规格书WILLSEMI韦尔ESD5451ZL

时间:2024年04月05日 来源:

      WL2801E是一款优异的低噪声、高PSRR(电源抑制比)以及高速CMOSLDO(低压差线性稳压器)。其高精度与出色的性能,使其在手机、笔记本电脑以及其他便携式设备中表现出色,为用户提供了前所未有的性价比体验。这款设备不仅具有出色的限流折回电路,能够同时作为短路保护和输出电流限制器,而且采用标准的SOT-23-5L封装,确保产品的环保性和安全性。

      WL2801E的主要特性包括宽输入电压范围(2.7V~5.5V)、灵活的输出电压范围(1.2V~3.3V)、以及高达300mA的输出电流能力。其高达75dB的PSRR在217Hz下表现出色,确保了电源噪声的有效抑制。此外,其低dropout电压(170mV@IOUT=200mA)和极低静态电流(70μA)使得它在低功耗应用中表现突出。

     这款产品的应用领域较广,包括MP3/MP4播放器、手机、无线电话、数码相机、蓝牙和无线手持设备以及其他便携式电子设备。无论是对于追求高性能的设计师,还是对于寻求成本效益的生产商,WL2801E都是理想的选择。

     安美斯科技专注于国产电子元器件的代理分销,并可以提供样品。这体现了我们对产品质量的自信和对客户需求的深入理解。选择安美斯科技,您将获得优异的产品和服务。 WAS3157B-6/TR 模拟开关/多路复用器 封装:SOT-363。规格书WILLSEMI韦尔ESD5451ZL

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ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器

产品描述:

     ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器(TVS)阵列,专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件,免受静电放电(ESD)引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,ESD73034D可用于提供高达±10kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤素。

产品特性:

· 截止电压:±3.3VMax

· 根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线路瞬态保护:±10kV(接触放电)

· 根据IEC61000-4-4(EFT)的瞬态保护:40A(5/50ns)

· 根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:5.5A(8/20μs)

· 极低电容:CJ=0.2pFtyp

· 低漏电流低箝位电压:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固态硅技术

应用领域:

· USB3.0和USB3.1

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

      ESD73034D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器,保护敏感元件免受静电放电损害。适用于USB3.0、HDMI等高速接口和便携式设备。紧凑、环保。详情查阅数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WS3226CWS72358M-8/TR 运算放大器 封装:MSOP-8。

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ES9DN12BA瞬态电压抑制器

    ES9DN12BA是一款瞬态电压抑制器(TVS),专为保护连接到数据和传输线的敏感电子元件免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性:DFN1006-2L封装:紧凑的尺寸使得它易于集成到各种电路板中。无铅和无卤素:符合环保要求,适用于对无铅和无卤素有需求的场合。

特性:

· 截止电压:±12V。

· 按照IEC61000-4-2标准的ESD保护:±30kV(接触放电)

· 按照IEC61000-4-5标准的浪涌保护:5.5A(8/20μs)

· 典型电容:CJ=27pF

· 极低泄漏电流:IR=0.1nA

· 低钳位电压:在IPP=16A(TLP)时,VCL=20V。

· 固态硅技术:确保器件性能稳定和长寿命。

应用:

· 计算机及其外设:如键盘、鼠标、显示器等。

· 手机

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

    ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬态电压抑制器,专为保护敏感电子元件免受静电和电气瞬变的影响而设计。其优异的保护能力、紧凑的封装和环保特性使其成为各种电子设备制造商的理想选择。无论是计算机、手机还是便携式电子设备,ES9DN12BA都能提供强大的保护,确保设备的稳定性和可靠性。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。

ESD56151Wxx:电源保护新选择

     ESD56151Wxx双向瞬态电压抑制器,是为现代电子设备中的电源接口设计。它的反向截止电压范围是4.5V至5V,有效保护电路免受过高电压的损害。这款抑制器符合IEC61000-4-5标准,为电路提供强大的浪涌保护,同时遵循IEC61000-4-2标准,提供±30kV的ESD保护。 

     ESD56151Wxx的特点在于其低钳位电压设计,能迅速将电压限制在安全范围内,减少对敏感电子元件的损害。其采用的固态硅技术确保了出色的稳定性和可靠性,确保在长期使用中仍能保持优异的性能。 

     这款ESD适用于各种需要电源保护和管理的应用场景,如便携式电子设备、通信设备、医疗设备以及工业控制系统等。它能从各方面保护电源接口,提高设备稳定性和可靠性,延长使用寿命,降低维修和更换成本。 

     安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD56151Wxx这款ESD,并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或技术支持,请随时联系我们。 WL2803E12-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5L。

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      WPM1483是一个单P沟道、-12V、-5A的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用了先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1483为无铅、无卤素。

特性:

沟槽技术

超高密度单元设计

优异的ON电阻,适用于更高的直流电流

极低的阈值电压

小型SOT-23封装

应用:

继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器

DC-DC转换器电路

电源开关

负载开关

充电应用

    WPM1483是一款P沟道功率MOSFET,采用先进沟槽技术,具有低RDS(ON)和低栅极电荷,适用于高效、高可靠性电力管理应用。可承受-5A直流电流,极低阈值电压降低功耗。小型SOT-23封装,无铅无卤素,环保且易于集成。适用于DC-DC转换、电源开关,驱动继电器、电机等应用。详情查阅手册或联系我们。 ESD5441N02-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-2L。中文资料WILLSEMI韦尔SPD81581A

WD3100B-6/TR LED驱动 封装:SC-70-6(SOT-363)。规格书WILLSEMI韦尔ESD5451ZL

    ESD5431Z-2/TR:电子设备的瞬态电压守护神

    ESD5431Z-2/TR是一款高效、可靠的双向瞬态电压抑制器,专为保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬变和雷电等瞬态电压威胁而设计。其独特的双向保护机制,确保在数据线和控制线受到过应力时,能够迅速抑制电压波动,保护敏感电子元件免受损坏。 

    这款ESD具有出色的截止电压和瞬态保护能力,根据IEC61000-4-2标准,它能承受高达±30kV的接触放电,确保在极端情况下仍能有效保护电路,能够承受高达40A(5/50ns)的EFT和10A(8/20μs)的浪涌电流。其小型DFN0603-2L封装设计使得集成更为便捷,同时无铅和不含卤素的标准也符合环保要求。

    无论是手机、计算机还是微处理器,它都能为这些设备提供坚实的电压保护,确保它们在各种恶劣环境下都能稳定运行。应用在工业、医疗还是消费电子领域等。

    安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD5431Z-2/TR这款ESD,并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持,请随时联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔ESD5451ZL

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