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BL1551B是一款模拟开关,具体地说:它是一个单通道、高带宽的单刀双掷(SPDT)模拟开关。这种开关特别适用于数据和音频信号的切换。
以下是BL1551B的主要特性和优势:
高带宽:BL1551B具有高达350MHz的带宽,这使得它能够处理高速信号切换,满足许多高速应用的需求。
低导通电阻:在5V工作电压下,其导通电阻为2.7Ω,这有助于减少信号在开关过程中的损失,保证信号的完整性。
高效的隔离度:在1MHz的频率下,BL1551B的隔离度达到-84dB,这意味着在开关处于关闭状态时,信号泄漏非常小,从而确保了良好的信号隔离效果。
宽工作电压范围:BL1551B的工作电压范围从1.8V到5.5V,这意味着它可以在多种不同的电压环境下工作,为设计者提供了更大的灵活性。
此外,BL1551B的封装类型为SC-70-6,这有助于实现紧凑的电路设计和高效的热性能。在实际应用中,BL1551B可广泛应用于移动电话、便携式电子设备等领域。其出色的性能参数和广泛的应用范围使得BL1551B在市场上具有一定的竞争力。
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销,我们非常荣幸能为您推荐BL1551B这款模拟开关,并提供样品供您测试,如需更多信息或支持,请随时联系我们。 WNM3013-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-723。中文资料WILLSEMI韦尔ESD63011N
WSB5546N-肖特基势垒二极管
特性:
· 低反向电流
· 0.2A平均整流正向电流
· 无铅和无卤素:WSB5546N是一款环保产品,不含铅和卤素。
· 快速开关和低正向电压降
· 反向阻断
应用:
· 电源管理
· 信号处理
· 电子设备保护
总之,WSB5546N是一款具有低反向电流、0.2A平均整流正向电流以及无铅无卤素环保特性的肖特基势垒二极管。它为各种应用提供了高效、可靠且环保的解决方案WSB5546N是一款肖特基势垒二极管,具有一些明显的特点和优势。肖特基势垒二极管是一种特殊的二极管类型,它结合了肖特基二极管和势垒二极管的优点。肖特基二极管具有快速开关能力和低正向电压降,而势垒二极管则具有出色的反向阻断能力。因此,WSB5546N结合了这些特点,提供了一种高效、可靠且环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WCR250N65DVWL2817DA33-8/TR 线性稳压器(LDO) 封装:DFN1612-8。
WL2836E:低噪声、高PSRR、高速CMOSLDO
产品描述:
WL2836E系列是一款高精度、低噪声、高速、高PSRR(电源抑制比)、低压降CMOS线性稳压器,具有出色的抗纹波能力。这些器件为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了具有成本效益的新一代性能。WL2836E具有随输出电压变化的折返至高输出电流,因此电流限制功能既作为短路保护,又作为输出电流限制器。WL2836E稳压器采用标准的SOT-23-5L封装。标准产品为无铅和无卤素。
产品特性
· 输入电压范围:1.4V~5.5V
· 输出电压范围:0.8V~3.3V
· 输出电流:300mA
· 静态电流:50μATyp
· 关机电流:<1μA
· 压降电压:140mV@IOUT=0.3A
· PSRR:78dB@1kHz,VOUT=1.8V
· 低输出电压噪声:20μVRMSTyp
· 输出电压容差:±2%@VOUT>2V
· 推荐电容器:1μF
· 热过载和短路保护
应用领域
· MP3/MP4播放器
· 手机、无线电话、数码相机
· 蓝牙、无线手持设备
· 其他便携式电子设备
WL2836E是高性能CMOS线性稳压器,专为低噪声、高PSRR和高速性能的便携式电子设备设计。宽输入电压范围和可调输出电压使其应用灵活。内置折返至高输出电流和电流限制功能,提供额外保护。紧凑SOT-23-5L封装,无铅无卤素,满足环保要求。详情查阅数据手册或联系我们。
WPM1481:单P沟道、-12V、-5.1A功率MOSFET
产品描述:
WPM1481是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1481为无铅产品。小型DFN2*2-6L封装。
产品特性:
· 沟槽技术
· 超高密度单元设计
· 出色的导通电阻
· 适用于更高的直流电流
· 极低的阈值电压
应用领域:
· 继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动器
· DC-DC转换电路
· 电源开关
· 负载开关
· 充电应用
WPM1481是一款高性能的P沟道功率MOSFET,专为高电流应用而设计。其出色的RDS(ON)和极低的阈值电压使其成为DC-DC转换、电源开关和充电电路的理想选择。同时,其小型DFN2*2-6L封装使得它在空间受限的应用中也能发挥出色。WPM1481作为无铅产品,还符合环保要求。无论是用于驱动继电器、电磁阀、电机还是LED,WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WPM3407-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-23。
WAS3157B是一款高性能的单刀双掷(SPDT)CMOS模拟开关,专为总线切换或音频切换应用设计。它具备高达400MHz的-3dB带宽和低导通电阻(典型值为5.5Ω)。此外,其SEL引脚具有过压保护功能,允许引脚上的电压超过VCC,至高可达7.0V,而不会损坏部件或影响其操作,无论工作电压如何。WAS3157B还配备了智能电路,以至小化VCC泄漏电流,即使在SEL控制电压低于VCC电源电压时也是如此。简而言之,在实际应用中,无需额外的设备来使SEL电平与VCC电平保持一致。WAS3157B采用标准的SOT-363(SC-70-6L)封装,标准产品为无铅和无卤素。
特性:
· 电源电压:1.5~5.5V
· 导通电阻:在VCC=4.5V时为5.5Ω-3dB
· 带宽:在CL=5pF时为400MHz
· 断开隔离度:在10MHz时为-69dB
· 低静态电流:<1uA
· 先断后合功能ESD保护:HBM为±8000V,MM为±600V
应用领域:
· 手机
· MID(移动互联网设备)
· 其他便携式设备
WAS3157B是一款功能强大且易于集成的模拟开关解决方案,适用于需要高效、可靠的切换功能的各种便携式设备。其优异的性能和多种保护功能使其成为现代电子设备中的理想选择。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WL2803E30-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5。中文资料WILLSEMI韦尔ESD63011N
WL2836D33-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装:UDFN-4-EP(1x1)。中文资料WILLSEMI韦尔ESD63011N
SD5302F是一款专为保护高速数据接口设计的极低电容TVS(瞬态电压抑制器)阵列。它特别设计用于保护连接到数据线和传输线的敏感电子组件免受ESD(静电放电)引起的过应力影响。ESD5302F结合了两对极低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可用于提供高达±20kV(接触和空气放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5302F采用SOT-23封装。标准产品为无铅和无卤素。
主要特性:
· 截止电压:5V
· 每条线路均符合IEC61000-4-2(ESD)标准的瞬态保护:±20kV(接触和空气放电)
· 符合IEC61000-4-4(EFT)标准的瞬态保护:40A(5/50ns)
· 符合IEC61000-4-5(浪涌)标准的瞬态保护:4A(8/20μs)
· 极低电容:CJ=0.4pF(典型值)
· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)
· 低箝位电压:VCL=20V@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用领域:
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD5302F保护高速数据接口免受静电放电等损害,确保信号完整性,承受力强。适合紧凑设备,环保。是高速数据接口的理想保护组件。详情查阅手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔ESD63011N