多端口矩阵测试DDR一致性测试保养

工业规范标准，Specification:如果所设计的功能模块要实现某种工业标准接口或者协议，那一定要找到相关的工业规范标准，读懂规范之后，才能开始设计。

因此，为实现本设计实例中的DDR模块，需要技术资料和文档。

由于我们要设计DDR存诸模块，那么在所有的资料当中，应该较早了解DDR规范。通过对DDR规范文件JEDEC79R]的阅读，我们了解到，设计一个DDR接口，需要满足规范中规定的DC，AC特性及信号时序特征。下面我们从设计规范要求和器件本身特性两个方面来解读，如何在设计中满足设计要求。 82496 DDR信号质量的测试方法、测试装置与测试设备与流程；多端口矩阵测试DDR一致性测试保养

对DDR5来说，设计更为复杂，仿真软件需要帮助用户通过应用IBIS模型针对基于 DDR5颗粒或DIMM的系统进行仿真验证，比如仿真驱动能力、随机抖动/确定性抖动、寄 生电容、片上端接ODT、信号上升/下降时间、AGC(自动增益控制)功能、4taps DFE(4抽头 判决反馈均衡)等。

DDR的读写信号分离

对于DDR总线来说，真实总线上总是读写同时存在的。规范对于读时序和写时序的 相关时间参数要求是不一样的，读信号的测量要参考读时序的要求，写信号的测量要参考写 时序的要求。因此要进行DDR信号的测试，第一步要做的是从真实工作的总线上把感兴 趣的读信号或者写信号分离出来。JEDEC协会规定的DDR4总线的 一个工作时 序图(参考资料： JEDEC STANDARD DDR4 SDRAM,JESD79-4),可以看到对于读和写信 号来说，DQS和DQ间的时序关系是不一样的。 四川DDR一致性测试联系人寻找能够满足您的 DDR 和存储器需求的特定解决方案。

DDR总线概览

从测试角度看，因为DQS和DQ都是三态信 号，在PCB走线上双向传输。在读操作时，DQS信号的边沿在时序上与DQ的信号边沿处对 齐，而在写操作时，DQS信号的边沿在时序上与DQ信号的中心处对齐，参考图7-132,这给 测试验证带来了巨大的挑战：把读信号与写信号分开是非常困难的！

址/命令总线是时钟的上升沿有效，其中，命令由/CS （片选）、/RAS、 /CAS、/WE （写使能）决定，比如读命令为LHLH,写命令为LHLL等。操作命令有很多， 主要是 NOP （空操作）、Active （）、Write> Read^ Precharge （Bank 关闭）、Auto Refresh 或Self Refresh （自动刷新或自刷新）等（详细内容请参考《Jedec规范JESD79）））。数据总 线由DQS的上升沿和下降沿判断数据DQ的0与1。

DDR总线PCB走线多，速度快，时序和操作命令复杂，很容易出现失效问题，为此我 们经常用示波器进行DDR总线的信号完整性测试和分析。通常的测试内容包括：时钟总线的 信号完整性测试分析；地址、命令总线的信号完整性测试分析；数据总线的信号完整性测试 分析。下面从这三个方面分别讨论DDR总线的信号完整性测试和分析技术。

按照存储信息方式的不同，随机存储器又分为静态随机存储器SRAM(Static RAM)和 动态随机存储器DRAM(Dynamic RAM)。SRAM运行速度较快、时延小、控制简单，但是 SRAM每比特的数据存储需要多个晶体管，不容易实现大的存储容量，主要用于一些对时 延和速度有要求但又不需要太大容量的场合，如一些CPU芯片内置的缓存等。DRAM的 时延比SRAM大，而且需要定期的刷新，控制电路相对复杂。但是由于DRAM每比特数据存储只需要一个晶体管，因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特点，目前已经成为大 容量RAM的主流，典型的如现在的PC、服务器、嵌入式系统上用的大容量内存都是DRAM。DDR 设计和测试解决方案；

(2)根据读/写信号的幅度不同进行分离。如果PCB走线长度比较 长，在不同位置测试时可能读/写信号的幅度不太一样，可以基于幅度进行触发分离。但是 这种方法对于走线长度不长或者读/写信号幅度差别不大的场合不太适用。

(3)根据RAS、CAS、CS、WE等控制信号进行分离。这种方法使用控制信号的读/写  来判决当前的读写指令，是可靠的方法。但是由于要同时连接多个控制信号以及Clk、 DQS、DQ等信号，要求示波器的通道数多于4个，只有带数字通道的混合信号示波器才能  满足要求，而且数字通道的采样率也要比较高。图5.11是用带高速数字通道的示波器触发  并采集到的DDR信号波形。 DDR DDR2 DDR3 DDR4 和 DDR5 内存带宽；吉林DDR一致性测试销售

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通常测量眼图很有效的一种方法就是使用示波器的眼图测量功能，即用时钟做触发对数 据信号进行累积，看累积结果的差情况是否在可以容许的范围内。但遗憾的是，想用这种 方法直接测量DDR的信号质量非常困难，因为DDR信号读写时序是不一样的。

可以看到，写数据(DQ)的跳变位置对应着锁存信号(DQS)的中心，而 读数据的跳变位置却对应着锁存信号的边沿，而且在总线上还有三态，因此如果直接用DQS 触发对DQ累积进行眼图测量的话，会得到的结果。 多端口矩阵测试DDR一致性测试保养

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