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时间:2023年01月19日 来源:

每个亚波长结构具有大约λ/2的厚度,其中,λ是该vcsel结构的峰值输出波长。示例30包括示例23至29中任一项的主题,还包括在衬底的表面上的多个vcsel结构,其中,多个vcsel结构中的每个vcsel结构包括多个亚波长结构。示例31包括示例23至30中任一项的主题,其中,多个亚波长结构包括具有基部和顶部的至少一个亚波长结构,其中,基部比顶部宽。示例32包括示例23至31中任一项的主题,其中,多个亚波长结构包括具有基部和顶部的至少一个亚波长结构,其中,基部比顶部窄。示例33是一种布置在光学设备上的亚波长结构。该亚波长结构包括芯材和在芯材的一个或多个表面上的壳材。芯材具有***折射率并且具有比光源的峰值输出波长小的尺寸。壳材具有大于***折射率的第二折射率。示例34包括示例33的主题,其中,芯材是圆柱状结构。示例35包括示例34的主题,其中,芯材和壳材具有在λ/10到λ/5之间的直径,其中,λ是光源的峰值输出波长。示例36包括示例33至35中任一项的主题,其中,壳材具有小于5nm的厚度。示例37包括示例33至36中任一项的主题,其中,壳材包括氧化钛,并且芯材包括氮化硅。示例38包括示例33至37中任一项的主题,其中,壳材*在芯材的侧壁上。菲涅尔透镜技术工厂直销;现代化菲涅尔透镜服务电话

壳材806可以具有小于10nm、小于5nm、小于1nm的厚度或单层原子。图9a至9c示出了根据一些实施例的图案化在vcsel结构的顶层802上的元原子的不同示例。图9a示出了***元结构902,其中,壳材806围绕用于每个元原子的芯材804,但是不覆盖顶层802在每个元原子之间的区域。在蚀刻工艺期间,使用例如光刻胶或硬掩模来保护壳材806的围绕芯材804的部分,以移除壳材806在顶层802的表面上的暴露部分。图9b示出了第二元结构904,其中,壳材906共形地覆盖包括芯材804的所有表面和顶层802的表面。图9c示出了第三元结构906,其中,壳材806*覆盖芯材804的一个或多个侧壁。在沉积壳材806后,可以执行包层各向异性干法蚀刻工艺,以移除壳材806的所有水平平面部分,*留下芯材804的侧壁上的那些部分。图10示出了根据实施例的包括不止一种类型的元原子的元结构1000(这里称为“元分子(metamolecule)”)的另一示例。根据实施例,***元原子1002包括具有基部1006和顶部1008的芯材。基部1006可以比顶部1008更宽或更窄。第二元原子1004包括芯材1010,并且***元原子1002和第二元原子1004二者被壳材1012环绕。个性化菲涅尔透镜施工管理菲涅尔透镜效率代理价格。

集成电路(ic)、**集成电路(asic)、片上系统(soc)、桌面型计算机、膝上型计算机、平板计算机、服务器、智能电话等。其他实施例可以被实现为由可编程控制设备执行的软件。如本文描述的,各种实施例可以使用硬件元件、软件元件、或它们的任意组合实现。硬件元件的示例可以包括处理器、微处理器、电路、电路元件(例如,晶体管、电阻器、电容器、电感器等)、集成电路、**集成电路(asic)、可编程逻辑器件(pld)、数字信号处理器(dsp)、现场可编程门阵列(fpga)、逻辑门、寄存器、半导体器件、芯片、微芯片、芯片集等。本文提出了很多具体细节,以提供对实施例的透彻理解。但是,将明白的是,可以在没有这些具体细节的条件下实施实施例。另外,尽管以特定于结构特征和/或方法动作的语言描述了主题,但是将理解的是,所附权利要求中限定的主题不一定局限于本文描述的具体特征或动作。相反,本文描述的具体特征和动作被作为实现权利要求的示例形式公开。另外的示例实施例下面的示例涉及另外的实施例,根据这些实施例多种排列和配置将是明显的。示例1是一种激光源。该激光源包括衬底、一个或多个***vscel结构、以及一个或多个第二vcsel结构。一个或多个***vcsel结构在衬底的表面上。

