XB3306IR电源管理IC两串两节保护

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锂电保护的选型：电池充满电压 + 充、放电电流（不同于分离式锂电保护） 辅助信息：电池容量，产品应用 。 电池安全，首先要有保护，再有选型要正确锂电保护在保护电池安全上是二次保护，如：过充保护时，一级保护是充电管理，过放保护的一级保护是主芯片等。所以在选型时，要考虑到锂电保护是二次保护的特性，锂电保护的过充电压要高于充电管理的过充电压的值（不能有重合区间），锂电保护的过放电压要低于主芯片的过放电压的值等。锂电保护的选型：电池充满电压 + 充、放电电流（不同于分离式锂电保护）XB6030J2S-SM电源管理IC磷酸铁锂充电管理XySemi 锂电保护板生产操作注意事项1。

可用太阳能电池供电的锂电池充电管理芯片CN3063  CN3063是可以用太阳能电池供电的单节锂电池充电管理芯片。该器件内部包括功率晶体管，应用时不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。内部的8位模拟-数字转换电路，能够根据输入电压源的电流输出能力自动调整充电电流，用户不需要考虑坏情况，可大限度地利用输入电压源的电流输出能力，非常适合利用太阳能电池等电流输出能力有限的电压源供电的锂电池充电应用。CN3063只需要极少的元器件，并且符合USB 总线技术规范，非常适合于便携式应用的领域。热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较高的时候将芯片温度控制在安全范围内。内部固定的恒压充电电压为4.2V，也可以通过一个外部的电阻调节。充电电流通过一个外部电阻设置。当输入电压掉电时，CN3063自动进入低功耗的睡眠模式，此时电池的电流消耗小3微安。其它功能包括输入电压过低锁存，自动再充电，电池温度监控以及充电状态/充电结束状态指示等功能。

ESD（ Electrostatic Discharge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-body Model）、机器放电模式 （MM：Machine Model）、元件充电模式（CDM：Charge-Device Model）、电场感应模式（FIM：Field-Induced Model），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD； 芯片级ESD：HBM 大于2KV，较高的是8KV。 系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。锂电保护（带船运，XBL6015-SM,DFN1*1）。

锂电池充电管理XA4246：丝印：2YL6、2YL4、2YL2、2YLA、H1JC、UN8HX、54B4、S9VH、1IEK、19jH、IJH55、B701、6QK103、XA4054可替代XA4055丝印：55B0、55B1、55B2、55B3、55B4、55B5、55B6、55B7、55B8、55B9、55Ba、55Bb、XA4058；丝印：58B0、58B1、58B2、58B3、58B4、58B5、58B6、58B7、58B8、58B9、588Ba、58Bb、XA4057；丝印：57B0、57B1、57B2、57B3、57B4、57B5、57B6、57B7、57B8、57B9、57Ba、57Bb、XA4059；丝印：59B0、59B1、59B2、59B3、59B4、59B5、59B6、59B7、59B8、59B9、59Ba、59Bb、XA4017：丝印:017K、017G、57b9、57Ba、017t、HXNNH、017e、XA5056丝印：5056 、XA4217丝印：HXN-WLXF5131是赛芯推出的一款集成充电管理、锂电池保护、低功耗二合一芯片。XB8702I电源管理ICNTC充电管理

锂电转干电池充放电管理芯片。XB3306IR电源管理IC两串两节保护

同步 异步 指的是芯片的整流方式！一般情况下同步使用MOS整流 异步使用二极管，由于MOS导通电阻和压降比较低 因此可以提供高效率。 所谓同步模式是指可以用外部周期信号控制DC-DC振荡频率的工作方式，该方式可以减少电源对数字电路的干扰。主要看续流元件是二极管还是MOS。同步整流是采用通态电阻极低的功率MOSFET来取代整流二极管，因此能降低整流器的损耗，提高DC／DC变换器的效率，满足低压、大电流整流的需要。所谓同步模式是指可以用外部周期信号控制DC-DC振荡频率的工作方式，该方式可以减少电源对数字电路的干扰。主要看续流元件是二极管还是MOS。同步整流是采用通态电阻极低的功率MOSFET来取代整流二极管，因此能降低整流器的损耗，提高DC／DC变换器的效率，满足低压、大电流整流的需要。XB3306IR电源管理IC两串两节保护