上海散热可控硅

    *运行地点无导电及性尘埃，无腐蚀金属及破坏绝缘的气体或蒸汽。*无剧烈震动和冲击。■安装使用须知:*使用前认真阅读本说明书，严格按要求接线使用。*接线时要严格保持主电路电源RST与触发板电源、控制信号相位一致。*主电路与控制电路配线时务必不要束在一起。*要避免环境温度超过75℃，盘内温度超过75℃时，请充分考虑盘内通风问题。*安装时建议各方均留出20mm的空间。*请采用，电压电流反馈及电位器连接导线请分别用绞和线连接。*关于可控硅输出电压、电流的测量请使用测量非正弦量“有效值”的仪表。如：电磁式（动铁式）或电动势电压表、电流表。■技术规格:输入额定电压3ΦAC380V±15%,50Hz控制电源≤20VA输出额定电压输入电压的0～95%负载特性电阻性负载、电感性负载、变压器一次侧主要控制特性控制信号0．DC4～20mA输入阻抗100Ω1．DC0～10mA输入阻抗100Ω2．DC0～5V输入阻抗>20KΩ3．DC0～10V输入阻抗>20KΩ4．其它信号（用户订货时提出）软起动时间1～10s，出厂时整定在2s故障报警LED显示，报警触点：AC250V/3A，阻性(故障时闭合)斜率设定范围0～***下点设定范围0～***保护断相保护输入电源断相时保护过流保护输出电流≥。通常把电流容量在1安以下的器件称为整流二极管，1安以上的称为整流器。上海散热可控硅

    ?调节输出分辨率：调相°；?移相范围：0～180°；?驱动输出：宽度脉冲：8°~120°触发可控硅模块：驱动电流800mA?手动方式：外接10KΩ电位器调整?软启动软关断时间：相角控制时，VR2电位器调整。调整范围?电压限制：板内P1电位器或外接10KΩ电位器调整。调整范围0~***?电流限制：内置电流变换器，板内VR4电位器调整。调整范围20%~***?过流报警：内置电流变换器，板内VR9电位器调整。调整范围10%~200%?散热器超温保护:75℃温度开关，常闭接点动作时间：<10ms?起动/停止开关:外接开关?恒压控制：电源电压波动±15%，负载阻抗变化10倍时，负荷电压保持恒定，输出电压与控制信号成线性关系?恒流控制：电源电压波动±15%，负载阻抗变化10倍时，负荷电流保持恒定，输出电流与控制信号成线性关系?工作环境:温度范围：-30~+60℃湿度范围：90%RH比较大无结露海拔高度2000m以下三相晶闸管闭环技术可控硅调压器是移相触发型的晶闸管电力控制器。触发板具有过流、缺相、相序、晶闸管过热等多种保护功能；可***应用于工业各领域的电压、电流、功率的调节，适用于电阻性负载、电感性负载、变压器一次侧等。上海散热可控硅输出触发脉冲具有极高的对称性及稳定性，且不随环境温度变化，使用中不需要对脉冲对称度及限位进行调整。

    其输出电压的变化是由导通角的变化来决定的。相位控制部分正是根据调整管压降的变化来改变可控硅导通角，进而改变整流滤波电路输出电压，将调整管压降维持在3V左右。该稳压电源中，采用KJ785晶闸管移相触发电路。因为作为一种电源产品，应力求在实现同样功能的前提下，器件性能好，电路简单，实现容易。该触发电路可以输出两路相差180度的触发脉冲，可在0～180度范围移相，可用于控制单相、双向晶闸管和晶体管。KJ785由同步检测寄存电路，基准电源，锯齿波形成电路，移相电压和锯齿波综合比较电路与逻辑控制功率放大等部分组成。锯齿波斜率决定于9脚外接电阻和10脚外接电容。脉冲宽度由脚外接电容决定，不接该电容时，脉冲宽度由内接电容决定，约为30μs。KJ785只需单电源工作，触发电路为负极性，即移相电压增加，导通角减小。同步电压从5脚输入，可以直接取自电网电压，降压限流电阻取电网电压×103Ω，也可采用同步变压器隔离输入。7，6脚可提供脉冲列和脉冲***的控制端。各管脚功能如表1所示。由于该稳压电源是大功率电源，有发热量较大的变压器、整流二极管、可控硅、集成稳压器等，更主要的是，调整管是大功率晶体管，发热较大。因此该稳压电源中，采用风扇送风。