面部识别、从图像的特征提取等)、以及改善机器人及其环境之间的交互的机器人学在内的很多领域有用。但是,仍然有很多与sli相关联的未解决的问题。技术实现要素:本申请一方面提供了一种激光源。该激光源包括:衬底;一个或多个***垂直腔面发射激光器(vcsel)结构,一个或多个***vcsel结构在衬底的表面上,其中每个***vcsel结构具有***孔径宽度,并且每个***vcsel结构单独地在衬底的表面上方延伸;以及一个或多个第二vcsel结构,一个或多个第二vcsel结构在衬底的表面上,其中每个第二vcsel结构具有不同于***孔径宽度的第二孔径宽度,并且每个第二vcsel结构单独地在衬底的表面上方延伸。本申请另一方面提供了一种光投影仪系统。该光投影仪系统包括:激光源,被配置为生成向物体发送的辐射,以及图像传感器,被配置为接收从物体反射的辐射。该激光源包括:衬底,一个或多个***vcsel结构,一个或多个***vcsel结构在衬底的表面上,其中每个***vcsel结构具有***孔径宽度,并且每个***vcsel结构单独地在衬底的表面上方延伸,以及一个或多个第二vcsel结构,一个或多个第二vcsel结构在衬底的表面上,其中每个第二vcsel结构具有不同于***孔径宽度的第二孔径宽度。什么是菲涅尔透镜包括哪些构件?

图3示出了根据实施例的光源202或者光源202的至少一部分的自顶向下的视图。光源202包括衬底302,该衬底具有布置在衬底302的表面上的多个vcsel结构304。在一些实施例中,衬底302可以是:包括第iv族半导体材料(例如,si、ge、sige)、第iii-v族半导体材料(例如,gaas、gaassb、gaasin)、和/或根据本公开将明白的任何一种或多种其他适当材料的大块衬底;绝缘体上的x(xoi)结构,其中,x是前述材料(例如,第iv和/或iii-v族半导体材料)之一,绝缘体材料是氧化物材料或介电材料或者一些其他电绝缘材料,从而xoi结构包括两个半导体层之间的电绝缘材料层;或者一些其他适当的多层结构,其中,顶层包括前述半导体材料(例如,第iv和/或iii-v族半导体材料)之一。这里使用的“第iv族半导体材料”(或“第iv族材料”或统称“iv”)在包括至少一种第iv族元素(例如,硅、锗、碳、锡),例如,硅(si)、锗(ge)、硅锗(sige)等。这里使用的“第iii-v族半导体材料”(或“第iii-v族材料”或统称“ii-v”)包括至少一种第iii族元素(例如,铝、镓、铟)和至少一种第v族元素(例如,氮、磷、砷、锑、铋),例如,砷化镓(gaas)、砷化镓铟(ingaas)、砷化铝铟(inalas)、磷化镓(gap)、锑化镓(gasb)、磷化铟。菲涅尔透镜图材料模板有哪些?肇庆菲涅尔透镜 作用

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可以确定在***多个vcsel结构和第二多个vcsel结构之间的孔径宽度的大小,使得从发射的辐射生成任意数目的不同横向激光模式和斑点模式。通过从具有不同孔径宽度的vcsel结构发射辐射,可以降低斑点噪声。在使用具有两个不同孔径宽度的两组vcsel结构的示例中,斑点噪声降低大约可以使用附加的vcsel结构阵列,其中每个阵列具有不同的孔径宽度,以将斑点噪声降低因数其中n是不同vcsel阵列的数目。接着,在操作1106,在由***和第二vscel结构发射的辐射被从物体反射出来之后,在检测器处接收该辐射。所接收的辐射可被用来定义物体的数字3d图像。当然,在一些实施例中,如先前结合系统所描述的,可以执行附加操作。具体地,辐射可以从与***和第二多个vcsel结构布置在相同衬底上的第三多个vcsel结构发射。第三多个vcsel结构中的每个vcsel结构包括不同于***和第二多个vcsel结构的孔径宽度的孔径宽度,使得从第三多个vcsel结构发射的辐射产生了不同于***和第二斑点图案的第三斑点图案。除非一其他方式明确声明,否则可以明白的是,诸如“处理”、“计算”、“运算”、“确定”之类的术语指的是计算机或计算系统或类似电子计算设备的动作和/或处理。现代化菲涅尔透镜服务电话

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