辽宁电力电容器改善电能质量

    微结构300还包括：电介质层140，被布置在电极120的顶表面121上；以及第二电极130，被布置在电介质层140的顶表面上。在实施例中，如图3中所示的，电极120顶表面121的水平端被保留为未被电介质层140覆盖，并且电介质层140在电极120顶表面121的第二水平端的上方延伸。此外，电介质层140顶表面的水平端可以被保留为未被第二电极130覆盖，并且第二电极130可以延伸至电介质层140顶表面的第二水平端。在实施例中，微结构300还可以包括至少一个被布置在衬底10上的连接元件151、152。例如，连接元件151，可以被配置为提供到电极120顶表面121的水平端的连接。例如，连接元件151可以是连接焊盘。例如，第二连接元件152，可以被配置为提供到第二电极130的第二水平端的连接，第二电极的第二水平端与电介质层140顶表面的第二水平端邻近。例如，第二连接元件152也可以是连接焊盘。第二连接元件152可以被第二电极130包括且形成单个元件130。连接元件151和第二连接元件152可以被布置在电介质层140顶表面相反的水平端处。在已知系统中，mim电容器的底电极的厚度通常在μm至1μm之间。由于电阻损耗，这限制了mim电容器品质因子(q)。针对mim电容器的实施例使更厚(5至10μm)的底电极120成为可能。并联电容器。原称移相电容器。辽宁电力电容器改善电能质量

    使得操作为上开关电极的第二电极以及操作为下开关电极的电极开始彼此接触。在实施例中，微结构包括金属-绝缘体-金属(mim)电容器，其中第二电极被布置在电介质层的顶表面上。在实施例中，电极顶表面的水平端被保留为未被电介质层覆盖，并且电介质层在电极的顶表面的第二水平端的上方延伸。在实施例中，电介质层的顶表面的水平端被保留为未被第二电极覆盖，并且第二电极延伸至电介质层顶表面的第二水平端。在实施例中，微结构还包括连接元件，被布置在衬底上且被配置为提供以下各项中的至少一项：连接元件，被配置为提供到电极的顶表面的水平端的连接；以及第二连接元件，被配置为提供到第二电极的第二水平端的连接；第二电极的第二水平端与电介质层的顶表面的第二水平端邻近。根据本发明的第二示例方面，提供一种形成微结构的方法，该方法包括：提供衬底，具有顶表面；形成电极，具有与衬底的顶表面平行的水平定向，其中电极被嵌入在衬底内，使得电极的顶表面与衬底的顶表面一致；在电极顶表面上形成电介质层；以及在电介质层上方形成第二电极。根据本发明的第三示例方面，提供一种半导体装置，包括根据方面的微结构。在实施例中，半导体装置包括集成无源器件(ipd)。江苏超级电解电容器国有企业厂家直销智能电容器是集成了现代测控,电力电子,网络通讯,自动化控制,电力电容器等先进技术。

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    术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，*是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。实施例1本实施例提供一种直插型铝电解电容器，如图1-图6所示，包括铝电解电容器主体1，铝电解电容器主体1的底端设有一对引脚11，铝电解电容器主体1顶端面的边缘处开设有呈下凹状的环槽1a，两个引脚11插接在定位装置2上，定位装置2包括和铝电解电容器主体1底端相贴合的兜条21、位于兜条21的左右两端的侧条22以及一体成型在侧条22侧端的定位凸条23，侧条22的顶端在铝电解电容器主体1的顶端边缘处折弯并伸入到环槽1a内。本实施例中，兜条21、侧条22以及定位凸条23为铝制材料制成的一体成型结构，使得定位装置2便于进行折弯成型，且兜条21、侧条22以及定位凸条23的表面均涂覆一层绝缘材料，避免和两个引脚11接触造成短路。具体的。当电容器在交流电压下使用时，常以其无功功率表示电容器的容量，单位为乏或千乏。

    可以利用具有**小静电荷的薄氧化物层140来优化rf性能。在实施例中，高阻硅衬底110可以被使用。具有新颖钝化层的这种高阻硅衬底110无需表现为与标准硅晶片一样。与微结构衬底110接触的电介质层140的厚度和材料类型对微结构300的性能有影响。尤其影响rf性能。在一些实现中，衬底110可以包括玻璃衬底或硅衬底。在实施例中，例如，铜金属层可以被提供用于***因子传输线和无源组件。金属层可以被聚酰亚胺层140分离并且相同金属层的不同金属层元件可以被第二聚酰亚胺材料分离。作为进一步的步骤，倒装芯片凸块可以被沉积以允许将组件组装到模块。在实施例中，sio2可以被用于电介质材料140，但如果需要更高的电容密度，其他材料也是可用的。例如，ta2o5、hfo或zro2，具有电介质常数为25、16和20。针对ipd器件，可以根据应用选择薄膜电阻器层的电阻。例如，标准工艺薄膜电阻器的电阻，对于匹配的rf终端和用于电阻式wilkinson功率分配器的电阻器来说，是有用的。诸如rfmems偏置电路的应用需要推荐大于500ohm的电阻值。本发明的实施例使新型的mim电容器成为可能，mim电容器的底电极比现有已知系统的更厚。当使用该技术时，这降低了mim电容器技术的电阻性损耗以及增大了品质因子。标准电容器。用于工频高压测量介质损耗回路中，作为标准电容或用作测量高压的电容分压装置.河北电力电容器圆柱型长方型椭圆型

电力电容器，用于电力系统和电工设备的电容器。辽宁电力电容器改善电能质量

    这对于mems组件尤其重要，因为实施例的结构化层131没有如在现有已知方法中的任何台阶。在现有已知方法中，如果厚金属(大于1μm)被放置在晶片的表面上，这会引起mems组件的结构化层的台阶，并且随后从而潜在地引发问题。因为针对尤其是底电极的厚金属化，rf功率处理也被好地改进。因此，实现更高的品质因子(q)意味着更低的电阻损耗，以及与现有已知方法相比更容易的后加工。此外，由于光滑的底电极120，在电介质层140中不存在台阶覆盖的问题，以及在结构层131中不存在台阶。这产生了更高的电压和功率处理。一般而言，memsrf开关具有优于传统半导体开关的性能优点。例如，当开关开启时，memsrf开关提供极其低的插入损耗，并且当开关断开时展现了高的衰减水平。与半导体开关相反，memsrf开关具有非常低的功耗和高频水平(大约70ghz)。在实施例中，memsrf开关具有mim(金属/绝缘体/金属)结构，即，绝缘体/电介质层140被夹在两个电极120、130之间。因此，当偏置电压施加到memsrf开关(例如，在驱动电极150、151或电极120、130上)，开关作用为电容器，允许ac信号从中经过。在实施例中，图2示出memsrf开关200的截面图。memsrf开关300包括衬底110、电极120、绝缘体。辽宁电力电容器改善电能质量

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