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国产化情况:国产自给率低，技术加速追赶。根据中国电子设备工业协会数据，预计2018年国产泛半导体设备销售额约109亿元，但真正的IC设备国内市场自给率有5%左右，国产替代空间巨大。在02专项的统筹规划下，国内半导体厂商分工合作研发不同设备，涵盖了主要设备种类。国内厂商仍处于技术追赶期，但随着摩尔定律趋近极限，技术进步放缓，国内厂商与全球技术差距正在逐渐缩短，我们认为未来3-5年将是半导体设备国产替代黄金战略机遇期。、设备简介:技术高、进步快、种类多、价值大半导体行业技术高、进步快，一代产品需要一代工艺，而一代工艺需要一代设备。半导体产业技术进步主要有两大方向:一是制程越小→晶体管越小→相同面积上的元件数越多→性能越高→产品越好;二是硅片直径越大→硅片面积越大→单个晶圆上芯片数量越多→效率越高→成本越低。半导体工艺流程主要包括单晶硅片制造、IC设计、IC制造和IC封测。单晶硅片制造需要单晶炉等设备，IC制造需要光刻机、刻蚀机、薄膜设备、扩散\离子注入设备、湿法设备、过程检测等六大类设备。半导体设备中，晶圆代工厂设备采购额约占80%，检测设备约占8%，封装设备约占7%，硅片厂设备等其他约占5%。一般情况下。 常见一般机电设备有：机床设备、仪器设备、半导体设备、加工中心、冲床、铣床、光伏设备、磨床等各种设备。保税区专业半导体设备进口报关客服电话

2016年，印发《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划。规划提出，到2020年，战略性新兴产业增加值(含半导体产业)占国内生产总值比重达到15%。半导体设备具备极高的门槛和壁垒，全球半导体设备主要被日美所垄断，设备如光刻、刻蚀、PVD、CVD、氧化/扩散等设备的top3市占率普遍在90%以上。目前光刻机、刻蚀、镀膜、量测、清洗、离子注入等设备的国产率普遍较低。经过多年培育，国产半导体设备已经取得较大进展，整体水平达到28nm，并在14nm和7nm实现了部分设备的突破。具体来讲，28nm的刻蚀机、薄膜沉积设备、氧化扩散炉、清洗设备和离子注入机已经实现量产；14nm的硅/金属刻蚀机、薄膜沉积设备、单片退火设备和清洗设备已经开发成功。8英寸的CMP设备也已在客户端进行验证；7nm的介质刻蚀机已被中微半导体开发成功；上海微电子已经实现90nm光刻机的国产化。在中低端制程，国产化率有望得到提升，先进制程产线为保证产品良率，目前仍将以采购海外设备为主。光刻机：高精度光刻机被ASML、尼康、佳能三家垄断，上海微电子是国内前列的光刻机制造商，公司封装光刻机国内市占率80%，全球40%，光刻机实现90nm制程，并有望延伸至65nm和45nm。 保税区实力的半导体设备进口报关公司在半导体设备/LCD面板设备/光伏电池片设备的进口物流和报关细作耕耘。

公司参与认购中芯国际配售股份，公司作为fabless厂与晶圆代工厂中芯国际战略合作形成虚拟IDM，在产能上将有望优先获得中芯国际的支持，从而提高公司产品的占有率。收购思立微，形成MCU+存储+交互解决方案。2018年3月，公司收购国内市场的智能人机交互解决方案供应商思立微，其产品以触控芯片和指纹芯片等新一代智能移动终端传感器SoC芯片为主。本次交易将一定程度上补足公司在传感器、信号处理、算法和人机交互方面的研发技术，提升相关技术领域的产品化能力，在整体上形成完整的MCU+存储+交互系统解决方案，为上市公司进一步快速发展注入动力。公司牵手合肥产投，进军DRAM领域；入股中芯国际，形成虚拟IDM，提高产能扩充能力；收购思立微，形成MCU+存储+交互解决方案，为上市公司进一步快速发展注入动力。

