极之间有两个反极性串联的PN结。因此,通过用万用表的R×100或R×1kQ档测量普通晶闸管各引脚之间的电阻值,即能确定三个电极。具体方法是:将万用表黑表笔任接晶闸管某一极,红表笔依次去触碰另外两个电极。若测量结果有一次阻值为几千欧姆(kΩ),而另一次阻值为几百欧姆(Ω),则可判定黑表笔接的是门极G。在阻值为几百欧姆的测量中,红表笔接的是阴极K,而在阻值为几千欧姆的那次测量中,红表笔接的是阳极A,若两次测出的阻值均很大,则说明黑表笔接的不是门极G。普通可控硅**基本的用途就是可控整流。南京小型可控硅

调整器具有“自动限流”功能,负载电流大于额定值时,调压器输出电流被限制在额定值左右。南京小型可控硅

    也可以用图4中的测试电路测试普通晶闸管的触发能力。电路中,vT为被测晶闸管,HL为6.3V指示灯(手电筒中的小电珠),GB为6V电源(可使用4节1.5V干电池或6V稳压电源),S为按钮,R为限流电阻。当按钮S未接通时,晶闸管VT处于阻断状态,指示灯HL不亮(若此时HL亮,则是vT击穿或漏电损坏)。按动一下按钮S后(使S接通一下,为晶闸管VT的门极G提供触发电压),若指示灯HL一直点亮,则说明晶闸管的触发能力良好。若指示灯亮度偏低,则表明晶闸管性能不良、导通压降大(正常时导通压降应为1v左右)。若按钮S接通时,指示灯亮,而按钮S断开时,指示灯熄灭,则说明晶闸管已损坏,触发性能不良。2.双向晶闸管的检测(1)判别各电极:用万用表R×1或R×10档分别测量双向晶闸管三个引脚间的正、反向电阻值,若测得某一管脚与其他两脚均不通,则此脚便是主电极T2。找出T2极之后,剩下的两脚便是主电极Tl和门极G3。测量这两脚之间的正、反向电阻值,会测得两个均较小的电阻值。在电阻值较小(约几十欧姆)的一次测量中,黑表笔接的是主电极T1,红表笔接的是门极G。螺栓形双向晶闸管的螺栓一端为主电极T2,较细的引线端为门极G,较粗的引线端为主电极T1。金属封装(To—3)双向晶闸管的外壳为主电极T2。南京小型可控硅

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