中文资料WILLSEMI韦尔WCL120N06DN
WL2801E系列是一款高精度、低噪声、高速、低压差CMOS线性稳压器，具有优异的纹波抑制能力。该系列为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了经济高效的新一代性能。其电流限制器的折回电路不止作为短路保护，还在输出引脚处作为输出电流限制器。
产品特点：
· 输入电压范围：2.7V至5.5V
· 输出电压范围：1.2V至3.3V
· 输出电流：在输出电压小于2V时，典型值为200mA；在输出电压大于2V时，典型值为300mA。
· 电源抑制比（PSRR）：在217Hz时达到75dB
· 压差电压：在输出电流为200mA时，压差为170mV
· 静态电流：典型值为70μA
· 关断电流：小于0.1μA
· 推荐电容器：1uF
应用领域：
· MP3/MP4播放器
· 手机和无线电话
· 数码相机
· 蓝牙和无线手持设备
· 其他便携式电子设备
WL2801E系列以其高精度、低噪声和高效能的特点，为现代便携式设备提供了理想的电源管理解决方案。无论是手机、笔记本电脑还是MP3播放器，它都能确保设备在长时间使用中保持出色的性能和稳定的电力供应。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD5451Z-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN0603-2L。中文资料WILLSEMI韦尔WCL120N06DN
ESD5641DXX是一款专为保护电源接口设计的瞬态电压抑制器。它非常适合用于替代便携式电子产品中的多个离散组件。ESD5641DXX特别为USB端口设计，采用了具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。封装与环保：ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品为无铅和无卤素。
技术特性：
· 反向截止电压：7.5V~15V
· 根据IEC61000-4-5标准的浪涌保护8/20μs
· 根据IEC61643-321标准的浪涌保护10/1000μs
· 低钳位电压
· 固态硅技术
应用领域：
· 电源保护
· 电源管理
ESD5641DXX瞬态电压抑制器以其出色的浪涌保护能力和低钳位电压，为电源接口提供了可靠的防护。特别适合用于USB端口保护，其紧凑的封装和环保特性使其成为便携式电子产品的理想选择。无论是在电源保护还是电源管理方面，ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WPT2E33WSB5503W-2/TR 肖特基二极管 封装：SOD-323。
WS3202E：过压和过流保护IC
产品描述：
WS3202E是一款集过压保护（OVP）和过流保护（OCP）功能于一体的保护设备。当输入电压或输入电流超过阈值时，该设备会关闭内部MOSFET，断开IN到OUT的连接，以保护负载。此外，过温保护（OTP）功能会监控芯片温度，确保设备安全。封装形式：SOT-23-6L
产品特性：
· 高压技术
· 输入电压：25V
· 输出上电时间：8ms（典型值）
· OVP阈值：6.1V（典型值）
· OVP响应时间：<1us
· OCP阈值：2A（最小值）
· 输出放电功能
应用领域：
· GPS设备
· PMP（便携式媒体播放器）
· MID（移动互联网设备）
· PAD（平板电脑）
· 数码相机
· 数字摄像机
WS3202E是一款功能强大的过压和过流保护IC，为电子设备提供了双重安全保障。其高压技术、快速响应时间和灵活的输出放电功能使其在各种应用场合中表现出色，特别适用于需要高稳定性和可靠性的电子设备，如GPS、PMP、MID、PAD以及数码相机和摄像机等。WS3202E采用SOT-23-6L封装，方便集成到各种电路板中，同时其无铅和无卤素特性也符合环保要求。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。
WNM2030是一种N型增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。这款器件适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2030为无铅产品。小型SOT-723封装。
主要特性：
· 沟槽技术
· 超高密度单元设计
· 优异的开启电阻
· 极低的阈值电压
应用领域：
· DC/DC转换器
· 电源转换器电路
· 便携式设备的负载/电源切换
WNM2030是专为现代电子系统电源管理设计的高性能MOS场效应晶体管。其RDS(ON)和低栅极电荷特性使其在DC-DC转换、电源开关和充电电路中表现出色。采用先进沟槽技术，提供高密度和低功耗。快速开关操作适用于高频电源管理。小型SOT-723封装适合便携式设备，且无铅设计满足环保要求。WNM2030为现代电源管理提供高效、可靠和环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD5681N07-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：X1-DFN1006-2。
ESDA6V8AV6静电放电（ESD）保护的瞬态电压抑制器
产品描述：
ESDA6V8AV6是一款五线路的ESD瞬态电压抑制器，为可能受到静电放电（ESD）影响的敏感电子组件提供了极高的保护水平。对于正瞬态，这些设备将电压钳制在逻辑电平供电之上；对于负瞬态，则钳制在低于地的二极管压降。ESDA6V8AV6能够安全地消散±20kV的ESD冲击，超过了IEC61000-4-2国际标准的至高上限要求。使用MILSTD-883（方法3015）中的人体模型（HBM）ESD规格，该设备为大于±16kV的接触放电提供了保护。ESDA6V8AV6采用SOT-563SMT封装，工作电压为5伏特。
规格特性：
· 工作峰值反向电压：5V
· 低漏电流：<1uA@3V
· 高ESD保护水平：每HBM>20kV
· IEC61000-4-2四级ESD保护
· IEC61000-4-4四级EFT保护
· 五种单独的单向配置
机械特性：
· 无空洞、转移模制、热固性塑料外壳
· 耐腐蚀表面，易于焊接
应用领域：
· 手机和配件
· 个人数字助理（PDA）
· 笔记本电脑、台式机和服务器
· 便携式仪器
· 数码相机
· 外设MP3播放器
ESDA6V8AV6是五线路ESD保护器，保护电子组件免受静电放电影响。具有强ESD保护和低漏电流，能承受±20kV冲击。符合电磁兼容性标准，适用于手机、笔记本等便携式设备。详情查阅手册或联系我们。 WNM3003-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-23。中文资料WILLSEMI韦尔ESD73431CZ
ESD56151W05-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：SOD-323。中文资料WILLSEMI韦尔WCL120N06DN
WPM1483是一个单P沟道、-12V、-5A的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它采用了先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1483为无铅、无卤素。
特性：
沟槽技术
超高密度单元设计
优异的ON电阻，适用于更高的直流电流
极低的阈值电压
小型SOT-23封装
应用：
继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器
DC-DC转换器电路
电源开关
负载开关
充电应用
WPM1483是一款P沟道功率MOSFET，采用先进沟槽技术，具有低RDS(ON)和低栅极电荷，适用于高效、高可靠性电力管理应用。可承受-5A直流电流，极低阈值电压降低功耗。小型SOT-23封装，无铅无卤素，环保且易于集成。适用于DC-DC转换、电源开关，驱动继电器、电机等应用。详情查阅手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WCL120N06DN