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    第二电极130被形成在电介质层140上方。在步骤470中，方法结束。在实施例中，钝化层包括氧化铝并且钝化层被形成在硅衬底的表面上，以通过制造在钝化层与导电电极之间的阻挡层保护免于受到由钝化层与导电电极之间的化学相互作用所引起的影响。可以通过将钝化层暴露在反应空间中，以交替地重复两种或多种不同前驱体(其中至少一种前驱体是针对氧的前驱体)的表面反应，来在钝化层上沉积阻挡层，阻挡层包括钛和氧、钽和氧、锆和氧、铪和氧、或它们中的任何组合、或它们与铝和氧的任何组合，以及通过在阻挡层上制备包括铝浆的层，来在沉积在钝化层上的阻挡层上形成导电电极。反应空间可以被随后地抽真空至适当的压强，用于形成包括氧化铝的钝化层。反应空间可以使用，例如机械真空泵来被抽真空至适当的压强，或者在ald系统和/或工艺的大气压强的情况下，可以设置气流以保护沉积区域免受大气的影响。通过所使用的方法，硅衬底也可以被加热至适于形成钝化层、导电层或电介质层的温度。硅衬底可以通过例如，密封的装载锁系统或*通过装载仓口被引入到反应空间。硅衬底可以被电阻加热元件加热，该电阻加热元件也加热整个反应空间。在硅衬底和反应空间已经到达目标温度之后。智能无功补偿电容器是集成现代测控、电力电子、网络通讯、自动化控制、电力电容器等智能无功补偿装置。广东自愈式低压并联电容器国有企业厂家直销

    微结构300还包括：电介质层140，被布置在电极120的顶表面121上；以及第二电极130，被布置在电介质层140的顶表面上。在实施例中，如图3中所示的，电极120顶表面121的水平端被保留为未被电介质层140覆盖，并且电介质层140在电极120顶表面121的第二水平端的上方延伸。此外，电介质层140顶表面的水平端可以被保留为未被第二电极130覆盖，并且第二电极130可以延伸至电介质层140顶表面的第二水平端。在实施例中，微结构300还可以包括至少一个被布置在衬底10上的连接元件151、152。例如，连接元件151，可以被配置为提供到电极120顶表面121的水平端的连接。例如，连接元件151可以是连接焊盘。例如，第二连接元件152，可以被配置为提供到第二电极130的第二水平端的连接，第二电极的第二水平端与电介质层140顶表面的第二水平端邻近。例如，第二连接元件152也可以是连接焊盘。第二连接元件152可以被第二电极130包括且形成单个元件130。连接元件151和第二连接元件152可以被布置在电介质层140顶表面相反的水平端处。在已知系统中，mim电容器的底电极的厚度通常在μm至1μm之间。由于电阻损耗，这限制了mim电容器品质因子(q)。针对mim电容器的实施例使更厚(5至10μm)的底电极120成为可能。甘肃充气氮气电容器改善电能质量电容器电容的大小，由其几何尺寸和两极板间绝缘介质的特性来决定。

    q)。电极120金属化的顶表面121可以被抛光/平坦化生成光滑的顶表面。这对于mim电容器组件尤其重要，因为电介质层140则没有如在现有已知系统中的台阶覆盖问题。在现有已知方法中，如果厚金属(大于1μm)被放置在晶片的表面上，这会引起电介质层140的台阶以嵌入电极120。由于经抛光且光滑的表面，该实施例的mim电容器的击穿电压也比传统的mim电容器的击穿电压更高。因为针对尤其是底电极的厚金属化，rf功率处理也被好地改进。因此，实现更高的品质因子(q)意味着更低的电阻损耗，以及与现有已知方法相比更容易的后加工。此外，由于光滑的底电极120，在电介质层140中不存在台阶覆盖的问题。这产生了更高的电压和功率处理。图4示出根据本发明实施例的方法流程图。一种形成微结构100、200、300(例如参见图1至图3)的方法开始于步骤410。在步骤420中，具有顶表面111的硅衬底110被提供。在步骤430中，电极120被形成，其具有与衬底110的顶表面111平行的水平定向，其中电极120被嵌入在衬底110内，使得电极120的顶表面121与衬底110的顶表面111一致。在步骤440中，电极120的顶表面被抛光/极化。在步骤450中，电介质层140被形成在电极120的顶表面121上。在步骤460中。

