江苏滤波电容器补偿柜&补偿滤波模块装置

    其中电极120被嵌入在衬底110内，使得电极120的顶表面121与衬底110的顶表面111一致。微结构200还包括：电介质层140，被布置在电极120的顶表面121上；以及第二电极130，被布置在电介质层140的上方。在实施例中，微结构200还包括结构层131，具有梁结构，其中梁结构的两端均固定到衬底110，并且结构层131包括第二电极130，被设置在结构层131的面对衬底110的表面上。在实施例中，微结构200还包括：至少一个下驱动电极150，被设置在结构层131的下方，以及至少一个上驱动电极151，被设置在结构层131的面对衬底110的表面上。从而，当电势差被布置在上驱动电极151和下驱动电极150之间时，结构层131被静电引力朝向衬底110吸引，使得操作为上开关电极的第二电极130以及操作为下开关电极的电极120开始彼此接触。在实施例中，驱动电极150、151可以与电极120和第二电极130集成，或者电极120和第二电极130可以被用于为电势差提供偏置电压。本发明的实施例使新型的mems开关器件成为可能，这种新型的mems开关器件的底电极比现有已知系统的更厚。当该技术被用作开关电容器技术时，这降低了mems开关技术的损耗以及增大了品质因子(q)。电极120金属化的顶表面可以被抛光/平坦化生成光滑的顶表面。电容器必须在外加电压的作用下才能储存电荷。江苏滤波电容器补偿柜&补偿滤波模块装置

    并且其他条件适于沉积，硅表面可以被调整使得所沉积的材料基本上可以被直接沉积在硅表面上。在其上待被沉积层的硅表面的调整可以包括对硅膜表面进行化学洁净处理，以除去杂质和/或氧化。当硅表面经由氧化环境被送进反应空间时(例如，当将暴露的硅表面从一个沉积工具传送到另一个时)，尤其对氧的去除是有益的。鉴于本说明书，从硅膜的表面去除杂质和/或氧化物的方法的细节对于技术人员将是显而易见的。在本发明的一些实施例中，调节可以在原位进行，即在适合于ald型工艺的工具外部进行。在硅衬底被调整完成后，可以开始将沉积表面交替暴露于不同的前驱体化学物中，以在硅衬底上直接形成进一步的层。由于对应的前驱体与沉积表面的吸附反应，沉积表面每一次暴露于前驱体都会引起在沉积表面上附加沉积的形成。适于ald型沉积的典型反应器包括用于将诸如氮气或氩气的运载气体引入反应空间的系统，使得可以在将下一个前驱体化学物引入到反应空间之前，将剩余的化学物和反应产物从反应空间中处理。该特征与受控剂量的汽化前驱体一起使得能够将基材表面交替地暴露于前驱体，而不会在反应空间或反应器的其他部分中大量混入不同的前驱体。在实践中。四川滤波电容器智能化&泛在物联网通电后，极板带电，形成电压（电势差），但是由于中间的绝缘物质，所以整个电容器是不导电的。

    电解电容器编辑锁定电解电容器的内部有储存电荷的电解质材料，分正、负极性，类似于电池，不可接反。正极为粘有氧化膜的金属基板，负极通过金属极板与电解质（固体和非固体）相连接。无极性（双极性）电解电容器采用双氧化膜结构，类似于两只有极性电解电容器将两个负极相连接后构成，其两个电极分别为两个金属极板（均粘有氧化膜）相连，两组氧化膜中间为电解质。有极性电解电容器通常在电源电路或中频、低频电路中起电源滤波，退耦（ǒu）、信号耦合及时间常数设定、隔直流等作用。无极性电解电容器通常用于音响分频器电路、电视机S校正电路及单相电动机的起动电路。中文名电解电容器外文名electrolytapacitor性质电容器属性电解工作电压为4V、目录1简介2特性参数▪标称电容量和允许偏差▪额定电压▪绝缘电阻▪损耗▪频率特性▪电解电容器的用途▪电容器的寿命3尺寸表电解电容器简介编辑400V680uf高清图片电解电容器的工作电压为4V、、10V、16V、25V、35V、50V、63V、80V、100V、160V、200V、300V、400V、450V、500V，工作温度为-55°~+155℃（4~500V）、，特点是容量大、体积大、有极性，一般用于直流电路中作滤波、整流。

