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    电介质层)140、以及第二电极130。特别地，图2中的memsrf开关具有结构层131，第二电极130被布置在结构层131上。同样，空气间隙160存在于第二电极130和绝缘体140之间。当施加偏置电压(在驱动电极或主电极上)时，至少一个电极可能会热膨胀并且在绝缘体140的方向上偏移，从而会与绝缘体140接触。像这样，电极120、绝缘体140和第二电极130一起作用为电容器，并且rf开关200被打开，转而允许rf信号以预定频带从中经过。然而，如果未施加偏置电压，第二电极130与绝缘体140分离。结果，rf开关200被关闭，并且不允许rf信号从中经过。在实施例中，当施加偏置电压时，第二偏置电极130、151带正电产生正电荷(+)的集聚以及偏置电极120、150带负电产生负电荷(-)的集聚。同时，绝缘体140上的电荷可以维持为0，不依赖于偏置电压的施加。然而，在实践中，电荷集聚常常出现在绝缘体140。因此，在绝缘体140上检测到的电荷不总为0。图3图示根据本发明实施例的mim电容器的微结构300。在实施例中，mim电容器的微结构300包括：衬底110，具有顶表面111，电极120，具有与衬底110顶表面111平行的水平定向，其中电极120被嵌入在衬底110内，使得电极120的顶表面121与衬底110的顶表面111一致。低压电容器按性质分油浸纸质电力电容器和自愈式电力电容器,按功能分普通电力电容器和智能式电力电容器。安徽超级电解电容器防爆保险化工厂煤矿***

    微结构300还包括：电介质层140，被布置在电极120的顶表面121上；以及第二电极130，被布置在电介质层140的顶表面上。在实施例中，如图3中所示的，电极120顶表面121的水平端被保留为未被电介质层140覆盖，并且电介质层140在电极120顶表面121的第二水平端的上方延伸。此外，电介质层140顶表面的水平端可以被保留为未被第二电极130覆盖，并且第二电极130可以延伸至电介质层140顶表面的第二水平端。在实施例中，微结构300还可以包括至少一个被布置在衬底10上的连接元件151、152。例如，连接元件151，可以被配置为提供到电极120顶表面121的水平端的连接。例如，连接元件151可以是连接焊盘。例如，第二连接元件152，可以被配置为提供到第二电极130的第二水平端的连接，第二电极的第二水平端与电介质层140顶表面的第二水平端邻近。例如，第二连接元件152也可以是连接焊盘。第二连接元件152可以被第二电极130包括且形成单个元件130。连接元件151和第二连接元件152可以被布置在电介质层140顶表面相反的水平端处。在已知系统中，mim电容器的底电极的厚度通常在μm至1μm之间。由于电阻损耗，这限制了mim电容器品质因子(q)。针对mim电容器的实施例使更厚(5至10μm)的底电极120成为可能。江西补偿电容器国有企业厂家直销智能电力无功补偿电容器为改善供电功率因数、提高电网效率提供解决方案。

    铝电解电容器用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成，薄的化氧化膜作介质的电容器。因为氧化膜有单向导电性质，所以电解电容器具有极性。容量大，能耐受大的脉动电流。容量误差大，泄漏电流大；普通的不适于在高频和低温下应用，不宜使用在25kHz以上频率。低频旁路、信号耦合、电源滤波。用烧结的钽块作正极，电解质使用固体二氧化锰。温度特性、频率特性和可靠性均优于普通电解电容器，特别是漏电流极小，贮存性良好，寿命长，容量误差小，而且体积小，单位体积下能得到比较大的电容电压乘积。对脉动电流的耐受能力差，若损坏易呈短路状态。超小型高可靠机件中。薄膜电容器结构与纸质电容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质。频率特性好，介电损耗小。不能做成大的容量，耐热能力差。滤波器、积分、振荡、定时电路。瓷介电容器穿心式或支柱式结构瓷介电容器，它的一个电极就是安装螺丝。引线电感极小，频率特性好，介电损耗小，有温度补偿作用。不能做成大的容量，受振动会引起容量变化。特别适于高频旁路。独石电容器在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料，叠合后一次绕结成一块不可分割的整体。