    这对于mems组件尤其重要，因为实施例的结构化层131没有如在现有已知方法中的任何台阶。在现有已知方法中，如果厚金属(大于1μm)被放置在晶片的表面上，这会引起mems组件的结构化层的台阶，并且随后从而潜在地引发问题。因为针对尤其是底电极的厚金属化，rf功率处理也被好地改进。因此，实现更高的品质因子(q)意味着更低的电阻损耗，以及与现有已知方法相比更容易的后加工。此外，由于光滑的底电极120，在电介质层140中不存在台阶覆盖的问题，以及在结构层131中不存在台阶。这产生了更高的电压和功率处理。一般而言，memsrf开关具有优于传统半导体开关的性能优点。例如，当开关开启时，memsrf开关提供极其低的插入损耗，并且当开关断开时展现了高的衰减水平。与半导体开关相反，memsrf开关具有非常低的功耗和高频水平(大约70ghz)。在实施例中，memsrf开关具有mim(金属/绝缘体/金属)结构，即，绝缘体/电介质层140被夹在两个电极120、130之间。因此，当偏置电压施加到memsrf开关(例如，在驱动电极150、151或电极120、130上)，开关作用为电容器，允许ac信号从中经过。在实施例中，图2示出memsrf开关200的截面图。memsrf开关300包括衬底110、电极120、绝缘体。调谐：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器。

    因为作为电解电容器阴极的电解液无法直接和外电路连接，必须通过另一金属电极和电路的其它部分构成电气通路。（4）铝电解电容器的阳极铝箔、阴极铝箔通常均为腐蚀铝箔，实际的表面积远远大于其表观表面积，这也是铝质电解电容器通常具有大的电容量的一个原因。由于采用具有众多微细蚀孔的铝箔，通常需用液态电解质才能更有效地利用其实际电极面积。（5）由于铝电解电容器的介质氧化膜是采用阳极氧化的方式得到的，且其厚度正比于阳极氧化所施加的电压，所以，从原理上来说，铝质电解电容器的介质层厚度可以人为地精确控制。电解电容器电解电容器的用途1．隔直流：作用是阻止直流通过而让交流通过。2．旁路（去耦）：为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗通路。3．耦合：作为两个电路之间的连接，允许交流信号通过并传输到下一级电路4．滤波：这个对DIY而言很重要，显卡上的电容基本都是这个作用。5．温度补偿：针对其它元件对温度的适应性不够带来的影响，而进行补偿，改善电路的稳定性。6．计时：电容器与电阻器配合使用，确定电路的时间常数，时间常数t=RC。7．调谐：对与频率相关的电路进行系统调谐，比如手机、收音机、电视机。当电容器着火时，就立即断开电源，并用砂子和干式灭火器灭火。甘肃超级电解电容器无功补偿谐波治理

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    铝电解电容器用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成，薄的化氧化膜作介质的电容器。因为氧化膜有单向导电性质，所以电解电容器具有极性。容量大，能耐受大的脉动电流。容量误差大，泄漏电流大；普通的不适于在高频和低温下应用，不宜使用在25kHz以上频率。低频旁路、信号耦合、电源滤波。用烧结的钽块作正极，电解质使用固体二氧化锰。温度特性、频率特性和可靠性均优于普通电解电容器，特别是漏电流极小，贮存性良好，寿命长，容量误差小，而且体积小，单位体积下能得到比较大的电容电压乘积。对脉动电流的耐受能力差，若损坏易呈短路状态。超小型高可靠机件中。薄膜电容器结构与纸质电容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质。频率特性好，介电损耗小。不能做成大的容量，耐热能力差。滤波器、积分、振荡、定时电路。瓷介电容器穿心式或支柱式结构瓷介电容器，它的一个电极就是安装螺丝。引线电感极小，频率特性好，介电损耗小，有温度补偿作用。不能做成大的容量，受振动会引起容量变化。特别适于高频旁路。独石电容器在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料，叠合后一次绕结成一块不可分割的整体。广东自愈式低压并联电容器国有企业厂家直销

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