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太阳能电池的性能参数主要有：短路电流、开路电压、峰值电流、峰值电压、峰值功率、填充因子和转换效率等。当然还有电流和电压参数的温度系数，

各参数具体解释如下：

①短路电流(isc)：当将太阳能电池的正负极短路、使u=0时，此时的电流就是电池片的短路电流，短路电流的单位是安培(a)，短路电流随着光强的变化而变化。

②开路电压(uoc)：当将太阳能电池的正负极不接负载、使i=0时，此时太阳能电池正负极间的电压就是开路电压，开路电压的单位是伏特(v)。单片太阳能电池的开路电压不随电池片面积的增减而变化，一般为0.5～0.7v。

③峰值电流(im)：峰值电流也叫比较大工作电流或比较好工作电流。峰值电流是指太阳能电池片输出比较大功率时的工作电流，峰值电流的单位是安培(a)。

④峰值电压(um)：峰值电压也叫比较大工作电压或比较好工作电压。峰值电压是指太阳能电池片输出比较大功率时的工作电压，峰值电压的单位是v。峰值电压不随电池片面积的增减而变化，一般为0.45～0.5v，典型值为0.48v。

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大面积的太阳能电池板，差不多2平方米的太阳直射能提供约2000w的功率，但是民用太阳能电池板一般只能提供10%～15%的转换效率

也就是说一平方的太阳能电池板只能提供200w～300w，而且还是必须是直射，由于个人很难安装24小时自动**准太阳角度的设备，所以实际效率还会更低。弄得不好的话估计也就能提供100～150w的平均功率

单晶125R150,的面积是14871平方mm 多晶156是24336平方mm 也就是长X宽等于面积

太阳能电池板哪家公司做的好，无锡萨克特给您答案，欢迎您的来电！！！ 黑龙江单晶硅太阳能电池片多岁钱一片太阳能电池板能做的**小尺寸？

    太阳能电池片的生产工艺流程分为硅片检测——表面制绒及酸洗——扩散制结——去磷硅玻璃——等离子刻蚀及酸洗——镀减反射膜——丝网印刷——快速烧结等。具体介绍如下：一，硅片检测硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。二、表面制绒单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率三、扩散制结太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的设备四、去磷硅玻璃该工艺用于太阳能电池片生产制造过程中，通过化学腐蚀法也即把硅片放在氢氟酸溶液中浸泡，使其产生化学反应生成可溶性的络和物六氟硅酸，以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃。五、等离子刻蚀由于在扩散过程中，即使采用背靠背扩散，硅片的所有表面包括边缘都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。因此，必须对太阳能电池周边的掺杂硅进行刻蚀，以去除电池边缘的PN结。

太阳能电池片的A规和B规的主要分标准是从外观和机械性能等各个参数来说的:

外观分;色差:A 只允许有同种颜色 B 允许有两种相近色,(蓝或深蓝,淡蓝)

漏浆,A 不允许 B ≤3㎡

脏污,A ≤3㎡ B ≤9㎡

结点;水印;主栅线缺损,多印;背电极缺损,多印;背电场左右偏移,多印,缺损;铝刺;V型缺口;缺角;等.A级是优品,B为合格品.

另外A规为***片≥15.75% 单晶

≥15.5% 多晶

以15.75为例,单晶的A规的价格应该是30-50/W之间

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按电池片的类型可以分：单晶、多晶、非晶三种，现工厂生产的多为多晶和单晶非晶较少

按电池板中包含的电池片的多少主要有：5612p、5612M、6610P、6612P

注：5612M

5：电池片尺寸

6：电池片的串数

12：单串电池片的数量

P（多晶）、M（单晶）

你见到的纯黑色多为：单晶

深蓝色多为：多晶

还有楼主说的“花”，是多晶才有的，多晶是由多个单晶组成，单晶和单晶在成晶的时候由于条件的不同之间会有的界限，线切割完后会看到不规格的图案，熟称“花”，实际上一个花就是一个单晶，所以从单晶转换的效率看大花的效率要比小花的效率高。 太阳能电池片连接问题！贵州双晶硅太阳能电池片瓦数

太阳能电池片和太阳能电池板的区别？黑龙江单晶硅太阳能电池片多岁钱一片

    太阳能电池片的生产工艺流程分为硅片检测--表面制绒及酸洗--扩散制结--去磷硅玻璃--等离子刻蚀及酸洗--镀减反射膜--丝网印刷--快速烧结等。具体介绍如下:一、硅片检测硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。在进行少子寿命和电阻率检测之前，需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。硅片检测设备能够自动装片和卸片，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度和效率。二、表面制绒单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20~25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。 黑龙江单晶硅太阳能电池片多岁钱一片