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导通电阻更为大，对于PMOS而言，S级的电压越高，导通电阻越发小。图3导通电阻随输入信号电压变化的曲线2）导通电阻的阻值与温度有关：当VDD和VSS固定不变时，随着温度的升高，导通电阻的曲线总体向上平移。图4导通电阻随温度转变的曲线3）导通电阻的平坦度：On-resistanceflatness图5On-resistanceflatness在一定的输入电压范围内，导通电阻的最大值与最小值的差称之为导通电阻的平坦度，这个值越大，解释导通电阻的变化大幅度越大。(3).影响在这里，我们通过一个仿真实例来观察一下导通电阻及平坦度对于系统的影响，如图6。为了更容易地观察到影响，我们选项设立R1和R2为100Ω。图6MUX36S08仿真电路图7输入及输出波形从仿真的结果我们可以看出：1）输出电压并不是我们输入电压乘以放大百分比后的结果，这是因为有导通电阻的存在。2）输出电压随输入电压的并不是线性联系，这是因为Ron随着Vin在变动，会在输出端引入非线性误差。所以，Ron的平坦度越小，输出的非线性误差越小。2.漏电流Leakagecurrent(1).概念1)Sourceoff-leakagecurrent:在开关断开时，从源极注入或流出的电流叫作Is(off)，如图8。2)Drainoff-leakagecurrent:在开关断开时，从漏极注入或流出的电流称作Id。八路模拟开关板，就选上海金樽自动化控制科技有限公司，有想法的可以来电咨询！安徽集成电路八路模拟开关板阻燃

模拟开关404包括开关管mp2和开关管mn2，开关管mp2为pmos管，开关管mn2为nmos管。开关管mp2和开关管mn2并联连接，二者的漏极彼此连接且都连接至信号输入端b，二者的源极彼此连接且都连接至信号输出端y，开关管mp2的衬底与掉电保护电路402相连接，开关管mn2的衬底接地。驱动电路403包括晶体管m6和m7，晶体管m6选自pmos管，晶体管m7选自nmos管。晶体管m6的源极连接至掉电保护电路402，晶体管m6的漏极与晶体管m7的漏极连接，晶体管m7的源极接地。晶体管m6和晶体管m7的栅极彼此连接且接收所述控制信号cp1，晶体管m6和晶体管m7的中间节点连接至开关管mp1的栅极。驱动电路403用于根据控制信号cp1控制开关管mp1的导通和关断。驱动电路405包括晶体管m9和m10，晶体管m9选自pmos管，晶体管m10选自nmos管。晶体管m9的源极连接至掉电保护电路402，晶体管m9的漏极与晶体管m10的漏极连接，晶体管m10的源极接地。晶体管m9和晶体管m10的栅极彼此连接且接收所述控制信号cp2，晶体管m9和晶体管m10的中间节点连接至开关管mp2的栅极。驱动电路405用于根据控制信号cp2控制开关管mp2的导通和关断。苏州编程八路模拟开关板成本价上海金樽自动化控制科技有限公司为您提供 八路模拟开关板，欢迎您的来电哦！

这些开关管的响应速度快，开通时间µs;低静态电流节约关闭状况功耗。低导通电阻和低失真以及低串扰保证信号完整性上佳。内部过热关断和欠压锁保护(UVLO)机能保证开关安全工作。这款先进产品使用意法半导体专有的BCD6s-SOI(绝缘体上硅)和BCD8sSOI制造工艺，在同一芯片上集成精细模拟电路(双极晶体管)、低压CMOS逻辑电路和稳健精确的DMOS功率级。STHV64SW可以采用高达-100V/+100V、0V/200V或-200V/0V的各种高压电源组合。目前已有创新的高科技装置使用STHV64SW，例如，工业无损检测(NDT)超声波探伤仪和经济便携的医学超声回波影像诊断装置，其中后者正在提高边远小村地区的产前保健水准。与不久前推出的配套产品STHV160016通道脉冲发生器芯片一样，这款高集成度的64通道模拟开关芯片同样使用了连贯的FCBGA封装，让系统制造商能够提高通道密度，实现杰出的超声图像分辨率，而占用很小的电路板空间。STHV64SW业已上市，使用BGA-196封装。STEVAL-IME015V1评估板也已上市。、74HCT4053是一款三路二选一模拟开关电路，它的优点是能够通过交流信号，笔者一般用它切换不同的音频通道或者直流控制电压。如上图，X0,X1,X为一组；Y0,Y1,Y为一组；Z0,Z1,Z为一组；这三组信号分别受A,B。

焊接10秒）300℃RecommendedOperatingConditions提议操作条件：SupplyVoltage电源电压(VDD)3Vto15VInputVoltage输入电压(VIN)0VtoVDDOperatingTemperatureRange工作温度范围(TA)−55℃to+125℃DCElectricalCharacteristics直流电气特性：Symbol符号Parameter参数Conditions条件−55℃+25℃+125℃Units单位**小**大**小典型**大**小**大IDDQuiescentDeviceCurrent静态电流VDD=5VμAVDD=10V15VDD=15V30SIGNALINPUTSANDOUTPUTSRON“ON”ResistanceRL=10kΩto(VDD−VSS/2)VC=VDD,VSStoVDDVDD=5V300ΩVDD=10V0VDD=15VΔRONΔ“ON”ResistanceBetweenAny2of4SwitchesRL=10kΩto(VDD−VSS/2)VCC=VDD,VIS=VSStoVDDVDD=10V10ΩVDD=15V5IISInputorOutputLeakageSwitch“OFF”VC=0±50±±50±500nACONTROLINPUTSVILCLOWLevelInputVoltage输入低电平电压VIS=VSSandVDDVOS=VDDandVSSIIS=±10μAVDD=5VVVDD=10VVDD=15VVIHCHIGHLevelInputVoltage输入高电平电压VDD=5VVVDD=10V。上海金樽自动化控制科技有限公司是一家专业提供 八路模拟开关板的公司，欢迎您的来电哦！

所述第四晶体管的源极用于接收所述参考电压，漏极与所述第五晶体管的漏极连接，所述第五晶体管的源极接地，所述第四晶体管和所述第五晶体管的栅极接收***控制信号，所述第四晶体管和所述第五晶体管的中间节点与对应的模拟开关的所述p型开关管的栅极连接。推荐地，每个所述模拟开关还包括连接于所述信号输入端和所述信号输出端之间的n型开关管，所述n型开关管和所述p型开关管并联连接，所述n型开关管的栅极接收第二控制信号，所述n型开关管的衬底接地，其中，所述***控制信号和所述第二控制信号为同相信号。推荐地，所述多个***晶体管分别选自n型的金属氧化物半导体场效应晶体管。推荐地，所述第二晶体管和所述第三晶体管分别选自p型的金属氧化物半导体场效应晶体管。推荐地，所述第四晶体管选自p型的金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第五晶体管选自n型的金属氧化物半导体场效应晶体管。本发明实施例的模拟开关电路具有以下有益效果。模拟开关电路还包括掉电保护电路，掉电保护电路用于在电源电压掉电时根据模拟开关电路的至少一个信号输入端、信号输出端以及电源端中电位更高者得到一参考电压，然后将该参考电压提供给模拟开关的p型开关管的衬底。上海金樽自动化控制科技有限公司为您提供 八路模拟开关板，欢迎您的来电！河南双电源八路模拟开关板批发价

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