中文资料WILLSEMI韦尔ESD73164D
WNM6002是一种N型增强型MOS场效应晶体管，利用先进的沟槽和电荷控制设计，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于电源开关、负载开关和充电电路。标准产品WNM6002为无铅且不含卤素。小型SOT-323封装。
主要特性：
· 沟槽技术
· 超高密度单元设计
· 适用于高直流电流的优异导通电阻
· 极低的阈值电压
应用领域：
· 继电器、电磁铁、电机、LED等的驱动
· DC-DC转换器电路
· 电源开关
· 负载开关
· 充电电路
WNM6002N型增强型MOS场效应晶体管是一种高性能、高效能的半导体器件，专为现代电子设备中的电源管理和开关应用而设计。其采用先进的沟槽技术和电荷控制设计，确保了出色的RDS(ON)和低栅极电荷，从而提供了高效的电流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度单元设计使其在高直流电流下仍能保持优异的导通电阻，确保了高效的能量转换和散热。同时，极低的阈值电压保证了快速的开关响应和稳定的性能。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD73131CZ-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DWN0603-2L。中文资料WILLSEMI韦尔ESD73164D
WS4508E是一款针对单节锂离子电池的完整恒流/恒压线性充电器。其内部采用MOSFET架构，无需外部感测电阻和阻断二极管。热反馈机制可以调节充电电流，以在高功率操作或高环境温度下限制芯片温度。充电电压固定为4.2V，而充电电流可以通过一个外部电阻进行编程。
特性：
· 可编程充电电流高达600mA
· 过温保护
· 欠压锁定保护
· 自动再充电阈值典型值为4.05V
· 充电状态输出引脚
· 2.9V涓流充电阈值
· 软启动限制浪涌电流
应用：
· 无线电话
· MP3/MP4播放器
· 蓝牙设备
WS4508E是一款锂离子电池充电器，适用于便携式电子产品。其内置MOSFET简化了电路设计，降低了成本。其热反馈机制确保了在各种环境下的安全充电。充电电压固定为4.2V，电流可编程，至高600mA，适应不同电池和充电需求。充电结束和电源移除时，自动进入低电流和关机模式，降低功耗。采用SOT-23-5L封装，符合无铅标准，适用于各种电子设备。提供可靠、高效的充电解决方案。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WHS3815QESD9B5VL-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：FBP-02C。
RB521S30肖特基势垒二极管
特性：小型表面贴装类型、高可靠性低正向电压、、无铅器件
应用：低电流整流
介绍：
RB521S30是一款肖特基势垒二极管，它具有一系列出色的特性，使其在各种应用中表现优异。首先，其小型表面贴装类型使得它在空间受限的环境中也能轻松安装，同时确保了高效的热量散发。其次，高可靠性确保了器件在长时间使用下仍能保持稳定的性能，减少了维护和更换的频率。
此外，低正向电压是肖特基势垒二极管的一个关键特性，它允许在较低的电压下实现高效的整流功能。这一特性使得RB521S30在需要低电流整流的场合中表现出色，如某些电子设备中的电源管理部分。
值得注意的是，RB521S30是无铅器件，符合现代环保标准。随着全球对环保意识的日益增强，无铅器件已成为许多行业的首要选择。这使得RB521S30在追求高性能的同时，也符合了环保要求。
总的来说，RB521S30肖特基势垒二极管以其小型化、高可靠性、低正向电压和无铅环保等特性，成为低电流整流应用中的理想选择。无论是电子设备制造商还是电路设计工程师，都能从中受益。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。
ESD5311Z单线、双向、极低电容瞬态电压抑制器
产品描述
ESD5311Z是一款极低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别针对连接到数据和传输线的敏感电子组件，以防止因静电放电（ESD）而产生的过应力。ESD5311Z包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，ESD5311Z可用于提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5311Z采用DFN0603-2L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性
截止电压：5V
每条线路根据IEC61000-4-2（ESD）标准进行瞬态保护：±20kV（接触放电）
根据IEC61000-4-4（EFT）标准进行瞬态保护：40A（5/50ns）
根据IEC61000-4-5（浪涌）标准进行瞬态保护：4A（8/20μs）
极低电容：CJ=0.25pF（典型值）
极低漏电流：IR<1nA（典型值）
低钳位电压：VCL=21V（典型值）@IPP=16A（TLP）
应用领域
USB2.0和USB3.0
HDMI1.3和HDMI1.4
SATA和eSATA
DVI
IEEE 1394
PCI Express
便携式电子设备
笔记本电脑
ESD5311Z专为高速数据接口设计，极低电容，出色保护，防止静电放电损害。适用于USB、HDMI等接口，保护敏感组件。紧凑封装，适合便携式设备。详情查阅手册或联系我们。 WNM4002-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-523-3。
WL2801E是一款优异的低噪声、高PSRR（电源抑制比）以及高速CMOSLDO（低压差线性稳压器）。其高精度与出色的性能，使其在手机、笔记本电脑以及其他便携式设备中表现出色，为用户提供了前所未有的性价比体验。这款设备不仅具有出色的限流折回电路，能够同时作为短路保护和输出电流限制器，而且采用标准的SOT-23-5L封装，确保产品的环保性和安全性。
WL2801E的主要特性包括宽输入电压范围（2.7V~5.5V）、灵活的输出电压范围（1.2V~3.3V）、以及高达300mA的输出电流能力。其高达75dB的PSRR在217Hz下表现出色，确保了电源噪声的有效抑制。此外，其低dropout电压（170mV@IOUT=200mA）和极低静态电流（70μA）使得它在低功耗应用中表现突出。
这款产品的应用领域较广，包括MP3/MP4播放器、手机、无线电话、数码相机、蓝牙和无线手持设备以及其他便携式电子设备。无论是对于追求高性能的设计师，还是对于寻求成本效益的生产商，WL2801E都是理想的选择。
安美斯科技专注于国产电子元器件的代理分销，并可以提供样品。这体现了我们对产品质量的自信和对客户需求的深入理解。选择安美斯科技，您将获得优异的产品和服务。 WL2836D11-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装：DFN1x1-4L。中文资料WILLSEMI韦尔ESD56241D12
WAS7227Q-10/TR 模拟开关/多路复用器 封装：WQFN-10(1.4x1.8)。中文资料WILLSEMI韦尔ESD73164D
ESD73011N：单线、双向、极低电容瞬态电压抑制器
ESD73011N是一款极低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别用来保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，以防止由静电放电（ESD）引起的过度压力。ESD73011N包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73011N采用DFN1006-2L封装，为标准产品，无铅且不含卤素。
其主要特性包括：
· 截止电压：5V
· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±20kV（接触放电）
· 根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：5.5A（8/20μs）
· 极低电容：CJ=0.40pF（典型值）
· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）
· 低箝位电压：VCL=9.5V（典型值）@IPP=16A（TLP）
· 固态硅技术
应用领域包括：
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD73011N为需要高速数据传输和严格ESD防护的应用提供了出色的保护。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系制造商。 中文资料WILLSEMI韦尔ESD73164D
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