    固态继电器（过零触发电路）MOC3061实物图：电路如图3所示，图中MOC3061为光电耦合双向可控硅驱动器，也属于光电耦合器的一种，用来驱动双向可控硅BCR并且起到隔离的作用，R6为触发限流电阻，R7为BCR门极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。当单片机80C51的，MOC3061导通，触发BCR导通，接通交流负载。另外，若双向可控硅接感**流负载时，由于电源电压超前负载电流一个相位角，因此，当负载电流为零时，电源电压为反向电压，加上感性负载自感电动势el作用，使得双向可控硅承受的电压值远远超过电源电压。虽然双向可控硅反向导通，但容易击穿，故必须使双向可控硅能承受这种反向电压。一般在双向可控硅两极间并联一个RC阻容吸收电路，实现双向可控硅过电压保护，图3中的C2、R8为RC阻容吸收电路。样鉴别测试可控硅的好坏？鉴别可控硅三个极分别是什么？具体的方法和步骤如下：鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。半导体PN结在正向偏置时电流很大，反向偏置时电流很小。

    当T1与T2之间接通电源后，给G极正向触发信号（相对于T1、T2所接电源负极而言），其工作原理如前面单向可控硅完全相同。当G极接负触发信号时，其工作过原理如图4所示，此时Q3的基极B和发射极E处于正偏电压而致使Q3导通，继而Q1导通给电容C充电后致Q2导通并保持导通状态。双向可控硅的英文简称TRIC是英文TriadACsemiconductorswitch的缩写，其意思是三端交流半导体开关，目前主要用于对交流电源的控制，主要特点表现在能在四个象限来使可控硅触发导通和保持导通，直到所接电源撤出或反向[6][7]。***象限是T2接电源V的正极T1接电源V的负极，G触发信号Vg的正。第二象限是T2接电源V的正极T1接电源V的负极，G触发信号Vg的负。第三、四象限是T1接电源V的正极T2接电源V的负极，G触发信号分别接Vg的正、负极。2类双向可控硅电路设计在理解了前面所述双向可控硅的内部结构和工作原理之后，依据其内部结构采用我们熟悉的晶体管来设计一种类似有双向可控硅工作的双向可触发电路。如图5所示，电路采用用7个三极管和几个电阻组成。把图5电路中PN结的结构按图6所示结构图描出，与图3-a、b比较很是相似。在图5所示电路中，内部电流在外界所接电源的极性不同而有两种流向。整流器常用的冷却方式有自然冷却、纯风扇冷却、自然冷却和风扇冷却相结合三种。上海散热可控硅

在备用UPS中只需要给蓄电池充电，不需要给负载供电，故只有充电机。上海散热可控硅

    此时表内电压较高。当用手接触栅极Ｇ时，会发现管的反向电阻值有明显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大。二、.场效应管的使用注意事项（1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，比较大漏源电压、比较大栅源电压和比较大电流等参数的极限值。（2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是ＰＮ结，Ｎ沟道管栅极不能加正偏压；Ｐ沟道管栅极不能加负偏压，等等。（3）MOS场效应管由于输人阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放人塑料盒子内，保存时比较好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。（4）为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地；管脚在焊接时，先焊源极；在连入电路之前，管的全部引线端保持互相短接状态，焊接完后才把短接材料去掉；从元器件架上取下管时，应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等；当然，如果能采用先进的气热型电烙铁。上海散热可控硅

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