新旧半导体设备清关流程:1）请提供要进口设备的：具体中文名称，型号，产地，出厂日期，长宽高，重量，数量，成色，新、旧购买设备的货值，每台设备清晰的全景的正面、左，右两侧和铭牌部位图片各1张2）其次，对于二手机电产品进口需要办理的手续有：进口旧机电产品商检备案，进口旧机电产品预装运前检验检疫证明，进口旧机电产品自动进口许可证或进口许可证，进口商检通关单，进口报关3）基本流程：客户提供要进口设备资料与图片→我司核算各种进口费用→报价→签定进口代理协议→我司在国内办理新旧机电设备进口商检备案与检验检疫申请→国外出口海运订仓→海运到香港（发货前也可在国外完成CCIC中检）→换单，提货→我司香港仓库→联系香港中检公司做检验→中检合格后→办旧机电进口许可证→从香港安排驳船到内河码头→口岸商检局换正本备案与检验检疫合格证书→我司报检→出商检通关单→商检局现场检验核对→我司准备进口报关资料→海关进口审核→出税单交税→海关查验→提货放行4）操作时间。 成套半导体集成和封装设备进口报关物流公司。

获取报告请登录未来智库。，MOCVD实现国产替代公司深耕刻蚀设备，技术比肩国际巨头。中微公司成立于2004年，前身为中微有限。公司主营业务为半导体等离子刻蚀设备（Etch）和用于LED的金属气相沉积设备（MOCVD），刻蚀设备方面，公司自成立以来便着手开发等离子刻蚀设备，目前已涵盖CCP、ICP和深硅刻蚀三大领域，刻蚀设备已在海内外前列客户芯片生产线进行65纳米到5纳米工艺的芯片加工制造。由于公司开发出与美国设备公司具有同等质量和相当数量的等离子体刻蚀设备并实现量产，美国商务部在2015年宣布解除了对我国等离子体刻蚀设备多年的出口管制。CCP刻蚀设备：自成立伊始公司就着手开发甚高频去耦合等离子体刻蚀设备PrimoD-RIE（CCP刻蚀设备），到目前为止已成功开发了双反应台PrimoD-RIE、双反应台PrimoAD-RIE和单反应台PrimoSSCAD-RIE三代刻蚀设备，以及用于存储芯片的PrimoHD-RIE，涵盖65-5纳米微观器件的众多刻蚀应用。ICP刻蚀设备：2012年公司开发电感性等离子体刻蚀设备（ICP刻蚀设备），2018年发布代电感耦合等离子体刻蚀设备Primonanova，该设备不仅能够用于多种导体刻蚀工艺，比如浅沟槽隔离刻蚀（STI）、多晶硅栅极刻蚀；同时可用于介质刻蚀，如间隙壁刻蚀。 从半导体设备的产品光刻机、刻蚀机、PVD、CVD和氧化/扩散设备清关服务公司。瑞士代理半导体设备进口报关诚信推荐

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2016财年的订单均占该公司销售收入的10%以上。2014和2015财年，Lam在韩国半导体设备销售额比较高，占整体销售比例为24%和27%，在中国台湾地区销售额高达，同比增长，占比为25%。由于中国大陆半导体产业的快速发展，2016财年，中国大陆成为Lam半导体设备销售的第二大市场。东京电子东京电子是日本前列的半导体设备提供商，主要从事半导体设备和平板显示器设备制造。英文简写为TEL，全称为TokyoElectronLimited。1963年在日本东京成立，公司名为东京电子研究所。1968年东京电子与ThermcoProductsCorp合作开始生产半导体设备。1978年公司正式改名为东京电子有限公司。1983年，东京电子与美国公司拉姆研究合作，引进当时前列的美国技术，在日本本土开始生产刻蚀机。公司在2018财年营业收入增长，净利润增长。公司十分注重研发投入，2018财年的计划研发费用约1200亿日元（约合80亿人民币），设备投资510亿日元（约合30亿人民币），东京电子业务分为两大板块：工业机械制造和电子计算机组件，其中工业机械设备制造又细分为半导体制造和平板显示器以及光伏设备制造。根据公司年报，从2015财年开始，半导体制造已经成为公司发展业务，占公司总营收90%以上。 保税区专业半导体设备进口报关客服电话

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