XB5350D0电源管理IC拓微电子

时间:2024年01月11日 来源:

XA9107 是一款 1.0uA 电源电流和快速响应低压差稳压器,专为需要低静态电流、低压差电压和高电源纹波抑制的应用而设计。保证提供300mA的输出电流,并支持预设输出电压版本范围包括1.1V、1.2V、1.3V、1.5V、1.7V、1.8V、1.9V、2.0V、2.3V、2.5V、2.6V、2.7电压、2.8V、2.9V、3.0V、3.3V、3.6V。XA9107 具有针对温度、负载和线路变化的精确 ±2% 输出调节能力,并且XA9107 还集成了许多功能。热关断和过流限制功能可保护器件免受热过载和电流过载的影响。基于其低静态电流消耗和低于 0.1uA(典型值)的关断模式电流,此外,高电源抑制比使该器件能够很好地适应电池操作系统中通常遇到的低输入电压。使用小型陶瓷电容器(典型值为 1.0uF),稳压器即可保持稳定。适用范围:适用于标称电压3.7V,充满电压4.2V的锂电池。2组电池的容量/内阻越接近越好。XB5350D0电源管理IC拓微电子

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赛芯微XBL6015-SM二合一锂电保护,集成MOS,支持船运模式,关机电流低至1nA。 XB6015-SM的特点: 1.低功耗,工作电流0.4uA,关机电流1nA; 2.更贴近应用的保护电流,充电过流300mA,放电过流150mA,短路电路450mA; 3.高集成度,集成MOS,支持船运模式,集成虚焊保护功能; 4.高可靠性,支持充电器反接功能,支持带负载电芯防反接功能,ESD 8KV; 5.更好的匹配性,锂电保护无管压降,可以支持不同类型的充电芯片; 6.系列化,支持4.2-4.5V的电芯平台。XB4155J2S电源管理IC上海如韵镍氢镍锌电池充电管理。

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DC/DC转换器在高效率地转换能量方面属于有效的电源,但因为线圈必须具有磁饱和特性和防止烧毁的特性,使得实现超薄化较为困难。一般情况下只得在成平面形状的电路板上安装IC、线圈及电容,这种解决方案不利于产品的小型化。 为了解决以上的问题,进行了以下几种思考和设计。首先是在硅晶圆上形成线圈的方法,为了确保作为DC/DC转换器时具有足够的电感值,半导体工艺变得极为复杂,使得成本上升。实际上只停留在高频滤波器方面的应用。其次是把线圈和DC/DC转换器IC封入一个塑料模压封装组件中的方法,因为只是单纯地装入元器件缩小不了太多的安装面积,不能带来大程度的改善。 进而出现了不是平面地放置各种元器件,而是把包括IC的元器件叠在一起的设计方案,实际上也出现的几种这样的产品。但是这种方案要么需要在线圈上印制布线用的图案,要么需要CSP(芯片尺寸级封装)型IC,要么在封装IC时必须实施模压工程,使得制作工程复杂,带来了产生成本上升的课题。

同步 异步 指的是芯片的整流方式!一般情况下同步使用MOS整流 异步使用二极管,由于MOS导通电阻和压降比较低 因此可以提供高效率。 所谓同步模式是指可以用外部周期信号控制DC-DC振荡频率的工作方式,该方式可以减少电源对数字电路的干扰。主要看续流元件是二极管还是MOS。同步整流是采用通态电阻极低的功率MOSFET来取代整流二极管,因此能降低整流器的损耗,提高DC/DC变换器的效率,满足低压、大电流整流的需要。所谓同步模式是指可以用外部周期信号控制DC-DC振荡频率的工作方式,该方式可以减少电源对数字电路的干扰。主要看续流元件是二极管还是MOS。同步整流是采用通态电阻极低的功率MOSFET来取代整流二极管,因此能降低整流器的损耗,提高DC/DC变换器的效率,满足低压、大电流整流的需要。XySemi 锂电保护板生产操作注意事项2。

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锂电池PACK设计过程中锂电池保护IC是保护芯片的,首先取样电池电压,然后通过判断发出各种指令。MOS管:它主要起开关作用 2、保护芯片正常工作:保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态,电池接上保护芯片后,必须先触发MOS管,P+与P-端才有输出电压,触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。 3、保护芯片过充保护:在P+与P-上接上一高于电池电压的电源,电源的正极接B+、电源的负极接B-,接好电源后,电池开始充电,电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发,流经电池、D1、MOS2到电源负极(这时MOS1被D1短路),IC通过电容来取样电池电压的值,当电池电压达到4.25v时,IC发出指令,使引脚CO为低电平,这时电流从电源正极出发,流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平,MOS2关断,整个回路被关断,电路起到保护作用。 赛芯微一级代理商、锂电池保护IC。XB5358K电源管理ICLED线性驱动芯片手电筒驱动

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ESD( Electrostatic Discharge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-body Model)、机器放电模式 (MM:Machine Model)、元件充电模式(CDM:Charge-Device Model)、电场感应模式(FIM:Field-Induced Model),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD; 芯片级ESD:HBM 大于2KV,较高的是8KV。 系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气是15KV,接触是8KV。XB5350D0电源管理IC拓微电子

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