旋转可控硅价位

    如It12和It21所示，It12流向是从P2流入经N2-P1-N1流出，It21从P1流入经N2-P2-N32流出；G极触发电流Ig+由P2流入或Ig-从N31流出。下面是所设计电路在四个象限的触发导通工作过程。T2接电源Vt21正极，T1接通电源Vt21负此时当G极接Vg+为正电压，Q4、Q5、Q6、Q7处于反向截止，Q1的B极和E极之间无正偏压也处于截止状态，Vg+由P2输入后经R3使Q2的B极和E极之间产生正偏电压而导通，从而促使Q3导通，这时即使撤出Vg+，在电容C1的的作用下，Q2、Q3也仍然能处于导通状态，只有当Vt21先反向或撤除才重回截止。当G极接Vg为负，Q4、Q5、Q6、Q7同样处于反向截止状态，Q1的B极和E极之间因Vg产生正偏电压而导通，从而使Q3、Q2导通并得以保持导通状态。T1接电源Vt12正极，T2接通负电源Vt12的负极此时G极接Vg为正，Q1因B极和E极之间处于反向偏压而截止，Q3处于反向截止，Q2因B极和E极之间处于正向偏压导通而导致Q4、Q7的导通，从而Q6、Q7导通并保持导通状态，只有当Vt12先反向或撤除才重回截止。当G极接Vg为负，Q1、Q2、Q3和Q4处于反向截止，Q5的B极和E极之间因Vg而处于正偏导通，从而使Q6导通，继而Q7、Q6导通并得以保持导通状态。3电路制作与实验验证为了验证所设计电路。调整器具有多种控制信号选择。旋转可控硅价位

    控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG1基极的电流已不只是初始的Ib1，而是经过BG1、BG2放大后的电流（β1*β2*Ib1）这一电流远大于Ib1，足以保持BG1的持续导通。此时触发信号即使消失，可控硅仍保持导通状态只有断开电源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集电极电流小于维持导通的最小值时，可控硅方可关断。当然，如果Ea极性反接，BG1、BG2由于受到反向电压作用将处于截止状态。这时，即使输入触发信号，可控硅也不能工作。反过来，Ea接成正向，而触动发信号是负的，可控硅也不能导通。另外，如果不加触发信号，而正向阳极电压大到超过一定值时，可控硅也会导通。旋转可控硅价位以镍铬、铁铬铝、远红外发热元件及硅钼棒、硅碳棒等为加热元件的温度控制。

    焊接场效应管是比较方便的，并且确保安全；在未关断电源时，***不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用场效应管时必须注意。（5）在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时，应当大于根部尺寸５毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等。对于功率型场效应管，要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过额定值，使器件长期稳定可靠地工作。总之，确保场效应管安全使用，要注意的事项是多种多样，采取的安全措施也是各种各样，广大的专业技术人员，特别是广大的电子爱好者，都要根据自己的实际情况出发，采取切实可行的办法，安全有效地用好场效应管。三.VMOS场效应管VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高.效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（μA左右），还具有耐压高（比较高1200V）、工作电流大（～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。

    采用比较常用的NPN三级管S8050和PNP三极管S8550来设计制作实际的测试电路板(PCB)，如图5所示。图6中所标识的T2、T1和G与图5所示的相同，也类似于双向可控硅的T2、T1和G三个接线极。利用该模块电路串入负载接通正或负的直流电源和触发信号来测试，所得结果如图7所示，在正或负触发信号接入前电流表上的指示为0，当正或负触发信号接通并撤离后电流表指示依然保持原来的电流值。该实验表明该电路在正负电源供电情况下能双向触发导通。该模块电路在接通交流电源和脉冲控制信号时，其测验结果如图8所示。示波器探针1接触发信号，探针2接模块电路的两端T1-T2之间的电压。在触发信号为0是，T1-T2之间的电压等于电源电压值，表明该电路没有导通，当触发信号脉冲到来时，T1-T2两端的电压值为0，表明模块电路已经导通。4结束语在详细解读了双向可控硅的内部结构和工作原理的基础之上，设计了一款以7个三极管为主要元器件和电阻电容可以被双向触发的控制电路。利用常用的对管S8050和S8550制作出实验电路验证了该电路的正确性。在今后具体运用过程中可以通过对此电路的相关器件做适当调整来满足具体的需求和设计要求。同时。可控硅触发板是通过调整可控硅的导通角来实现电气设备的电压电流功率调整的一种移相型的电力控制器。

    选用具有温度补偿特性的2CW234系列硅稳压管作为基准源，并选择其稳定电压为6．4V。由特性较好的三端集成稳压器供电，限流电阻采用精密金属膜电阻R（温度系数约为±1×10－5／℃）。为了减小噪声的影响，将稳压管封装在盛油的小容器里，噪声指标将会有明显的改善。电压取样如图2所示。分别将调整管的集－射极电压经电阻分压，并将分压后的射极电压通过一电阻送入比较放大器反相端；在集电极电压的取样电路中串入一稳压管，由该管决定调整管压降大小。此处选3．3V。并将集电极电压减去稳压管稳压值后分压送入比较放大器的同相端。为保证取样精度，应使集－射极采样电阻完全对称，并选取温度特性较好、同一型号的精密金属膜电阻。比较放大器采用集成运放并接成负反馈。令R1＝R3，R2＝R4；设分压系数n＝R2／（R1＋R2）；集成运算放大器输出为Uo；放大系数为K；调整管集电极电压为UC；调整管发射极电压为UE；A点电压为UA；B点电压为UB；有：当调整管压降增大，UcE上升，使Uo增大，即触发器的控制电压Ub增大，而集成触发器KJ785是负极型的：控制电压增大，导通角减小。因此，触发脉冲后移，整流输出减小。可控硅整流担任***步的稳压工作。调整器主电路和控制电路一体化结构，体积小，重量轻，使用、维护十分方便。旋转可控硅价位

可控硅触发板用于同步机励磁控制、汽轮发电机机励磁控制等。旋转可控硅价位

    也可以用图4中的测试电路测试普通晶闸管的触发能力。电路中，vT为被测晶闸管，HL为6．3V指示灯(手电筒中的小电珠)，GB为6V电源(可使用4节1．5V干电池或6V稳压电源)，S为按钮，R为限流电阻。当按钮S未接通时，晶闸管VT处于阻断状态，指示灯HL不亮(若此时HL亮，则是vT击穿或漏电损坏)。按动一下按钮S后(使S接通一下，为晶闸管VT的门极G提供触发电压)，若指示灯HL一直点亮，则说明晶闸管的触发能力良好。若指示灯亮度偏低，则表明晶闸管性能不良、导通压降大(正常时导通压降应为1v左右)。若按钮S接通时，指示灯亮，而按钮S断开时，指示灯熄灭，则说明晶闸管已损坏，触发性能不良。2．双向晶闸管的检测(1)判别各电极：用万用表R×1或R×10档分别测量双向晶闸管三个引脚间的正、反向电阻值，若测得某一管脚与其他两脚均不通，则此脚便是主电极T2。找出T2极之后，剩下的两脚便是主电极Tl和门极G3。测量这两脚之间的正、反向电阻值，会测得两个均较小的电阻值。在电阻值较小(约几十欧姆)的一次测量中，黑表笔接的是主电极T1，红表笔接的是门极G。螺栓形双向晶闸管的螺栓一端为主电极T2，较细的引线端为门极G，较粗的引线端为主电极T1。金属封装(To—3)双向晶闸管的外壳为主电极T2。旋转可控硅价位

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