南通功率可控硅

    固态继电器（过零触发电路）MOC3061实物图：电路如图3所示，图中MOC3061为光电耦合双向可控硅驱动器，也属于光电耦合器的一种，用来驱动双向可控硅BCR并且起到隔离的作用，R6为触发限流电阻，R7为BCR门极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。当单片机80C51的，MOC3061导通，触发BCR导通，接通交流负载。另外，若双向可控硅接感**流负载时，由于电源电压超前负载电流一个相位角，因此，当负载电流为零时，电源电压为反向电压，加上感性负载自感电动势el作用，使得双向可控硅承受的电压值远远超过电源电压。虽然双向可控硅反向导通，但容易击穿，故必须使双向可控硅能承受这种反向电压。一般在双向可控硅两极间并联一个RC阻容吸收电路，实现双向可控硅过电压保护，图3中的C2、R8为RC阻容吸收电路。样鉴别测试可控硅的好坏？鉴别可控硅三个极分别是什么？具体的方法和步骤如下：鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。在以大功率二极管或晶闸管为基础的两种基本类型的整流器中，电网的高压交流功率通过整流器变换为直流功率。南通功率可控硅

    选用具有温度补偿特性的2CW234系列硅稳压管作为基准源，并选择其稳定电压为6．4V。由特性较好的三端集成稳压器供电，限流电阻采用精密金属膜电阻R（温度系数约为±1×10－5／℃）。为了减小噪声的影响，将稳压管封装在盛油的小容器里，噪声指标将会有明显的改善。电压取样如图2所示。分别将调整管的集－射极电压经电阻分压，并将分压后的射极电压通过一电阻送入比较放大器反相端；在集电极电压的取样电路中串入一稳压管，由该管决定调整管压降大小。此处选3．3V。并将集电极电压减去稳压管稳压值后分压送入比较放大器的同相端。为保证取样精度，应使集－射极采样电阻完全对称，并选取温度特性较好、同一型号的精密金属膜电阻。比较放大器采用集成运放并接成负反馈。令R1＝R3，R2＝R4；设分压系数n＝R2／（R1＋R2）；集成运算放大器输出为Uo；放大系数为K；调整管集电极电压为UC；调整管发射极电压为UE；A点电压为UA；B点电压为UB；有：当调整管压降增大，UcE上升，使Uo增大，即触发器的控制电压Ub增大，而集成触发器KJ785是负极型的：控制电压增大，导通角减小。因此，触发脉冲后移，整流输出减小。可控硅整流担任***步的稳压工作。南通功率可控硅输出触发脉冲具有极高的对称性及稳定性，且不随环境温度变化，使用中不需要对脉冲对称度及限位进行调整。

    只要用万用表测出A极和G极即可。将万用表置于R×1kΩ档，两表笔任接被测晶闸管的某两个引脚(测其正、反向电阻值)，若测出某对引脚为低阻值时，则黑表笔接的阳极A，而红表笔接的是门极G，另外一个引脚即是阴极K。(2)判断其好坏：用万用表R×1kΩ档测量BTG晶闸管各电极之间的正、反向电阻值。正常时，阳极A与阴极K之间的正、反向电阻均为无穷大；阳极A与门极G之间的正向电阻值(指黑表笔接A极时)为几百欧姆至几千欧姆，反向电阻值为无穷大。若测得某两极之间的正、反向电阻值均很小，则说明该晶闸管已短路损坏。(3)触发能力检测：将万用表置于R×1Ω档，黑表笔接阳极A，红表笔接阴极K，测得阻值应为无穷大。然后用手指触摸门极G，给其加一个人体感应信号，若此时A、K极之间的电阻值由无穷大变为低阻值(数欧姆)，则说明晶闸管的触发能力良好。否则说明此晶闸管的性能不良。

    此时表内电压较高。当用手接触栅极Ｇ时，会发现管的反向电阻值有明显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大。二、.场效应管的使用注意事项（1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，比较大漏源电压、比较大栅源电压和比较大电流等参数的极限值。（2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是ＰＮ结，Ｎ沟道管栅极不能加正偏压；Ｐ沟道管栅极不能加负偏压，等等。（3）MOS场效应管由于输人阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放人塑料盒子内，保存时比较好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。（4）为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地；管脚在焊接时，先焊源极；在连入电路之前，管的全部引线端保持互相短接状态，焊接完后才把短接材料去掉；从元器件架上取下管时，应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等；当然，如果能采用先进的气热型电烙铁。 可控硅调整器能与国内外各种控制仪表、微机的输出信号直接接口。

    电力调整器编辑锁定电力调整器是应用晶闸管（又称可控硅）及其触发控制电路用于调整负载功率的盘装功率调整单元。更多的是运用数字电路触发可控硅实现调压和调功。调压采用移相控制方式，调功有定周期调功和变周期调功两种方式。中文名电力调整器方式定周期调功和变周期调功类别盘装功率调整单元特点主电路和控制电路一体化结构目录1电力调整器低谐波**2三相可控硅电力调整器3单相可控硅电力调整器电力调整器电力调整器低谐波**编辑1.采用比例式不产生谐波控制。2.应用于恒温恒湿加热系统需低谐波环境。3.本控制器之保护装置:1.来源电欠相。2.保险丝断线检知。3.本控制器散热片超温保护。4.异常输出接点，提供远程监控使用，接点容量240VAC/5A。4.本控制器具有CE国际安全认证之标准。5.具有，并提供异常输出接点，可做系统紧急控制之用。6.体积精巧、散热佳，内含半导体**快速保险丝，不怕负载短路。7.冷却风扇动作具有温度控制，’当散热片温度55oC时工作，45oC时停止，可提高风扇寿命2~3倍。8.本控制器散热片具超温保护装置及异常输出接点，接点容量240VAC/10A。常用的半导体整流器有硅整流器和硒整流器，产品规格很多，电压从几十伏到几千伏，电流从几安到几千安。南通功率可控硅

整流器是一个整流装置，简单的说就是将交流（AC）转化为直流（DC）的装置。南通功率可控硅

    控制交流电断电的器件主要有两种：继电器和双向可控硅题主说不用继电器，那么我们可以用双向可控硅了，继电器是通过触点的闭合和断开实现机械式的通断；双向可控硅是电子式的通断控制，不止可以实现高速的通断控制，还可以进行功率控制，比继电器更加灵活。双向可控硅怎么驱动控制220V交流电的通断？因为双向可控硅两个方向都是可以导通的，所以就不区分阳级和阴极了，把它叫它T1极和T2极。我们只要在它的G极注入正向电压就可以让它导通了当然我们需要设计一个驱动电路来驱动双向可控硅工作，为了更加安全，我们可以用光耦进行高低压隔离驱动。当DR为高电平时，Q2导通，U2会触发双向可控硅Q1导通，使马达工作。双向可控硅怎么驱动控制220V交流器件的功率？我们平常使用的是正弦波形的交流电只要我们想办法控制双向可控压的导通时间，就可以实现功率控制了，比如正半周的时候1/4T~1/2T导通，负半周的时候3/4T~T的时候导通。这样是不是只剩下一半的功率了？如果想通过双向可控硅来实现功率控制，比如马达转速，灯光亮度，加热功率等的控制，还需要用到过零检测电路。检测到零点后，根据功率要求，让双向可控硅延时导通就可以了。南通功率可控硅

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