    在实施例中，半导体装置包括钝化层，被布置在硅衬底层和金属层之间。在实施例中，半导体装置包括在至少一个电极的至少一个金属层的表面上延伸的至少一个阻挡层。在实施例中，电介质层包括原子层沉积(ald)生长的氧化铝层。在实施例中，电介质层包括等离子体增强的化学气相沉积(pecvd)层。已经在前面说明了本发明不同的非约束性示例方面和实施例。在前面的实施例*用于解释可以被利用在本发明实现中的所选方面或步骤。一些实施例可以*参考本发明的某些示例方面来被呈现。应当理解，对应的实施例也可以应用到其他示例方面。附图说明为了更好地理解本发明的示例实施例，现在参考结合附图进行以下描述，其中：图1图示了根据本发明实施例的微结构的部分轮廓/侧面图；图2图示了根据本发明实施例的mems开关的微结构；图3图示了根据本发明实施例的mim电容器的微结构；以及图4示出了根据本发明实施例的方法的流程图。具体实施方式在实施例中，公开了微结构，诸如微机电系统(mems)开关、金属-绝缘体-金属(mim)电容器或无源组件和使用电感器和电容器实现的电路。例如，集成无源器件(ipd)技术也可以通过混合集成的有源电路被用作针对多芯片模块技术的集成平台。因为氧化膜有单向导电性质，所以电解电容器具有极性。

    诸如平衡-不平衡变换器、耦合器、滤波器、lc谐振器和匹配电路。在已知的技术方案中，诸如微机电系统(mems)金属化的微结构生长在晶片之上。这将底电极的厚度通常限制为低于2μm。已知的技术方案还具有电阻损耗。本发明的目的是提供方法、结构和装置，来缓解例如，现有技术的以上问题。技术实现要素：本发明示例的各个方面被阐述在权利要求中。根据本发明的示例方面，提供一种微结构，包括：衬底，具有顶表面；电极，具有平行于衬底顶表面的水平定向，其中电极被嵌入在衬底内，使得电极的顶表面与衬底的顶表面一致；电介质层，被布置在电极的顶表面上；以及第二电极，被布置在电介质层的上方。在实施例中，电极的顶表面被抛光。在实施例中，电极的厚度大于5μm。在实施例中，微结构包括微机电系统(mems)开关，以及还包括：结构层，具有梁结构，梁结构的两端均被固定到衬底，并且结构层包括被设置在结构层的面对衬底的表面上的第二电极。在实施例中，微结构还包括：下驱动电极，被设置在结构层的下方，以及上驱动电极，被设置在结构层的面对衬底的表面上，其中当电势差被布置在上驱动电极和下驱动电极之间时，该结构层被静电引力朝向衬底吸引。标准电容器。用于工频高压测量介质损耗回路中，作为标准电容或用作测量高压的电容分压装置.广东自愈式低压并联电容器国有企业厂家直销

国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。江苏滤波电容器补偿柜&补偿滤波模块装置

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上海东容电器有限公司是一家电容器、石墨制品的生产，电器机械及器材的组装，电器、元器件、五金交电、化工产品（除危险化学品、监控化学品、烟花爆竹、民用物品、易制毒化学品）、塑料制品、建筑材料的销售。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】的公司，致力于发展为创新务实、诚实可信的企业。上海东容电器作为电容器、石墨制品的生产，电器机械及器材的组装，电器、元器件、五金交电、化工产品（除危险化学品、监控化学品、烟花爆竹、民用物品、易制毒化学品）、塑料制品、建筑材料的销售。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】的企业之一，为客户提供良好的电容器，电抗器，电能质量，有源滤波。上海东容电器不断开拓创新，追求出色，以技术为先导，以产品为平台，以应用为重点，以服务为保证，不断为客户创造更高价值，提供更优服务。上海东容电器始终关注电工电气市场，以敏锐的市场洞察力，实现与客户的成长共赢。