上海双电源八路模拟开关板

时间:2022年07月15日 来源:

容上的电压可长时间基本维持不变模拟开关S1为电容提供充电回路当S1导通时电源通过S1给电容充电电容上电压不停增高使VT1导通电阻更为小使响度也愈来愈小模拟开关S2为电容提供放电回路当S2导通时电容通过S2放电电容上电压不停下滑使响度越发大模拟开关S3起开机响度复位功用开机时电源在S3控制端产生一短暂的正脉冲使S3导通由于与S3联接的电阻较小故使电容迅速充到一定的电压使起始响度处于较小的状态F1~F6及其**元件构成高低脉冲识别电路静态时F1、F2输入为高电平当较长时间按压按钮开关AN时F4输出变高经100k电阻给μF电容充电当充电电压超过CMOS门转换电压时F5输出由高变低F6输出由低变高模拟开关S2导通100μF电容放电音量变大与此同时F1输出也变高也给电容充电但F1输出的一次正跳变不足以使电容上电压超过转换电压故F2输出仍为高电平F3输出低电平模拟开关S1维持截止当连续按动按钮开关AN时F4输出也不停转变输出为高时给电容充电而输出变低时电容又迅速通过二极管VD3放电故电容上电压总是达不到转换电压因此F6输出始终为低而此时F1输出连续优劣转变经二极管整流不停给电容充电使μF电容上电压迅速达到转换电压F2输出变低F3输出变高模拟开关S1导通给电容充电音量变小由此运用。八路模拟开关板,就选上海金樽自动化控制科技有限公司,用户的信赖之选,有想法可以来我司咨询!上海双电源八路模拟开关板

Note7)VDD=15VIINInputCurrent输入电流VDD−VSS=15VVDD≥VIS≥VSSVDD≥VC≥VSS−−10−5−−μA10−5ACElectricalCharacteristics交流电气属性:Symbol符号Parameter参数Conditions条件**小典型**大Units单位tPHL,tPLHPropagationDelayTimeSignalInputtoSignalOutput信号输入到信号输出传递延迟时间VC=VDD,CL=50pF,(Figure1)RL=200kVDD=5V2555nsVDD=10V1535VDD=15V1025tPZH,tPZLPropagationDelayTimeControlInputtoSignalOutputHighImpedancetoLogicalLevelRL=Ω,CL=50pF,(Figure2,Figure3)VDD=5V125nsVDD=10V60VDD=15V50tPHZ,tPLZPropagationDelayTimeControlInputtoSignalOutputLogicalLeveltoHighImpedanceSineWaveDistortionFrequencyResponse-Switch“ON”(Frequencyat−3dB)RL=Ω,CL=50pFVDD=5V125nsVDD=10V60VDD=15V50VC=VDD=5V,VSS=−5VRL=10kΩ,VIS=5Vp-p,f=1kHz,(Figure4)%VC=VDD=5V,VSS=−5V,RL=1kΩ,VIS=5Vp-p,20Log10VOS/VOS(1kHz)−dB,(Figure4)40MHzFeedthrough—Switch“OFF”(Frequencyat−50dB)CrosstalkBetweenAnyTwoSwitches(Frequencyat−50dB)Crosstalk;ControlInputtoSignalOutputMaximumControlInputVDD=−Ω,VIS=−50dB,(Figure4)VDD=VC(A)=。上海双电源八路模拟开关板八路模拟开关板,就选上海金樽自动化控制科技有限公司,让您满意,欢迎您的来电!

2).特性图23简化的MUX内部的开关模型及通道间串扰随信号频率的变化ChanneltoChannelcrosstalk是和频率有关的一种现象。主要是由于关断状况下寄生电容造成的。有时,也会由于布局技术不佳而引入了寄生电容,展现为串扰。CSS表示两个输入通道之间的寄生电容。这也许是传输信号的两个输入走线之间的电容,或者是多路复用器的两个输入引脚之间的电容。在较低频率的时候,从S1到OUTPUT的阻抗是RON,因为S2是断开的,从S2到OUTPUT的阻抗十分高。随着强加到S1的输入信号的频率增加,寄生电容CSD的阻抗变得更低,并在S2引入了一部分S1的输入信号。相同的法则,寄生电容CSS随频率的增加也会将一部分输入信号直接耦合到断开的通道S2。缩减杂散电容的电路板配置技术也会有助于通道间的串扰疑问。5.关断隔离Offisolation(1).概念关断隔离概念为当在关闭通道的源极引脚上强加已知信号时在多路复用器输出引脚上引入的电压。图24关断隔离示意图(2).特征图25简化的MUX内部的开关模型及关断隔离随信号频率的变化像串扰一样,关断隔离也是一种与频率相关的现象,由于模拟开关或多路复用器的OFF状况寄生电容CSD而时有发生。而开关在截止状况的寄生电容又取决多个因素。

