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时间:2024年04月06日 来源:

    ESD9X5VU是一种单向瞬态电压抑制器(TVS),专为可能遭受静电放电(ESD)的敏感电子组件提供高水平的保护。它被设计用于替代多层变阻器(MLV),并广泛应用于消费设备,如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、LCD电视等。

特性:

· 极低电容:CJ=0.5pFtyp

· 极低漏电流:IR<1nAtyp

· 低箝位电压:VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固态硅技术

· 根据IEC61000-4-2标准,每条线提供±20kV(接触和空气放电)的瞬态保护

· 根据IEC61000-4-4标准,提供40A(5/50ns)的EFT保护

· 根据IEC61000-4-5标准,可承受4A(8/20μs)的浪涌电流

应用:

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便携式电子产品

· 笔记本电脑

     ESD9X5VU采用了一对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。它为敏感电子组件提供了高水平的ESD保护,使其免受静电放电的损害。与传统的多层变阻器相比,ESD9X5VU具有更低的电容和漏电流,以及更低的箝位电压,从而提供了更好的性能。此外,其固态硅技术确保了高效、可靠的电源保护。无论是用于USB、HDMI、SATA还是其他接口,ESD9X5VU都能为现代电子设备提供坚实的ESD防护屏障。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WD1033E-5/TR DC-DC电源芯片 封装:SOT-23-5L。中文资料WILLSEMI韦尔WMM7022ATEN0-4/TR

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ESD5451N:双向瞬态电压保护神

     ESD5451N是一款高效的双向瞬态电压抑制器,专为保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬变和雷电等瞬态电压侵害而设计。它能承受高达±30kV的接触和空气放电,以及峰值脉冲电流达8A(8/20μs),为低速数据线和控制线提供强大的保护

    这款抑制器采用DFN1006-2L封装,具有无铅和无卤素等环保特性。其反向截止电压为±5VMax,电容典型值为17.5pF,漏电流极低,典型值小于1nA。此外,其低钳位电压特性使其在电流脉冲下仍能保持稳定的电压输出。

    ESD5451N适用于多种应用场景,包括手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备,以及网络通信设备等。其出色的瞬态电压抑制能力和稳定性,为电子设备提供了可靠的保障。

    安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销,可以提供样品供您测试。如有关于ESD5451N的进一步问题或需求,请随时与我们联系。我们期待与您合作,为您提供优异的产品和服务。 中文资料WILLSEMI韦尔WMM7022ATEN0-4/TRWNM4006-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-23。

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  WPM2015xx是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管(MOSFET)。它采用先进的沟槽技术和设计,具有出色的RDS(ON)(导通电阻)和低栅极电荷。这使得WPM2015xx在中等电源电流和电流产出量的应用中表现出色,尤其适用于电池管理、电机控制和高速开关等场景。

  WPM2015xx的主要特点包括:

1:稳定的走电电压和出色的导电电阻,这有助于在电子设备中实现高效、稳定的性能。

2:适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用,这些应用需要精确控制电流和电压。

3:采用无铅、无卤的环保封装,符合现代电子产品的环保要求。

4:具有超高密度电池设计,适用于需要高效率和高稳定性的电池管理系统。

5:极低的阈值电压和小型化的SOT-23封装使得WPM2015xx在空间受限的应用中也能发挥出色的性能。

  在实际应用中,WPM2015xx可以用于继电器、电磁铁和电机等设备的驱动和控制。通过控制栅极电压,WPM2015xx可以实现对电流的精确调节,从而实现对电机等设备的控制。

  安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐WPM2015xx这款MOS,并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持,请随时联系我们。

ESD5341N:单线、单向、低电容瞬态电压抑制器

     ESD5341N是一款低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它被特别用来保护连接到数据和传输线的敏感电子组件,以防止由静电放电(ESD)引起的过度压力。ESD5341N包含一个低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可以提供高达±20kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5341N采用DFN1006-2L封装,为标准产品,无铅且不含卤素。

其主要特性包括:

· 截止电压:5V

· 根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线瞬态保护:±20kV(接触放电)

· 根据IEC61000-4-4(EFT)的瞬态保护:40A(5/50ns)

· 根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:4A(8/20μs)

· 低电容:CJ=1.0pF(典型值)

· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)

· 低箝位电压:VCL=18V(典型值)@IPP=16A(TLP)

· 固态硅技术

应用领域包括:

· USB接口

· HDMI接口

· DVI

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

      ESD5341N为高速数据接口提供了出色的静电放电保护,特别适用于需要高数据传输速率和严格ESD防护的应用。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系制造商。 WD1035DH-8/TR DC-DC电源芯片 封装:DFN-8-EP(2x2)。

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    WS3222是一款具有可调OVLO(过压锁定)阈值电压的过压保护(OVP)负载开关。当输入电压超过阈值时,该设备将关闭内部MOSFET,断开输入到输出的连接,以保护负载。当OVLO输入设定低于外部OVLO选择电压时,WS3222会自动选择内部固定的OVLO阈值电压。过压保护阈值电压可以通过外部电阻分压器进行调整,OVLO阈值电压范围为4V~15V。过热保护(OTP)功能监控芯片温度,以保护设备。WS3222采用DFN2×2-8L封装。标准产品无铅且无卤素。

特点:

· 输入电压:29V

· 导通电阻:45mΩ(典型值)

· 超快OVP响应时间:450ns(典型值)

· 可调OVLO

· 阈值电压:4V~15V

应用:

· 手机和平板电脑

· 便携式媒体播放器

· STB、OTT(机顶盒、互联网电视)

· 汽车DVR、汽车媒体系统外设

    WS3222是专为现代便携设备设计的灵活高效过压保护开关。其特色在于可调OVLO阈值,为不同应用提供定制化保护。超快450纳秒OVP响应时间确保负载在瞬间过压下得到保护。低导通电阻减少正常功耗。集成OTP功能增强可靠性。紧凑封装适合空间受限应用,符合环保标准。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 WAS4729QB-10/TR 模拟开关/多路复用器 封装:QFN-10(1.8x1.4)。中文资料WILLSEMI韦尔WAS4761Q

ESD56151W04-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:SOD-323。中文资料WILLSEMI韦尔WMM7022ATEN0-4/TR

    WNM2030是一种N型增强型MOS场效应晶体管,采用先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。这款器件适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2030为无铅产品。小型SOT-723封装。

主要特性:

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 优异的开启电阻

· 极低的阈值电压

应用领域:

· DC/DC转换器

· 电源转换器电路

· 便携式设备的负载/电源切换

   WNM2030是专为现代电子系统电源管理设计的高性能MOS场效应晶体管。其RDS(ON)和低栅极电荷特性使其在DC-DC转换、电源开关和充电电路中表现出色。采用先进沟槽技术,提供高密度和低功耗。快速开关操作适用于高频电源管理。小型SOT-723封装适合便携式设备,且无铅设计满足环保要求。WNM2030为现代电源管理提供高效、可靠和环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WMM7022ATEN0-4/TR

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