XC5015

时间:2024年04月28日 来源:

型号:XA2320B关键字:无电感升压2节AA电池升压为3.3V白光LED驱动器印字:N1IF功能概述:该XA2320B是一款低噪声,恒定频率(1.2MHz的)开关电容电压倍增器。它产生一个稳定的输出电压从一个1.8V至5V的输入高达150mA的输出电流。低外部元件数(一个飞电容器和两个小型旁路在VIN和VOUT)电容使XA2320B非常适合小电池供电的应用。一种新的电荷泵架构保持恒定开关频率至零负荷,降低了输出和输入纹波。该并且可以从生存连续短路VOUT到GND。内置软启动电路防止在浪涌电流过大启动。高开关频率允许使用小型的陶瓷电容器。低电流关机功能断开负载从VIN和静态电流降低到<1uA的。该XA2320B可在6引脚SOT23-6应用2节AA电池为3.3V的USBOn-The-Go的设备白光LED驱动器手持设备按进入小电流模式,双击关闭输出。XC5015

XC5015,电源管理IC

在使用电源管理IC时,还需要注意以下几点:选择适合的电源管理IC:不同的电子设备对电源管理IC的需求不同,因此在选择电源管理IC时需要考虑设备的功耗、电压要求和其他特殊需求。确保选择适合的电源管理IC可以提高设备的性能和可靠性。正确连接和布局:电源管理IC通常需要与其他电子元件连接,因此在连接时需要确保正确的引脚连接和电路布局。不正确的连接和布局可能导致电源管理IC无法正常工作或引起其他问题。

通过合理使用电源管理IC,可以提高设备的性能和可靠性,延长设备的使用寿命。 XC5015采样需采用π型滤波电路,滤波电容需靠近 IC。

XC5015,电源管理IC

4、保护芯片过放保护:在P+与P-上接上一合适的负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路);当电池放电到2.5 v时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。 5、过流保护:在P+与P-上接上一合适的负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路);当负载突然减小,IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。 6、短路保护:在P+与P-上接上空负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路); IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。

成组的磷酸铁锂电池串联充电时,应保证每节电池均衡充电,否则使用过程中会影响整组电池的性能和寿命。而现有的单节锂电池保护芯片均不含均衡充电控制功能,多节锂电池保护芯片均衡充电控制功能需要外接CPU;通过和保护芯片的串行通讯来实现,加大了保护电路的复杂程度和设计难度、降低了系统的效率和可靠性、增加了功耗。 磷酸铁锂电池还是需要保护板的,成组锂电池串联充电时,应保证每节电池均衡充电,否则使用过程中会影响整组电池的性能和寿命。基于磷酸铁锂电池组均衡充电保护板的设计方案,常用的均衡充电技术包括恒定分流电阻均衡充电、通断分流电阻均衡充电、平均电池电压均衡充电、开关电容均衡充电、降压型变换器均衡充电、电感均衡充电等。单节至四节镍氢电池进行充电管理。该器件内部包括功率晶体管,不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。

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DS6036B自动检测手机插入,手机插入后即刻从待机状态唤醒,开启升压给手机充电,省去按键操作,可支持无按键模具方案。DS6036B通过内部ADC模块采样每个端口的输出电流,当单个口的输出电流小于约80mA(MOSRds_ON@15mΩ)且持续15s时,会将该输出口关闭。当输出总功率小于约350mW且持续为所有输出口手机已经充满或者拔出,会自动关闭升降压输出。DS6036B内置电量计功能,可准确实现电池电量计算。DS6036B支持3线5灯、支持188数码管显示电量,支持设置电池的初始化容量,利用电池端电流和时间的积分来管理电池的剩余容量。当电池端电流检测 CSP1 和 CSN1 引脚采用 5mΩ 检测电阻时,可以准确显示当前电池的容量。同时 DS6036B 支持电量从0%到 100%一次不间断的充电过程自动校准当前电池的总容量,更新显示百分比,更合理地管理电池的实际容量。放电过程中,DS2730 实时监测输入/输出电压,并和预设的阈值电压比较。XB7608GF电源管理IC拓微电子

DS2730 集成了微处理器、双路降压变换器、快充协议控制器。XC5015

XA2361系列产品需要四个元器就可完成底电压的升压,并且可使用可外扩MOS型,使输出电流达到更大值。SOT23-5封装置EN使能端,可控制变换器的工作状态,可使它处于关断省电状态,功耗降。启动电压:0.8V(1mA)l元件极少l可外加N沟MOS扩流至1A以上。l*率:87%l低纹波,低噪声。丝印:E30H E30A E30B E33H E33B E33K 7AJA E33G 7A1L E33D  E36L DGHG DGHG 7KFG  7KFD E50H E50A E50G  b6w 70JC DHJB D4JD  D4JF DFJG  L30H  DAJA 7AIL DBIL L33h L33D L33s 7A22 L33T 7HJC L36H L50P L50U L50T DCJE DCJG DEGL E28N  E28R E30N E30F E30T 2108A E33N E33U E33J E50E E50H E50J L33H DDGH 73HB 75KG L50H L50B 7HJC 0622-50 501C 501D E50N 8530 RM06 8805/50 8806 2100BXC5015

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