XR3403电源管理IC芯纳科技

4、保护芯片过放保护：在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，(这时MOS2被D2短路)；当电池放电到2.5 v时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。 5、过流保护：在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，(这时MOS2被D2短路)；当负载突然减小，IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。 6、短路保护：在P+与P-上接上空负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，(这时MOS2被D2短路)； IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。充电管理、放电保护芯片，电源正负极反接保护，电池极反接保护，兼容大小3mA-1000mA充电电流。XR3403电源管理IC芯纳科技

保护芯片正常工作：保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态，磷酸铁锂电池接上保护芯片后，必须先触发MOS管，P+与P-端才有输出电压，触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。 3、保护芯片过充保护：在P+与P-上接上一高于电池电压的电源，电源的正极接B+、电源的负极接B-，接好电源后，电池开始充电，电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发，流经电池、D1、MOS2到电源负极，IC通过电容来取样电池电压的值，当电池电压达到4.25v时，IC发出指令，使引脚CO为低电平，这时电流从电源正极出发，流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平，MOS2关断，整个回路被关断，电路起到保护作用。 4、保护芯片过放保护：在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，（这时MOS2被D2短路）；当电池放电到2.5v时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。XS5306电源管理IC拓微电子低压差线性稳压器、40V耐压、高PSRR,LDO。

5号（AA）7号（AAA）电池也就是我们常用的电池，以南孚，金霸王，555等品牌被大家熟知。市场上主要以碱性电池为主，输入的电压是1.5V。其主要特点就是方便快捷以及价格低廉。其缺点也是非常明显：碱性电池是一次性电池，因其化学特性使用后易被丢弃后对土壤的污染是非常严重；另外长时间放置容易因受潮或者氧化原因造成化学原料漏液造成对电子产品的化学损坏，轻则氧化电池触点无法使用（可简单修复），重则直接损坏电子产品致报废或者短路引起起火都有可能。XS5502 XS5301 XS5306 XS5802

2sA1、3PB3、3PC3、N802BT、3R0H18、0K18、XB6706U0z、XB6706U1F、XB6706U1m、XB6706U3P、XB6706U3R、6096J9X、6096J9c、6096J9j、6096J9j、6096J9r、6096J9m、6096J9o、6096J9r、6096J9t、XS5309C3a、3m1FAB、3e1EAB、2m1EAB、2e1EAB、2m1EAB、2V1EAE、2L1EAE、3T1FAA、2Z1EA、L3e1EA、B9u27、2n2DV、2f1Da、2g1Da、2g2Da、2g3Da、2g4Da、2g5Da、2g7Da、2rA1、2sA1、3fAF、3mBF、0H18、0K18、3KAOC、XS5309C3a、XBaaA3n1、AL313、5891A3L1、3A6B5、3HAPB、3P1Ha线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET，减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。

Xysemi设计团队成员都有多年美国模拟电路设计公司的工作经验,曾设计出多款电源管理类产品。 “电池保护系列产品”是Xysemi的产品系列，产品涵盖从几毫安时的小容量电池到几万毫安时的超大容量电池.该系列产品在性能参数，方案面积上与传统方案相比具有颠覆性的优势，本公司在“电池保护系列”产品上拥有大量的国内和国际专利。 Xysemi现有的主导产品系列包括“电池保护系列产品”,“SOC系列产品”,DC-DC 降压系列,DC-DC 升压系列 以及屏背光系列等.适用范围：适用于标称电压3.7V，充满电压4.2V的锂电池。2组电池的容量/内阻越接近越好!XB6060M2S电源管理IC二合一锂电保护

在输入端的NTC热敏电阻，是靠充电器的输入电流来加热，降低电阻。XR3403电源管理IC芯纳科技

CN5815是一款固定频率电流模式PWM控制器，用于升压型高亮度LED驱动。CN5815输入电压范围为4.5V到32V，驱动外部N沟道场效应晶体管(MOSFET)，LED电流通过外部电流检测电阻设置。 CN5815内部集成有基准电压源单元，误差放大器，330KHz振荡器，斜坡补偿发生器，电流模式PWM控制单元，电感过流保护电路，LED亮度调整单元，芯片关断单元，软启动电路和栅极驱动电路等模块。 CN5815采用电流模式PWM控制，改善了瞬态响应特性，简化了频率补偿网络。内置的软启动电路有效降低了上电时的浪涌电流。 其它功能包括芯片关断功能，过压保护，LED亮度调整，内置5V电压调制器和斜坡补偿等。 CN5815采用10管脚SSOP封装。XR3403电源管理IC芯纳科技