无锡发光二极管原理
点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而形成的。其PN结的静电容量小,适用于高频电路。因为构造简单,所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言,它是应用范围较广的类型。与面结型相比较,点接触型二极管正向特性和反向特性都差,因此不能使用于大电流和整流。将细铝丝的一端接在阳极引线上,另一端压在掺杂过的N型半导体上。加上电压后,细铝丝在接触点处融化并渗入融化部分的中。这样,接触点实际上是P型半导体,并附着在N型半导体上形成PN结。二极管具有阳极和阴极两个端子,电流只能往单一方向流动。无锡发光二极管原理
光电二极管特性可以用一个等效电路模型表示,该模型由一个理想的二极管一个电流源和其他寄生的电阻电容构成。其中电流源表示了光电二极管产生的光电流信号,理想二极管表示了P-N结,体现了光电二极管正向偏压状态时的电压条件。旁路电阻R表示了光电二极管的伏安特性曲线中的斜率,即偏压为零时的结电阻。对理想的光电二极管来说,旁路电阻是无穷大的,但实际应用中旁路电阻阻值的变化为10- 1000M。旁路电阻影响了光电二极管的暗电流噪声,光电二极管的性能越好,其旁路电阻越大。串联电阻R是由接触电阻和未耗尽的体电阻构成,大小与光电二极管的尺寸、偏压有关;结间电容C表示了光电二极管P-N结的电荷存储能力,与二极管面积和反向电压有关。珠海半导体二极管稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管,具有稳定电压的作用。
二极管电路分析思路说明对电路中VD1和VD2作用分析的思路主要说明下列几点:(1)从电路中可以看出,VD1、VD2、VD3和VD4、VD5、VD6两组二极管的电路结构一样,这两组二极管在这一电路中所起的作用是相同的,所以只要分析其中一组二极管电路工作原理即可。(2)集成电路A1的①脚通过电阻R1与三极管VT1基极相连,显然R1是信号传输电阻,将①脚上输出信号通过R1加到VT1基极,由于在集成电路A1的①脚与三极管VT1基极之间没有隔直电容,根据这一电路结构可以判断:集成电路A1的①脚是输出信号引脚,而且输出直流和交流的复合信号。确定集成电路A1的①脚是信号输出引脚的目的是为了判断二极管VD1在电路中的具体作用。
二极管的正向特性:外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。 当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。 当二极管两端的正向电压超过一定数值 ,内电场很快被削弱,特性电流迅速增长,二极管正向导通。 叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为0.5V,锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V,锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件。
二极管的伏安特性二极管具有单向导电性,二极管的伏安特性曲线 。在二极管加有正向电压,当电压值较小时,电流极小;当电压超过0.6V时,电流开始按指数规律增大,通常称此为二极管的开启电压;当电压达到约0.7V时,二极管处于完全导通状态,通常称此电压为二极管的导通电压,用符号UD表示 。对于锗二极管,开启电压为0.2V,导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压,当电压值较小时,电流极小,其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时,电流开始急剧增大,称之为反向击穿,称此电压为二极管的反向击穿电压,用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大,从几十伏到几千伏。二极管采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体。广东瞬变抑制二极管
二极管P型半导体是在本征半导体掺入少量三价元素杂质,如硼等。无锡发光二极管原理
稳压二极管在汽车电路上的应用:在汽车电路中由于各个电器总成或元件的工作电流比较大,使汽车电源系统的电压会出现波动,因此,在一些需要精确电压值的地方经常利用稳压管来获取所需电压。下图是利用稳压管为汽车仪表提供稳定电源的电路,图中的稳压管与电阻串联而与仪表并联。当电源电压发生变化时,也只是引起不同大小的电流流过电阻和稳压管,改变电阻上的电压,而稳压管始终维持一定的电压,从而起到稳压的作用。)稳压二极管的检测稳压二极管的极性和性能好坏的测量与普通二极管的测量方法相似,不同之处在于:当使用指针式万用表的R×1kΩ挡测量二极管时,测得其反向电阻是很大的,此时,将万用表转换到R×10kΩ挡,如果出现万用表指针向右偏转较大角度,即反向电阻值减小很多,则该二极管为稳压二极管;如果反向电阻基本不变,说明该二极管是普通二极管,而不是稳压二极管。无锡发光二极管原理
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