规格书WILLSEMI韦尔WNM03136E
BL1551B是一款模拟开关，具体地说：它是一个单通道、高带宽的单刀双掷（SPDT）模拟开关。这种开关特别适用于数据和音频信号的切换。
以下是BL1551B的主要特性和优势：
高带宽：BL1551B具有高达350MHz的带宽，这使得它能够处理高速信号切换，满足许多高速应用的需求。
低导通电阻：在5V工作电压下，其导通电阻为2.7Ω，这有助于减少信号在开关过程中的损失，保证信号的完整性。
高效的隔离度：在1MHz的频率下，BL1551B的隔离度达到-84dB，这意味着在开关处于关闭状态时，信号泄漏非常小，从而确保了良好的信号隔离效果。
宽工作电压范围：BL1551B的工作电压范围从1.8V到5.5V，这意味着它可以在多种不同的电压环境下工作，为设计者提供了更大的灵活性。
此外，BL1551B的封装类型为SC-70-6，这有助于实现紧凑的电路设计和高效的热性能。在实际应用中，BL1551B可广泛应用于移动电话、便携式电子设备等领域。其出色的性能参数和广泛的应用范围使得BL1551B在市场上具有一定的竞争力。
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销，我们非常荣幸能为您推荐BL1551B这款模拟开关，并提供样品供您测试，如需更多信息或支持，请随时联系我们。 WL2815D30-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装：UDFN-4-EP(1x1)。规格书WILLSEMI韦尔WNM03136E
ESD56151Wxx：电源保护新选择
ESD56151Wxx双向瞬态电压抑制器，是为现代电子设备中的电源接口设计。它的反向截止电压范围是4.5V至5V，有效保护电路免受过高电压的损害。这款抑制器符合IEC61000-4-5标准，为电路提供强大的浪涌保护，同时遵循IEC61000-4-2标准，提供±30kV的ESD保护。
ESD56151Wxx的特点在于其低钳位电压设计，能迅速将电压限制在安全范围内，减少对敏感电子元件的损害。其采用的固态硅技术确保了出色的稳定性和可靠性，确保在长期使用中仍能保持优异的性能。
这款ESD适用于各种需要电源保护和管理的应用场景，如便携式电子设备、通信设备、医疗设备以及工业控制系统等。它能从各方面保护电源接口，提高设备稳定性和可靠性，延长使用寿命，降低维修和更换成本。
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD56151Wxx这款ESD，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或技术支持，请随时联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5661D12WL2862E33-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装：SOT-23-5L。
ESD9B5VL：单线双向瞬态电压抑制器
产品描述
ESD9B5VL是一个双向瞬态电压抑制器（TVS）。它特别设计用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件，免受由静电放电（ESD）、电气快速瞬态（EFT）和雷电引起的过应力影响。根据IEC61000-4-2标准，ESD9B5VL可用于提供高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护，并可根据IEC61000-4-5标准承受高达3A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD9B5VL采用FBP-02C封装。标准产品为无铅和无卤素。
产品特性
· 反向截止电压：±5VMax
· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线路
· 瞬态保护：±20kV（接触和空气放电）
· 根据IEC61000-4-4（EFT）的瞬态保护：20A（5/50ns）
· 根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：3A（8/20μs）
· 电容：CJ=5.0pFtyp
· 低泄漏电流：IR<1nAtyp
· 低箝位电压：VCL=13Vtyp.@IPP=16A（TLP）
· 固态硅技术
应用领域
· 手机
· 平板电脑
· 笔记本电脑
· 其他便携式设备
· 网络通信设备
ESD9B5VL是高效的瞬态电压抑制器，保护电子设备免受静电放电等瞬态事件影响。适用于手机、平板等便携式设备，保护敏感电子组件。高保护能力、低泄漏和低箝位电压，稳定可靠。详情请查阅数据手册或联系我们。
WS4665是一个单通道负载开关，提供可配置的上升时间以极小化涌流。该设备包含一个N型MOSFET，可以在0.8V至5.5V的输入电压范围内工作，并支持连续电流上线为6A。开关由开/关输入（ON）控制，该输入能够直接与低电压控制信号接口。在WS4665中，增加了一个230Ω的片上负载电阻，用于在开关关闭时进行快速输出放电。WS4665采用小型、节省空间的2.00mmx2.00mm8引脚DFN封装。标准产品为无铅且无卤素。
主要特性：
· 集成单通道负载开关
· 输入电压范围：0.8V至5.5V
· 极低导通电阻（RON）RON=14mΩatVIN=5V(VBIAS=5V)
· 连续开关上限电流为6A
· 低控制输入阈值，支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V逻辑
· 可配置的上升时间
· 快速输出放电（QOD）
· ESD性能经过JESD22测试2000VHBM和1000VCDM
应用领域：
· 超极本TM
· 笔记本电脑/上网本
· 平板电脑
· 消费电子产品
· 机顶盒/住宅网关
· 电信系统
WS4665适用于多种应用场合，如超极本、笔记本电脑/上网本、平板电脑、消费电子产品、机顶盒/住宅网关以及电信系统等。如需更多信息或技术规格，请查阅相关数据手册或与我们联系。 WPM3407-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-23。
WL2805N33-3/TR：高效且可靠的瞬态电压抑制器
WL2805N33-3/TR是一款高性能的瞬态电压抑制器，专为保护电子设备免受瞬态电压的侵害而设计。在现代电子设备中，由于雷电、静电放电和其他电气瞬态事件，电路中的敏感组件经常面临损坏的风险。而WL2805N33-3/TR的出现，为这些设备提供了可靠的防护。
这款抑制器具有出色的瞬态抑制能力和低漏电流特性，能够在瞬态事件发生时迅速响应，将电压限制在安全范围内，从而保护电路中的敏感组件免受损坏。
此外，WL2805N33-3/TR还具有低钳位电压和低电容值，确保了信号传输的准确性和稳定性。 其紧凑的封装设计使得它非常适合用于各种电子设备中，如通信设备、计算机、医疗设备和消费电子产品等。无论是对于工业应用还是日常消费应用，WL2805N33-3/TR都能提供优异的瞬态电压保护，确保设备的稳定运行和延长使用寿命。
安美斯科技作为专业的电子元器件代理分销商，致力于为客户提供优异的产品和服务。我们非常荣幸能为您推荐WL2805N33-3/TR这款瞬态电压抑制器，并愿意提供样品供您测试。如需了解更多信息或支持，请随时联系我们。 WS742905M-8/TR 运算放大器 封装：MSOP-8。中文资料WILLSEMI韦尔ESD56321N09
WL2836D12-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装：UDFN-4-EP(1x1)。规格书WILLSEMI韦尔WNM03136E
WPM1483是一个单P沟道、-12V、-5A的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它采用了先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1483为无铅、无卤素。
特性：
沟槽技术
超高密度单元设计
优异的ON电阻，适用于更高的直流电流
极低的阈值电压
小型SOT-23封装
应用：
继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器
DC-DC转换器电路
电源开关
负载开关
充电应用
WPM1483是一款P沟道功率MOSFET，采用先进沟槽技术，具有低RDS(ON)和低栅极电荷，适用于高效、高可靠性电力管理应用。可承受-5A直流电流，极低阈值电压降低功耗。小型SOT-23封装，无铅无卤素，环保且易于集成。适用于DC-DC转换、电源开关，驱动继电器、电机等应用。详情查阅手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WNM03136E