中文资料WILLSEMI韦尔WS72631

    WS4508E是一款针对单节锂离子电池的完整恒流/恒压线性充电器。其内部采用MOSFET架构，无需外部感测电阻和阻断二极管。热反馈机制可以调节充电电流，以在高功率操作或高环境温度下限制芯片温度。充电电压固定为4.2V，而充电电流可以通过一个外部电阻进行编程。

特性：

· 可编程充电电流高达600mA

· 过温保护

· 欠压锁定保护

· 自动再充电阈值典型值为4.05V

· 充电状态输出引脚

· 2.9V涓流充电阈值

· 软启动限制浪涌电流

应用：

· 无线电话

· MP3/MP4播放器

· 蓝牙设备

    WS4508E是一款锂离子电池充电器，适用于便携式电子产品。其内置MOSFET简化了电路设计，降低了成本。其热反馈机制确保了在各种环境下的安全充电。充电电压固定为4.2V，电流可编程，至高600mA，适应不同电池和充电需求。充电结束和电源移除时，自动进入低电流和关机模式，降低功耗。采用SOT-23-5L封装，符合无铅标准，适用于各种电子设备。提供可靠、高效的充电解决方案。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。 WD3168E-6/TR DC-DC电源芯片 封装：SOT-23-6L。中文资料WILLSEMI韦尔WS72631

WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升压转换器

产品描述：

     WD3133是一款高效率、高功率的峰值电流模式升压转换器。内部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET，至小电流限制为1A。对于使用锂离子电池的便携式设备，WD3133可以从3.3V~5V的输入电压输出典型的12V/200mA~300mA。这款升压转换器WD3133采用脉冲宽度调制（PWM）模式，固定开关频率为1.2MHz，以减少输出纹波并提高转换效率。它还允许使用小型外部组件。在轻负载电流下，转换器进入跳过模式，以在绝大部分的负载电流范围内保持高效率。内置的软启动电路可以至小化启动时的涌入电流。WD3133采用SOT-23-5L封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性：

宽输入电压范围：2.7V至5.5V1.25V（±2%）

高精度参考电压1.2MHz开关频率

高达93%的效率

超过1A（至小值）的功率开关电流限制

从3.3V~5V的输入提供典型的12V/200mA~300mA输出

内置软启动

应用领域：

智能手机

平板电脑

便携式游戏机

平板电脑（PADs）

      WD3133是专为便携式设备设计的高效升压转换器，1.2MHz开关频率和宽输入电压范围使其适用于多种场景，如智能手机、平板电脑和游戏机等。其软启动电路和电流限制功能增强了安全性和可靠性，是电源管理的理想选择。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WMM7040DTHN0-8/TRWAS7227Q-10/TR 模拟开关/多路复用器 封装：WQFN-10(1.4x1.8)。

ES9DN12BA瞬态电压抑制器

    ES9DN12BA是一款瞬态电压抑制器（TVS），专为保护连接到数据和传输线的敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性：DFN1006-2L封装：紧凑的尺寸使得它易于集成到各种电路板中。无铅和无卤素：符合环保要求，适用于对无铅和无卤素有需求的场合。

特性：

· 截止电压：±12V。

· 按照IEC61000-4-2标准的ESD保护：±30kV（接触放电）

· 按照IEC61000-4-5标准的浪涌保护：5.5A（8/20μs）

· 典型电容：CJ=27pF

· 极低泄漏电流：IR=0.1nA

· 低钳位电压：在IPP=16A（TLP）时，VCL=20V。

· 固态硅技术：确保器件性能稳定和长寿命。

应用：

· 计算机及其外设：如键盘、鼠标、显示器等。

· 手机

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

    ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬态电压抑制器，专为保护敏感电子元件免受静电和电气瞬变的影响而设计。其优异的保护能力、紧凑的封装和环保特性使其成为各种电子设备制造商的理想选择。无论是计算机、手机还是便携式电子设备，ES9DN12BA都能提供强大的保护，确保设备的稳定性和可靠性。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。

ESD9B5VL：单线双向瞬态电压抑制器

产品描述

     ESD9B5VL是一个双向瞬态电压抑制器（TVS）。它特别设计用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件，免受由静电放电（ESD）、电气快速瞬态（EFT）和雷电引起的过应力影响。根据IEC61000-4-2标准，ESD9B5VL可用于提供高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护，并可根据IEC61000-4-5标准承受高达3A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD9B5VL采用FBP-02C封装。标准产品为无铅和无卤素。

产品特性

· 反向截止电压：±5VMax

· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线路

· 瞬态保护：±20kV（接触和空气放电）

· 根据IEC61000-4-4（EFT）的瞬态保护：20A（5/50ns）

· 根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：3A（8/20μs）

· 电容：CJ=5.0pFtyp

· 低泄漏电流：IR<1nAtyp

· 低箝位电压：VCL=13Vtyp.@IPP=16A（TLP）

· 固态硅技术

应用领域

· 手机

· 平板电脑

· 笔记本电脑

· 其他便携式设备

· 网络通信设备    

    ESD9B5VL是高效的瞬态电压抑制器，保护电子设备免受静电放电等瞬态事件影响。适用于手机、平板等便携式设备，保护敏感电子组件。高保护能力、低泄漏和低箝位电压，稳定可靠。详情请查阅数据手册或联系我们。 WL2803E12-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装：SOT-23-5L。

ESD5471X1线双向瞬态电压抑制器

产品描述：

     ESD5471X是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它特别设计用于保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子组件，免受由静电放电（ESD）、电气快速瞬态（EFT）和雷电引起的过应力影响。根据IEC61000-4-2标准，ESD5471X可用于提供高达±30kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达6A的峰值脉冲电流（8/20μs）。ESD5471X采用FBP-02C封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性：

反向截止电压：±5V

根据IEC61000-4-2（ESD）标准，每条线路的瞬态保护：±30kV（接触和空气放电）

IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

IEC61000-4-5（浪涌）：6A（8/20μs）

电容：CJ=9pF（典型值）

低漏电流

低钳位电压：VCL=12V（典型值）@IPP=16A（TLP）

固态硅技术

应用领域：

手机

平板电脑

笔记本电脑

其他便携式设备

网络通信设备

     ESD5471X是专为保护敏感电子组件设计的双向瞬态电压抑制器，能抵御静电放电、电气快速瞬态和雷电等过应力。其优越的保护能力和低漏电流特性使其成为手机、平板、笔记本等便携式设备及网络通信设备的理想保护元件。采用固态硅技术，既高性能又紧凑，方便集成。详情请查阅数据手册或联系我们。 WSB5524D-2/TR 肖特基二极管 封装：FBP1608-2L。代理分销商WILLSEMI韦尔SPD82242B

WL2803E30-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5。中文资料WILLSEMI韦尔WS72631

    WNM2030是一种N型增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。这款器件适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2030为无铅产品。小型SOT-723封装。

主要特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 优异的开启电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· DC/DC转换器

· 电源转换器电路

· 便携式设备的负载/电源切换

   WNM2030是专为现代电子系统电源管理设计的高性能MOS场效应晶体管。其RDS(ON)和低栅极电荷特性使其在DC-DC转换、电源开关和充电电路中表现出色。采用先进沟槽技术，提供高密度和低功耗。快速开关操作适用于高频电源管理。小型SOT-723封装适合便携式设备，且无铅设计满足环保要求。WNM2030为现代电源管理提供高效、可靠和环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WS72631

深圳安美斯科技有限公司是一家有着先进的发展理念，先进的管理经验，在发展过程中不断完善自己，要求自己，不断创新，时刻准备着迎接更多挑战的活力公司，在广东省等地区的电子元器件中汇聚了大量的人脉以及**，在业界也收获了很多良好的评价，这些都源自于自身的努力和大家共同进步的结果，这些评价对我们而言是比较好的前进动力，也促使我们在以后的道路上保持奋发图强、一往无前的进取创新精神，努力把公司发展战略推向一个新高度，在全体员工共同努力之下，全力拼搏将共同深圳安美斯科技供应和您一起携手走向更好的未来，创造更有价值的产品，我们将以更好的状态，更认真的态度，更饱满的精力去创造，去拼搏，去努力，让我们一起更好更快的成长！