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另一部分虚焊焊点往往在一年甚至更长的时间才出现开路的现象，使产品停止工作，造成损失。虚焊有其隐蔽性、故障出现的偶然性以及系统崩溃损失的重大性，不可忽视。研究虚焊的成因，降低其危害，是我国从电子制造大国向电子制造强国发展必须重视的重要课题。导致虚焊的原因大致分为几个方面：1）元器件因素；2）基板（通常为PCB）因素；3）助焊剂、焊料因素；四、工艺参数及其他因素。下面进行详细分析。1元器件因素引起的虚焊及其预防元器件可焊部分的金属镀层厚度不够、氧化、污染、变形都可造成虚焊的结果。可焊部分的金属镀层厚度不够通常元器件可焊面镀有一定厚度的、银白色的、均匀的易焊锡层，如果镀层太薄或者镀层不均匀，以及铜基镀锡或钢基镀铜再镀锡，其铜和锡之间相互接触形成的铜锡界面，两种金属长时间接触就会相互渗透形成合金层扩散，使锡层变薄，导致焊面的可焊性下降。（可焊性指金属表面被熔融焊料润湿的能力）购买长期良好合作的大公司元器件可降低此原因造成的虚焊风险。元器件可焊面氧化电子元器件由于保存时间过长或者保存条件不当，都可以造成电子元器件引脚或焊端表面氧化，从而造成虚焊的产生。氧化后的焊面发灰、发黑。

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场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用非常为多方面的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及非常近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。东莞开关场效应管性能场效应管是由多子参与导电。

场效应晶体管（缩写FET）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8~10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）；场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声相对会比较低。一般可应用于遥控玩具。

普通三极管参与导电的，既有多数载流子，又有少数载流子，故称为双极型三极管；而在场效应管中只是多子参与导电，故又称为单极型三极管。因少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以场效应管比三极管的温度稳定性好、抗辐射能力强、噪声系数很小。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。三极管是电流控制器件，通过控制基极电流到达控制输出电流的目的。因此，基极总有一定的电流，故三极管的输人电阻较低；场效应管是电压控制器件，其输出电流决定于栅源极之间的电压，栅极基本上不取电流，因此，它的输入电阻很高，可达109～1014Ω。高输入电阻是场效应管的突出优点。场效应管的漏极和源极可以互换（某些），耗尽型绝缘栅管的栅极电压可正可负，灵活性比三极管强。但要注意，分立的场效应管，有时已经将衬底和源极在管内短接，源极和漏极就不能互换使用了。锂电保护的mos产品哪家便宜？

简称晶体管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。按材料来分可分硅和锗管，我国目前生产的硅管多为NPN型，锗管多为PNP型。4、半导体三极管放大的条件:要实现放大作用，必须给三极管加合适的电压，即管子发射结必须具备正向偏压，而集电极必须反向偏压,这也是三极管的放大必须具备的外部条件。5、半导体三极管的主要参数a;电流放大系数：对于三极管的电流分配规律Ie=Ib+Ic,由于基极电流Ib的变化，使集电极电流Ic发生更大的变化，即基极电流Ib的微小变化控制了集电极电流较大，这就是三极管的电流放大原理。即β=ΔIc/ΔIb。b;极间反向电流，集电极与基极的反向饱和电流。c;极限参数：反向击穿电压，集电极比较大允许电流、集电极比较大允许功率损耗。6、半导体三极管具有三种工作状态，放大、饱和、截止，在模拟电路中一般使用放大作用。饱和和截止状态一般合用在数字电路中。a;半导体三极管的三种基本的放大电路。b;三极管三种放大电路的区别及判断可以从放大电路中通过交流信号的传输路径来判断，没有交流信号通过的极。中低压mos哪家品质好？中山品质场效应管

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