ICX225AL CMOS图像传感器

    ICX639BKA图像传感器具有一系列突出的特性，使其成为一款优良的图像采集解决方案。首先，它拥有高灵敏度，能够在不同光线条件下捕捉细节丰富的图像，为用户提供清晰、准确的视觉体验。同时，高分辨率和低暗电流的特点使得ICX639BKA能够在保持图像质量的同时降低能耗，符合节能环保的趋势。此外，该传感器还具备优良的anti-blooming特点，能够有效抑制图像中的过曝现象，保证图像细节的完整性和真实性。而采用了Ye,Cy,Mg,G互补色镶嵌片滤光片的设计，使得ICX639BKA能够还原真实的色彩，呈现出更加生动、自然的图像效果。桑尼威尔的CMOS传感器在智能家居领域也有广泛应用。ICX225AL CMOS图像传感器

    OV13850彩色图像传感器是一款低电压、高性能1/3.06英寸1320万像素CMOS图像传感器。它采用了OmniBSI+技术，能够提供单一1320万像素(4224×3136)摄像头的功能。这种传感器通过串行摄像头控制总线(SCCB)接口进行控制，从而提供了全帧、下采样和开窗的10位MIPI图像。该传感器的低电压设计使其能够在低功耗下实现高性能，同时能够提供出色的图像质量。其1320万像素的分辨率意味着它能够捕捉细节丰富的图像，适用于多种应用场景，包括智能手机、平板电脑、摄像机和其他便携式设备。OmniBSI+技术的应用使得该传感器在光线条件较差的环境下也能够实现出色的图像表现。此外，通过串行摄像头控制总线(SCCB)接口的控制，用户可以方便地对传感器进行控制和配置，以满足不同应用的需求。总的来说，OV13850彩色图像传感器以其低电压、高性能和多种功能特性，为各种便携式设备提供了出色的图像捕捉能力，使其成为市场上备受青睐的图像传感器之一。 30帧10位MIPI接口图像传感器CMOS图像传感器的自适应曝光控制使其能够根据场景亮度自动调整曝光时间。

IMX459是一款堆叠式SPAD深度传感器，专为汽车激光雷达应用而设计。它的分辨率为597 (H) x 168 (V)，采用1/2.9型形式，探测范围达300米。该单芯片传感器具有距离测量处理电路，该电路使用其10 μm平方的单光子雪崩二极管(SPAD)像素和直接飞行时间(dToF)方法提供高精度，高速距离测量。它利用索尼的技术，如背光像素结构、堆叠配置和Cu-Cu连接，提供高达24%的光探测效率和大约6 ns的响应速度。该图像传感器可通过MIPI CSI-2串行输出4/2通道接口进行控制。

IMX459是一种图像传感器，具有MIPICSI-2串行输出接口（4线/2线）。它采用152引脚塑料BGA封装，封装尺寸为15.65毫米x15.35毫米（水平x垂直）。IMX459传感器在更大探测距离为300米时，具有一定的距离精度。在这种情况下，使用3x3像素（水平x垂直）相加模式进行测距，距离精度为30厘米。而使用6x6像素（水平x垂直）相加模式进行测距，距离精度可以提高到15厘米。这些参数对于IMX459传感器的应用非常重要。MIPICSI-2接口提供了高速、可靠的数据传输，使传感器能够与其他设备进行连接和通信。152引脚塑料BGA封装则提供了良好的封装保护和机械强度，确保传感器在各种环境下的可靠性和稳定性。此外，IMX459传感器在300米的更大探测距离下，具有较高的距离精度。通过使用不同的像素相加模式，可以根据具体需求选择合适的测距精度。这对于需要进行远距离测量的应用非常有用，例如工业自动化、安防监控等领域。桑尼威尔的CMOS图像传感器广泛应用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑等移动设备。

传感器采用堆栈式结构，背照式SPAD像素芯片（上）和搭载测距处理电路的逻辑芯片（下）之间通过Cu-Cu连接实现各个像素的导通。这样的结构允许将电路放置在像素芯片底部，保持高开口率*6，同时实现10平方微米的小像素尺寸。传感器还采用表面不规则的光入射面来折射入射光，从而提高吸收率。这些特点使汽车激光雷达光源常用的905纳米波长达到24%的光子探测效率。例如，可以实现以高分辨率和距离分辨率探测到反射率低的远处物体。此外，电路部分包含一个有源充电电路，由Cu-Cu连接各个像素，令单个光子在正常工作时的响应速度达到约6纳秒*7。桑尼威尔的CMOS图像传感器具有很好的温度适应性。ICX242AL

CMOS图像传感器的数字输出接口使得与计算机或其他数字设备兼容。ICX225AL CMOS图像传感器

    ICX205AL是一款线间图像传感器，ICX205AL图像传感器设备结构紧凑，具有高像素密度和精细的细胞大小，适合用于各种图像采集和处理应用，如数码相机、工业视觉系统等。其光学黑色和虚拟位数的设计也使其在图像采集过程中能够提供高质量的图像输出。结构如下：

●线间CCD图像传感器

●图像尺寸:对角线8mm(1/2型)

●总像素数:1434(H)×1050(V)约。1.50像素

●有效像素数:约1392(H)×1040(V)。1.45像素

●活动像素数:约1360(H)×1024(V)。1.4m像素(对角线7.959mm)

●芯片尺寸:7.60mm(H)×6.20mm(V)

●细胞大小:4.65μm(H)×4.65μm(V)

●光学黑色:水平(H)方向:前2像素，后40像素垂直(V)方向:前8像素，后2像素

●虚拟位数:水平20位  垂直3

●衬底材料:硅 ICX225AL CMOS图像传感器

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