模拟开关404包括开关管mp2和开关管mn2,开关管mp2为pmos管,开关管mn2为nmos管。开关管mp2和开关管mn2并联连接,二者的漏极彼此连接且都连接至信号输入端b,二者的源极彼此连接且都连接至信号输出端y,开关管mp2的衬底与掉电保护电路402相连接,开关管mn2的衬底接地。驱动电路403包括晶体管m6和m7,晶体管m6选自pmos管,晶体管m7选自nmos管。晶体管m6的源极连接至掉电保护电路402,晶体管m6的漏极与晶体管m7的漏极连接,晶体管m7的源极接地。晶体管m6和晶体管m7的栅极彼此连接且接收所述控制信号cp1,晶体管m6和晶体管m7的中间节点连接至开关管mp1的栅极。驱动电路403用于根据控制信号cp1控制开关管mp1的导通和关断。驱动电路405包括晶体管m9和m10,晶体管m9选自pmos管,晶体管m10选自nmos管。晶体管m9的源极连接至掉电保护电路402,晶体管m9的漏极与晶体管m10的漏极连接,晶体管m10的源极接地。晶体管m9和晶体管m10的栅极彼此连接且接收所述控制信号cp2,晶体管m9和晶体管m10的中间节点连接至开关管mp2的栅极。驱动电路405用于根据控制信号cp2控制开关管mp2的导通和关断。八路模拟开关板,就选上海金樽自动化控制科技有限公司,让您满意,欢迎新老客户来电!

晶体管m5的栅极电压被电阻r1下拉至地,晶体管m5导通,将参考电压vmax上拉至电源电压vcc,使得模拟开关电路300可以正常工作。此外,本实施例的模拟开关电路300还包括驱动电路303,驱动电路303与模拟开关301相连接,用于根据控制信号cp1控制开关管mp1的导通和关断。在本实施例中,驱动电路303例如通过缓冲器实现。缓冲器可隔离前端控制电路与开关管mp1的栅极之间的较大的寄生电容,且可使得开关管mp1具有较快的摆率驱动,可以提高开关管的响应速度。在其中一个实施例中,所述缓冲器可以为源跟随器、cmos缓冲器或者其他合适的缓冲器。进一步的,驱动电路303包括晶体管m6和m7,晶体管m6选自pmos管,晶体管m7选自nmos管。晶体管m6的源极连接至掉电保护电路302,用于接收所述参考电压vmax,晶体管m6的漏极与晶体管m7的漏极连接,晶体管m7的源极接地。晶体管m6和晶体管m7的栅极彼此连接且接收所述控制信号cp1,晶体管m6和晶体管m7的中间节点连接至开关管mp1的栅极。掉电保护电路302还用于在电源端掉电时将参考电压vmax提供至驱动电路303的供电端,并在电源端正常工作时将电源电压vcc提供至驱动电路303的供电端。当电源端掉电时。上海金樽自动化控制科技有限公司为您提供 八路模拟开关板,欢迎您的来电!湖南单片机八路模拟开关板生产厂家

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并将该参考电压vmax提供至开关管mp1的衬底。因此在电源电压掉电时开关管mp1的源极与衬底之间或者漏极与衬底之间的电压小于寄生二极管的正向导通电压,开关管mp1的寄生二极管保持在截止状态,有效的解决了电源电压掉电时开关管mp1中寄生二极管正向导通造成的信号泄露的问题。作为一种非限制性的例子,掉电保护电路302包括晶体管m1至m3,晶体管m1的漏极与信号输入端a连接,晶体管m2的漏极与信号输出端y连接,晶体管m3的漏极用于接收电源电压vcc,晶体管m1至m3的源极与开关管mp1的衬底连接。在本实施例中,晶体管m1至m3采用完全相同的晶体管,例如晶体管m1至m3分别采用nmos管。并且晶体管m1至m3的栅极、漏极和衬底彼此连接,分别连接成二极管结构,所以本实施例的参考电压vmax的电压值为:vmax=max(va,vy,vcc)-vtn其中,va表示信号输入端a的电压,vy表示信号输出端y的电压,vcc为电路的电源端的电源电压,max(va,vy,vcc)表示信号输入端a、信号输出端y、以及电源端中的电位更高者的电压,vtn表示晶体管m1至m3的导通阈值。在推荐的实施例中,晶体管m1至m3分别采用低阈值电压的nmos管。举例说明,以当电源端掉电时。上海双电源八路模拟开关板

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