    便于对铝电解电容器主体使用机器进行插接安装，防止安装铝电解电容器主体时因引脚的位置没有对齐而使引脚抵在电路板上产生折弯现象并导致该铝电解电容器主体的报废。附图说明图1为实施例1的整体结构示意图；图2为实施例1中定位装置的安装示意图；图3为实施例1中定位装置在折弯前的结构示意图；图4为实施例1中夹取装置的安装示意图；图5为实施例1中夹取装置的结构示意图；图6为实施例1中夹取装置的剖视图。图中：1、铝电解电容器主体；1a、环槽；11、引脚；2、定位装置；21、兜条；21a、插孔；22、侧条；23、定位凸条；3、夹取装置；31、夹取套；31a、套腔；31b、定位插槽；31c、导向开口；32、夹棒。具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例**是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。在本实用新型的描述中，需要理解的是。按照结构分三大类：固定电容器、可变电容器和微调电容器。

    过孔可以将金属化层和/或金属化层上的无源器件连接到第二金属化层和/或第二金属化层上的无源器件。每个无源器件可以被实现在集成无源器件(ipd)的一层或多层上。附加的焊盘可以被设置在微结构100、200、300上。焊盘可以通过键合线被连接到焊盘。焊盘可以被连接到金属化层和/或金属化层中的无源器件。在不以任何方式限制下面出现的权利要求的范围、解释或应用的情况下，因为针对尤其是底电极的厚金属化，本文公开的一个或多个示例实施例的技术效果是，改进的rf功率处理。本文公开的一个或多个示例实施例的另一技术效果是，改进的品质因子(q)。本文公开的一个或多个示例实施例的另一技术效果是，后加工相比已知方法更容易。本文公开的一个或多个示例实施例的另一技术效果是，由于光滑的底电极，在电介质层中没有台阶覆盖问题，以及在结构层中没有台阶。这导致更高的电压和功率处理。本文公开的一个或多个示例实施例的另一个技术效果是，改进的微结构的制造工艺。本文公开的一个或多个示例实施例的另一技术效果是，提供了可靠且紧凑的半导体装置。尽管本发明的各个方面将在**权利要求中被陈述，本发明的其他方面包括来自所述实施例和/或从属权利要求的特征。标准电容器。用于工频高压测量介质损耗回路中，作为标准电容或用作测量高压的电容分压装置.安徽超级电解电容器防爆保险化工厂煤矿***

简单的电容器是由两端的极板和中间的绝缘电介质（包括空气）构成的。安徽超级电解电容器防爆保险化工厂煤矿***

    厚的底电极120被制造到衬底110中并且然后被平坦化。这允许光滑的表面121以用于下一个工艺步骤。在提供电极120的金属层之后生长电介质层140。必要时电介质层140可以被图案化。在电介质层140之上，生长第二电极130的金属层。该多目的技术适合于多个rf应用和从超高频(vhf)到毫米波的多个频率。例如，半导体装置300还可以包括薄膜电阻器，和在不同金属层之间的ipd组件。在实施例中，可以形成至少一个在电极120、130的至少一个金属层的表面上延伸的阻挡层。阻挡层可以包括低压化学气相沉积氮化物(lpcvdsin)或等离子体增强的化学气相沉积氮化物(pecvdsin)。例如，电介质层140可以包括原子层沉积(ald)生长的氧化铝层或等离子体增强的化学气相沉积(pecvd)层，诸如正硅酸乙酯(teos)。衬底可以包括硅衬底层110。在实施例中，连接元件310、311可以包括导电焊盘，其可以被用于使至少一个金属层互连。也可以布置连接到半导体装置的集成无源器件(ipd)的连接。例如，半导体装置的金属层焊盘310、311可以被耦合到集成无源器件(ipd)端子上。电介质层140可以影响微结构300的rf性能。在实施例中，不同的绝缘体沉积方法可以被用于产生不同的rf性能。例如。安徽超级电解电容器防爆保险化工厂煤矿***

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