XC3062C电源管理IC两串两节保护
解决方案概要 标称电压2.2~2.4V的锂二次电池和全固态电池具有以下特点,也适合于工业设备的备份用途、可穿戴设备及Smartcard等。 可使用LDO进行恒压充电可能。(无需的高价CV/CC充电IC) 耐过放电,可用于简单的放电检测 因为是电池,所以能长时间维持恒定电压 比起电压直线下降的Supercap,能更简单、有效地提取能量 也有70℃、105℃等高温对应产品 也有回流对应 / 热层压加工对应品 关于充电用LDO 因二次电池的大容量成为负载,所以低消耗稳压器适合于LDO。 充电时 可在充电状态下使用。 充电后,电池电压短期内上升到LDO的输出电压之后,会逐渐充电。 无需满充电检测,在满充电后,一般无需关闭稳压器。 使用时 可在充电状态下使用。 VIN没有电压时,为了不白白消耗储存在二次电池中的能量,需要防止回流到VIN及使LDO处于待机状态。 在本电路框中,在用SBD防止回流的同时,通过连接到SBD阳极侧的下拉电阻,成为LDO的CE=“L”,稳压器将处于待机状态。 由此,可从二次电池将消耗电流抑制为稳压器VOUT引脚的微小电流。(称为“VOUT SINK电流”)变更连接在 BFSEL 管脚的下拉电阻的阻值,可以匹配不同规格的电池、即选择电池的充满电压。XC3062C电源管理IC两串两节保护
DS6036B 是一款高集成、多协议双向快充移动电源应用 SOC,集成了同步开关升降压变换器、支持 2~6节电池串联,支持 30~100W 功率选择,支持 A + A + Cinout + Cinout 任意口快充,支持 CC-CV 切换,支持 PD3.1 /PD3.0/QC4.0/QC3.0/AFC/SCP/BC1.2/DCP 等主流快充协议,集成电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块,并提供输入/输出的过压/欠压,电池过充/过放、NTC 过温、放电过流、输出短路保护等保护功能。DS6036B 集成 NTC 功能,可检测电池温度。DS6036B 工作的时候,在 NTC 引脚产生一个恒流源,与外部 NTC 电阻来产生电压。芯片内部通过检测 NTC 引脚的电压来判断当前电池的温度。XB7608GJ3d锂电池转1.5V锂可充SOC。
型号:XA2320B关键字:无电感升压2节AA电池升压为3.3V白光LED驱动器印字:N1IF功能概述:该XA2320B是一款低噪声,恒定频率(1.2MHz的)开关电容电压倍增器。它产生一个稳定的输出电压从一个1.8V至5V的输入高达150mA的输出电流。低外部元件数(一个飞电容器和两个小型旁路在VIN和VOUT)电容使XA2320B非常适合小电池供电的应用。一种新的电荷泵架构保持恒定开关频率至零负荷,降低了输出和输入纹波。该并且可以从生存连续短路VOUT到GND。内置软启动电路防止在浪涌电流过大启动。高开关频率允许使用小型的陶瓷电容器。低电流关机功能断开负载从VIN和静态电流降低到<1uA的。该XA2320B可在6引脚SOT23-6应用2节AA电池为3.3V的USBOn-The-Go的设备白光LED驱动器手持设备
锂电保护的选型:电池充满电压 + 充、放电电流(不同于分离式锂电保护) 辅助信息:电池容量,产品应用 。 电池安全,首先要有保护,再有选型要正确锂电保护在保护电池安全上是二次保护,如:过充保护时,一级保护是充电管理,过放保护的一级保护是主芯片等。所以在选型时,要考虑到锂电保护是二次保护的特性,锂电保护的过充电压要高于充电管理的过充电压的值(不能有重合区间),锂电保护的过放电压要低于主芯片的过放电压的值等。锂电保护的选型:电池充满电压 + 充、放电电流(不同于分离式锂电保护)搭载较少的周边线路,即可组成小家电和电动工具的快充充电方案。
DS6036B集成NTC功能,可检测电池温度。DS6036B工作的时候,在NTC引脚产生一个恒流源,与外部NTC电阻来产生电压。芯片内部通过检测NTC引脚的电压来判断当前电池的温度。DS6036B刚刚接入电池时,显示全部点亮5s,在非充电状态,当电池电压过低触发低电关机,DS6036B会进入锁定状态。DS6036B为了降低静态功耗,在电池低电锁定状态下,DS6036B不支持负载插入检测功能,此时按键动作无法开启升降压输出,只能用于查看电量。DS6036B在锁定状态,必须要有充电动作才能使能芯片功能。耐高压内置MOS锂电保护。电源管理ICXB3306IR
温度高于高温保护门限或低于低温保护门限,关闭充放电路径。XC3062C电源管理IC两串两节保护
ESD( Electrostatic Discharge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-body Model)、机器放电模式 (MM:Machine Model)、元件充电模式(CDM:Charge-Device Model)、电场感应模式(FIM:Field-Induced Model),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD; 芯片级ESD:HBM 大于2KV,较高的是8KV。 系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气是15KV,接触是8KV。XC3062C电源管理IC两串两节保护
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