丽水进口数显真空烘箱规格尺寸

从结构上分析，一般的干燥箱外壳都是采用冷轧钢板制造，但是从厚度上将，差别却很大。由于真空干燥箱里面的真空环境，为防止大气压压坏箱体，其外壳厚度要较鼓风干燥箱大些许，一般是选择钢板越厚质量越好，使用寿命也越长。为便于观察，在干燥箱的箱门都设有玻璃窗，一般有钢化玻璃和镶嵌门上的普通玻璃，杭州宏誉智能科技有限公司生产干燥箱箱门全部采用钢化玻璃，虽价格稍贵，但是外观漂亮，对于操作人员的安全更是有力的保障。将真空泵与真空阀连接，开启真空阀，抽真空；丽水进口数显真空烘箱规格尺寸

    高温真空烘箱主要是针对各种电子、塑胶、金属.....耐高温性能测试。用于干燥、烘烤、预热各种材料或试片。采用特殊设计之强制循环送风系统，可靠保证工作温度分布均匀度。性能特点箱体结构：整机结构为一体式；真空泵安装：真空泵安装于机器下部面板安装：控制面板安装于机台下方开门方式：单门由右至左开启；可视窗：门上带可视窗，规格W200*H250mm安装带刹车活动脚轮，可任意推动温度控制为PID数显仪表（台**松仪表EM705），单点式控温，可自动演算，PV/SV同时显示，按键设定定时器设定:1秒－9999时（可选择设定小时、分钟、秒）温到计时，时间到停止加热，同时报警提示300度高温真空烘箱技术参数型号：GT-TK-125温度范围：常温+20℃~+300℃内尺寸：500(宽)×500(深)×500(高)mm；（单箱式）外尺寸约：800(宽)×820(深)×1420(高)mm+110轮高,以实物为准内材质为：304#不锈钢板外材质为：冷轧钢板保温材质为：耐高温岩棉，保温效果好控制精度：±℃;显示精度：℃；温度过冲：≤3℃真空感应器为：压力感应；真空度使用范围：真空保压泄漏率：约；真空控制方式为，自动控制，达到上限停止，低于下限启动，循环工作300度高温真空烘箱使用说明超温保护系统：温度失控时。江苏噪音小真空烘箱安全警报真空泵不能长时期工作。

真空烘箱的真空泵-维护保养1、经常检查油位位置，不符合规定时须调整使之符合要求。以真空泵运转时，油位到油标中心为准。2、经常检查油质情况，发现油变质应及时更换新油，确保真空泵工作正常。3、换油期限按实际使用条件和能否满足性能要求等情况考虑，由用户酌情决定。一般新真空泵，抽除清洁干燥的气体时，建议在工作100小时左右换油一次。待油中看不到黑色金属粉末后，以后可适当延长换油期限。4、一般情况下，真空泵工作2000小时后应进行检修，检查桷胶密封件老化程度，检查排气阀片是否开裂，清理沉淀在阀片及排气阀座上的污物。清洗整个真空泵腔内的零件，如转子、旋片、弹簧等。一般用汽油清洗，并烘干。对橡胶件类清洗后用干布擦干即可。清洗装配时应轻拿轻放小心碰伤。

    COB生产流程：晶粒进料→晶粒检测→清洗PCB→点胶→粘晶粒→烘烤→打线→过境→OTP烧录→封胶→测试→QC抽检→入库。其中烘烤这一环节是很重要的一步之一，烘烤的目的是将前一道的工序中的胶烘干，使得IC在PCB上粘牢，以确保下一道工序中IC在打线过程中不会移动。不同的胶需要的烘烤时间和温度也是不一样的。缺氧胶烘烤温度90度烘烤10分钟，银胶烘烤温度120度烘烤90分钟，红胶烘烤温度120度烘烤30分钟。无尘烘箱主要应用于半导体晶圆片光刻涂胶镀膜前的基片清洗后的前烘烤(Prebaking)、涂胶后的软烘焙Softbaking)，曝光、显影后的坚膜硬烘（Hardbaking)等工艺，适用半导体制造中硅片、砷化镓、铌酸锂、玻璃等材料的洁净、防氧化烘烤，亦可用于LCD、TFT、COMS、生物、医药、光学镀膜、精密元件干燥等生产工艺以及研发机构。 抽完真空后，先将真空阀门关闭，然后再将真空泵电源关闭或移除。

真空烘箱由高真空度真空泵，箱体，工作室，电加热器及数字温度器组成。能够在设定的真空度条件下稳定工作，适用于医药、化工、电子、器、材料、零件的真空乾燥处理。箱体外壳以冷扎板喷塑，美观悦目。内箱以不锈钢板密焊耐压工艺处理，配上门上的硅胶密封压垫，保证箱内的气密性，并采用玻璃纤维保温，提供高效绝热，节省能耗效果。发热板安装在内箱体四侧，以保证温度均匀性。广用于医药、食品、轻工、化工、电子等行业作干燥之用，具有干燥物品速度快、污染小、不对干燥物品的内在质量造成破坏的优点。检查真空泵管路及结合处有无松动现象。苏州加热功率比例可调真空烘箱规格尺寸

真空箱外壳必须有效接地，以保证使用安全。丽水进口数显真空烘箱规格尺寸

    为获得平坦而均匀的光刻胶涂层并使光刻胶与晶片之间有良好的黏附性，通常在涂胶前对晶片进行预处理。预处理第一步常是脱水烘烤，在真空或干燥氮气的机台中，以150～200℃烘烤。工艺目的是除去晶片表面吸附的水分，在此温度下，晶片表面大约保留了一个单分子层的水。涂胶后，晶片须经过一次烘烤，称之软烘或前烘。工艺作用是除去胶中大部分溶剂并使胶的曝光特性固定。通常，软烘时间越短或温度越低会使得胶在显影剂中的溶解速率增加且感光度更高，但对比度会有降低。实际上软烘工艺需要通过优化对比度而保持可接受感光度的试凑法用实验确定，典型的软烘温度是90～100℃，时间从用热板的30秒到用烘箱的30分钟。在晶片显影后，为了后面的高能工艺，如离子注入和等离子体刻蚀，也须对晶片进行高温烘烤，称之后烘或硬烘。这一工艺目的在于：减少驻波效应；激发化学增强光刻胶PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之能溶解于显影液。 丽水进口数显真空烘箱规格尺寸